共查询到20条相似文献,搜索用时 140 毫秒
1.
2.
为进行10 keV X射线和60Co γ射线总剂量辐射效应的比较,采用这两种辐射源对SOI (Silicon-on-Insulator) n-MOSFET在不同偏置条件下进行总剂量辐照试验,分析了SOI NMOS器件在两种辐射源下辐照前后的阈值电压的漂移值并进行比较.实验结果表明,SOI NMOS器件的前栅特性中X射线与60Co γ射线辐照感生阈值电压漂移值的比值α随总剂量增加而增大,而背栅特性中α值在不同偏置条件下变化趋势是不同的;在总剂量为1×106 rad(Si)时,前栅器件α值为0.6~0.75,背栅器件α值为0.76~1.0. 相似文献
3.
4.
介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移,泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad(Si)的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型(无场区边缘)NMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.1 V;对于H型PMOS晶体管,前栅阈值电压漂移小于0.15 V;未发现由辐射引起的显著漏电。32位DSP电路在500 krad(Si)范围内,静态电流小于1 m A。通过实验数据表明,在较高剂量辐射条件下,利用该工艺制造的ASIC电路拥有良好的抗总剂量辐射性能。 相似文献
5.
《电子与封装》2017,(11):44-48
基于抗辐射0.6μm CMOS工艺,对5 V/20 V&LV/HV NMOS器件进行了总剂量加固结构设计,并采用叠栅氧工艺成功制备了抗总剂量能力≥500 krad(Si)高低压兼容的NMOS器件。重点研究了不同的栅氧化工艺对NMOS器件总剂量辐射电离效应的影响作用。研究发现,在抗总剂量电离能力方面,湿法氧化工艺优于干法氧化工艺:即当栅氧厚度小于12.5 nm时,LVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔV_(tn)受栅氧化方式的影响甚小;当栅氧厚度为26 nm时,HVNMOS器件因总剂量电离效应引起的阈值电压漂移ΔVtn受栅氧化方式及工艺温度的影响显著。在500 krad(Si)条件下,采用850℃湿氧+900℃干氧化方式的HVNMOS器件阈值电压漂移ΔV_(tn)比采用800℃湿氧氧化方式的高2倍左右。 相似文献
6.
分析了MOS晶体管总剂量辐射效应的理论模型,并在此基础上给出了主要作用机理的仿真方法,用Sentaurus TCAD器件仿真软件对不同栅氧厚度的NMOS晶体管辐射前后的电学特性进行了模拟仿真,通过对比研究不同辐射总剂量下NMOS晶体管的I-V特性曲线,得出了NMOS晶体管阈值电压漂移与辐射总剂量的关系。与实验数据进行了对比验证,并准确计算出仿真中理论模型中的修正参数fot和K,使仿真结果和实验结果能够很好地吻合,为CMOS集成电路的总剂量辐射效应的仿真研究提供依据。 相似文献
7.
8.
9.
10.
文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。 相似文献
11.
12.
13.
A novel technique is proposed to improve total irradiation dose (TID) hardness of buried oxides in a 0.13 μm silicon-on-insulator (SOI) technology. Multiple-step Si ion implantation is implemented to avoid silicon film amorphization. Each implant step introduces silicon ion implantation of a lower dose into buried oxides which creates an amorphous/crystalline (a/c) interface inside the silicon layer. Rapid thermal annealing (RTA) removes implant-induced lattice damages by silicon recrystallization reflected in a/c interface moving towards the top silicon surface. The thermal process prevents top silicon layers from total amorphization arising in the technique of single high dose implantation method. X-ray Diffraction (XRD) spectrum confirms the existence of the a/c interface and determines the single implant dose. Experimental results on pseudo-MOS and H-gate partially-depleted SOI n-type MOSFETs show radiation tolerance up to 1.0 Mrad(Si) though introduced metastable electron traps lead to I–V hysteresis and bias instabilities. 相似文献
14.
采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。 相似文献
15.
16.
目前,SOI(SiliconOnInsulator)材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路,本文以SIMOX(SeperationbyIMplantationofOXygen)技术为主,详细论述了SOI材料和器件(MOSFET)的辐照特性及其机理,包括总剂量、瞬时和单粒子效应,并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺和优化设计,可以制造出优良的抗辐照集成电路。 相似文献
17.
通过对赝MOS进行不同剂量的辐射,得到不同辐射条件下赝MOS器件的I-V特性曲线,并通过中带电压法进行分析,得出在不同辐射下SOI材料的埋氧层中产生的陷阱电荷密度和界面态电荷密度参数。采用这些参数并结合Altal三维器件模拟软件模拟了硅鳍(FIN)宽度不同的三栅FET器件的总剂量辐射效应,分析陷阱电荷在埋氧层的积累和鳍宽对器件电学特性的影响。 相似文献
18.
19.
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130 nm部分耗尽(PD) SOI NMOSFET器件的总剂量辐射退化特性,建立了一个包含总剂量辐射效应的通用模拟电路仿真器(SPICE)模型。在BSIM SOI标准工艺集约模型的基础上,增加了STI寄生晶体管泄漏电流模型,并考虑了辐射陷阱电荷引起寄生晶体管的等效栅宽和栅氧厚度的变化。通过与不同漏压下、不同宽长比的器件退化特性的实验结果对比,该模型能够准确反映器件辐射前后的漏电流特性变化,为器件的抗辐射设计提供参考依据。 相似文献