自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

一种10位20MS／s3v电源CMOsA／D转换器

一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...     

适于嵌入应用的一种25MS／s8位CMOSA／D转换器

适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...     

ISO／IEC MPEG—2先进音频编码（一）

在对兼容性没有任何要求的条件下，ＩＳＯ／ＩＥＣＭＰＥＧ－２先进音频编码（ＡＡＣ）系统使ＩＳＯ／ＩＥＣＭＰＧＥ－２编码具有最好的音频质量，叙述了ＡＡＣ系统（ＩＳＯ／ＩＥＣ１３８１８－７）的主要特点，ＭＰＥＧ－２ＡＡＣ把高分辨率滤波器组，预测技术，霍夫曼编码的编码效率和其他功能结合在一起，可以在数据率可变的情况下，传输品质极高的音频。     

A／D与D／A转换器技术

Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器技术ＷＤ９４５１１１０位１００Ｍ采样／秒流水线子区ＢｉＣ－ＭＯＳＡＤＣ＝Ａ１０－ｂ１００－Ｍｓａｍｐｌｅ／ｓｐｉｐｅｌｉｎｅｄ　ｓｕｂ－ｒａｎｇｉｎｇＢｉＣＭＯＳＡＤＣ［刊，英］／Ｓｏｎｅ，Ｋ．…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－Ｓｔａ...     

CMOS／SOI电路模拟与参数提取

ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说明我们所采用的ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ器件模型及其参数提取都是成功的。     

MC68HC05CD总线结构设计

无ＲＯＭ扩展总线微控制器ＭＣ６８ＭＣ０５ＣＤ具有板上并行输入／输出（Ｉ／Ｏ）、两个定时器、串行通信接口（ＳＣＩ）和ＲＡＭ，而仅仅缺少ＥＰＲＯＭ。总线结构是设计微控制器系统时的最重要的考虑之一。图１ＭＣ６８ＨＣ０５Ｃ０片选、存储器图和三个不同大小外部Ｅ...     

薄膜SOI／CMOS器件结构的设计考虑

薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...     

用BiCMOS工艺制作的高频高分辨率4级Σ△A／D转换器

用ＢｉＣＭＯＳ工艺制作的高频高分辨率４级Σ△Ａ／Ｄ转换器＝Ａｈｉｇｈ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙａｎｄｈｉｇｈ－ｒｅｓ－ｏｌｕｔｉｏｎｆｏｕｒｔｈ－ｏｒｄｅｒΣ△Ａ／ＤｃｏｎｖｅｒｔｅｒｉｎｂｉＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［刊，英］／Ｙｉｎ，ＧＭ…∥ＩＥＥＥ...     

带片上PLL和硬件指示器的320MHzCMOS三－8位DAC

带片上ＰＬＬ和硬件指示器的３２０ＭＨｚＣＭＯＳ三－８位ＤＡＣ＝Ａ３２０ＭＨｚＣＭＯＳｔｒｉｐｌｅ８ｈｉｔＤＡＣｗｉｔｈｏｎ－ＣｈｉｐＰＬＬａｎｄｈａｒｄｗａｒｅｃｕｒｓｏｒ［刊，英］／Ｒｅｙｎｏｌｄｓ，Ｄ／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－...     

MC68HC05SR3芯片介绍

ＭＣ６８ＨＣ０５ＳＲ３芯片介绍黄小平一、基本结构及特征ＭＣ６８ＨＣ０５ＳＲ３ＨＯＭＯＳ微控制器是低功耗单片微控制器Ｍ６８ＨＣ０５家族的一员。这个Ｓ位的微控制器单元（ＭＣＵ）包含有在片振荡器，ＣＵＰ、ＲＡＭＥＯＭ、Ｉ／Ｏ，定时器及Ａ／Ｄ。ＭＣ６８ＨＣ０...     

稳定的CMOS延迟线应用于短时间间隔的数字化

稳定的ＣＭＯＳ延迟线应用于短时间间隔的数字化＝ＴｈｅｕｓｅｏｆｓｔａｂｉｌｉｚｅｄＣＭＯＳｄｅｌａｙｌｉｎｅｆｏｒｔｈｅｄｉｇｉｔｉｚａｔｉｏｎｏｆｓｈｏｒｔｔｉｍｅｉｎｔｅｒｖａｌｓ［刊，英］／Ｒａｎｋｏｎｅｎ，Ｔ．Ｅ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－Ｓ...     

光纤通信技术的发展趋势

本文从ＥＤＦＡ，光复接分接，光同步，ＯＸＣ／ＯＡＤＭ等全光处理，ＷＤＭ，ＯＴＤＭ，光孤子等高在容量传输，ＮＺ－ＤＳＦ，ＰＩＣ／ＯＥＩＣ等光部件几个方面介绍光纤通信技术的发展趋势。     

一种5V6位80MS／sBiCMOS闪烁ADC

一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...     

印制电路板CAD／CAPP／CAM一体化实现

本文介绍了实现印制电路板ＣＡＤ／ＣＡＰＰ／ＣＡＭ一体化所作的工作，重点解决了数控钻孔文件向没有通信接口的ＥＸＣＥＬＬＯＮ２００数控钻床的传输问题，制定了印刷电路板ＣＡＤ／ＣＡＰＰ／ＣＡＭ的有关规定，印刷电路板ＣＡＤ／ＣＡＰＰ／ＣＡＭ一体化的建立，极大地提高了印刷电路板生产的效率和质量。     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

上网注册表修改技巧四则

技巧一：使拨号网络可以储存密码方法１：“开始”→“执行”→启动注册表编辑器（ＲＥＧＥＤＩＴ．ＥＸＥ）,打开ＨＫＥＹ－ＬＯＣＡＬ－ＭＡＣＨＩＮＥ／ＳＯＦＴＷＡＲＥ／Ｍｉｃｒｏｓｏｆｔ／Ｗｉｎｄｏｗｓ／ＣｕｒｒｅｎｔＶｅｒｓｉｏｎ／Ｎｅｔｗｏｒｋ／Ｒｅ...     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

短沟道CMOS／SIMOX器件及电路的辐照特性研究

利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别为３ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）和７ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移均小于１Ｖ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ环振经过５ｘ１０５ｒａｄ（Ｓｉ）剂量的电离辐照后仍能正常工作，其门延迟时间由辐照前的２３７ｐｓ变为３２８ｐｓ。