Ni—Cr衬底上MOCVD法制备YSZ过渡层的研究

用ＭＯＣＶＤ方法在柔性金属上衬底上沉积超导膜是潜在的实用高温超导成材方法。用适当方法原位快速地制备有择优取向的防扩散过渡层是其中的关键。本文报导用有机源Ｙ（ｄｐｍ）３和Ｚｒ（ｄｐｍ）４，采用ＭＯＣＶＤ方法在Ｎｉ基合金衬底上沉积了Ｙ稳定的ＺｒＯ２立方相过渡层，厚度约０．５μｍ。文中研究了氧分压和沉积温度对ＹＳＺ结晶和择优取向的影响。结果表明，在生长压力为１３０Ｐａ时，氧分压低至２０Ｐａ，制备出（１１     

溶胶-凝胶法制备YBCO薄膜及其缓冲层

采用溶胶-凝胶法在硅基板上先分别制备钇稳定氧化锆(YSZ)和钛酸锶(STO)两种薄膜缓冲层。再以钇、钡和铜的醋酸盐为起始原料,选用三种络合剂,配制出了均匀、稳定的 YBCO溶胶;采用提拉法,分别在不同过渡层上制备了 YBCO 薄膜。进一步对 YBCO 纳米薄膜的热处理工艺、薄膜形貌和微观组织结构进行了初步研究。     

YBCO／STO超导外延膜的X—射线双晶衍射研究

应用Ｘ－射线双晶衍射对磁控溅射法制备的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ／ＳｒＴｉＯ３超导外延膜和衬底之间的位向关系以及晶体完整性的研究，表明衬底和外延在相应的衍射面之间存在与两者点阵常数差元关的位向差。这种位向差与测量方法（φ角）有关，在孪晶界方向出现极值。外延摇摆曲线的半峰宽值显示外延完整性罗差，其值与测量方向有关，而不同方向的点阵常数变化却不大。这可能分别与孪晶存在孪晶有择优取向以及外延镶嵌块间夹角变化     

原子层沉积氧化锌应用于铜铟镓硒太阳能电池缓冲层的研究

用原子层沉积法在钠钙玻璃上沉积氧化锌薄膜,利用场发射扫描电镜和X射线衍射(XRD)等对样品表面形貌和物相进行分析,结果表明得到的ZnO纳米颗粒为六角纤锌矿结构,颗粒的尺寸在30～60nm之间;测得的ZnO薄膜厚度仅50nm,符合缓冲层要求;薄膜在可见光区域透射率达90%以上;使用原子层沉积氧化锌薄膜作铜铟镓硒太阳能电池的缓冲层,TEM显示氧化锌层完好、致密地覆盖在CIGS层上,电池的光电转换效率较高,完全可以替代有毒的CdS作缓冲层。     

YBCO／STO超导外延膜的X－射线双晶衍射研究

应用Ｘ－射线双晶衍射对磁控溅射法制备的ＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（７－ｘ）／ＳｒＴｉＯ_３超导外延膜和衬底之间的位向关系以及晶体完整性的研究，表明衬底和外延在相应的衍射面之间存在与两者点阵常数差无关的位向差。这种位向差与测量方向（φ角）有关，在孪晶界方向出现极值。外延摇摆曲线的半峰宽值显示外延完整性较差，其值与测量方向有关，而不同方向上的点阵常数变化却不大。这可能分别与孪晶存在和孪晶有择优取向以及外延镶嵌块间夹角变化有关。     

金属缓冲层上生长GaN薄膜的结构、发光性能及其生长机理

为了解决硅衬底与GaN之间的晶格失配和热失配问题,实验尝试采用常压化学气相沉积法(APCVD),分别以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为镓源和氮源,在加入A1、Au/Al两种金属缓冲层和不加缓冲层的硅衬底上生长氮化镓(GaN)薄膜.采用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、X-ray能谱仪(EDS)、场发射扫描电子显微镜(F...     

离子束辅助沉积制备的铁锆多层膜中的相演化

研究了用氩离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术制备的铁／锆多层膜中的微结构演化规律。实验中所使用的氩离子能量范围为４ｋｅＶ到１２ｋｅＶ,束流密度为１２μＡ／ｃｍ＾２。实验结果表明,用ＩＢＡＤ技术右在富锆端制备出完全非晶化的薄膜。对于Ｆｅ（０．５４ｎｍ）／Ｚｒ（４．５ｎｍ）多层膜,随Ａｒ离子能量的增加,在薄膜中还观察到晶态－非晶－亚稳ｆｃｃ相－非晶－晶态的结构转变。对于富铁合金膜,ＩＢＡＤ技术仅能制备部分非晶化的薄膜。     

低温缓冲层对金刚石衬底上GaN的沉积作用

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术,以自支撑金刚石厚膜作为衬底,改变缓冲层参数条件,低温沉积氮化镓(Ga N)薄膜材料。实验结束之后,利用反射高能电子衍射、X射线衍射和原子力显微镜系统性对实验制备的薄膜样品进行测试分析,探究引入低温缓冲层与无缓冲层以及改变缓冲层沉积温度对Ga N薄膜质量的影响。结果表明,低温缓冲层的制备,对后续的薄膜样品沉积制备起到减小晶格失配的作用,而且低温缓冲层沉积温度在100℃时,沉积制备的薄膜样品呈高度c轴择优取向,结晶性较好;薄膜表面平整。     

Ni－Cr衬底上MOCVD法制备YSZ过渡层的研究

用ＭＯＣＶＤ方法在柔性金属衬底上沉积超导膜是潜在的实用高温超导成材方法。用适当方法原位快速地制备有择优取向的防扩散过渡层是其中的关键。本文报导用有机源Ｙ（ｄｐｍ）_３和Ｚｒ（ｄｐｍ）_４，采用ＭＯＣＶＤ方法在Ｎｉ基合金衬底上沉积了Ｙ稳定的ＺｒＯ_２立方相过渡层，厚度约０．５μｍ。文中研究了氧分压和沉积温度对ＹＳＺ结晶和择优取向的影响。结果表明，在生长压力为１３０Ｐａ时，氧分压低至２０Ｐａ，制备出（１１１）取向为主的ＹＳＺ多晶膜，氧分压为５０～１００Ｐａ，则制备出（ｈ００）择优取向为主的ＹＳＺ膜。衬底温度太低，将导致ＹＳＺ膜质量变差。     

用电泳沉积-电沉积联合法制备二氧化锆(YS Z)薄膜

先用电泳法在掺锶锰酸镧（La0.8Sr0.2MnO3-LSM）基片沉积一层钇稳定二氧化锆（yttria-stabilized zirconia-YSZ)薄膜,在烧结后的电泳薄膜上进行若干次电沉积和烧结。以封堵薄膜中孔隙进行。上述联合法综合了电泳沉积薄膜附着力强,烧结时不龟裂的优点和电沉积薄膜的颗粒细,易烧结性的优点,较好地解决了电化学沉积膜难以烧结致密的问题。制备出的薄膜致密性高,厚度为8～14um。     

Si基ZnO缓冲层溅射Ga2O3氨化反应生长GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在Si（111）衬底上先溅射ZnO缓冲层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在开管炉中分别以850℃,900℃,950℃和1 000℃等温度及常压下通氨气进行氨化,反应生长GaN薄膜.利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构,并且随着氨化温度的升高,GaN向棒状和线状形态生长.     

在Ag基体上用MOCVD法连续制备YBCO超导带

用ＭＯＣＶＤ法在Ａｇ基体上以－１５ｃｍ／ｈ的带速连续制备ＹＢＣＯ超导带，在８００－８５０℃之间沉积的样品均呈强裂ｃ－轴取向；而在７５０－８００℃间，ｃ－轴取向明显减弱，前者为不规则排列的大片状晶结构，而后者为不规则排列的小棒状晶和发育不育的片状晶，或者为小粒状晶集，所制亲品的Ｊｃ（７８Ｋ，ｏ）一般在０．５－１×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２之间，最好的达到１．４×１０＾４Ａ／ｃｍ＾２。     

纳米ZrO2缓冲膜的性能研究

用溶胶－凝胶技术,在金膜与基体不锈钢箔之间制备了一层ＺｒＯ２缓冲膜。在前期研究工作的基础上,通过ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＳＥＭ等测试手段对ＺｒＯ２缓冲膜的结构及性能进行了表征。结果表明,溶胶－凝胶法制备的ＺｒＯ２缓冲肛螈粒度尺寸为纳米级;８５０℃处理后,没有涂覆缓冲膜的蒸金不锈钢箔与金膜之间存在着严重的互扩散反应,缓冲膜的涂覆可以有效地抑制高温互扩散反应。带有缓冲膜的蒸金不锈钢箔在高温热处理后仍能保持清晰     

金刚石薄膜CVD制备方法及其评述

较系统地介绍了低压下化学气相合成(CVD)金刚石薄膜的主要方法 ,并对各种方法的优劣作了简要的评述     

热处理温度对铁电薄膜底电极Pt和Pt／Ti物相与形貌的影响

随着热处理温度上升，在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上溅射的Ｐｔ、Ｐｔ／Ｔｉ电极中，构成Ｐｔ薄膜的晶粒由小变大，由分布均匀到晶粒局部聚集，最后分离成小岛。Ｔｉ层可提高Ｐｔ薄膜与基片间的粘附性和高温下的稳定性。快速热处理可提高Ｐｔ薄膜在高温下的连续性。并研究了Ｐｔ薄膜对ＰＬＴ铁电薄膜的成品率和分散性的影响。     

Epitaxial Growth of CeO<Subscript>2</Subscript>/YSZ/CeO<Subscript>2</Subscript> Buffer Layers on Textured Ni Substrates for YBCO Conductors

CeO₂/YSZ/CeO₂ buffer layers were deposited on textured Ni substrates byin situ pulsed laser deposition. The out-of-plane texture and in-plane texture of the buffer layers were characterized by X-ray diffraction ω-scans and ϕ-scans. Using this CeO₂/YSZ/CeO₂ architecture as the buffer layers, high quality YBCO films with a zero-resistanceT _c about 90 K and a self-field critical current densitiesJ _c above 10⁶ A/cm² at 77 K can be obtained on Ni substrates.