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电极边缘效应对ZnO压敏电阻片通流能力的影响 总被引:5,自引:4,他引:1
发现并研究了电极半径r与瓷体半径R之比r/R对ZnO压敏电阻片耐受2ms方波电流冲击能力的作用规律.利用平面电阻网络和立体氧化锌压敏电阻器网络,实验模拟了r/R对电极边缘电流密度分布的作用规律,研究结果表明增大r/R能使电流密度均匀化,因而能增强ZnO压敏电阻片的通流能力。 相似文献
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对 Zn O压敏电阻片生产过程中因造粒混合不均匀 ,烧成时温度气氛的差别 ,匣钵密封不良等因素 ,造成电阻片微观结构不均匀进行了研究 ;针对少数电阻片漏流超标 (大于 30μA) ,其老化性能也差的情况 ,提出了一种对漏流超标的电阻片进行特定热处理和低温热处理方法 ,使漏流降低 ,各项电气性能均得到了改善 相似文献
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研究了不同NiO含量对ZnO基压敏电阻微观结构、相组成电学性能的影响.结果 表明,掺杂合适含量的NiO能够有效的改善ZnO基压敏电阻的电气性能,这可被归因为NiO的掺杂能够调整ZnO的晶粒取向,从而使ZnO压敏陶瓷形成了更加均一的显微结构.CE5样品(NiO摩尔分数为1.55%)具有优秀的综合电气性能,其电位梯度为184.00 V/mm,非线性系数α为72.7,漏电流为0.45 μA,在20 kA和30 kA下的压比分别为2.20和2.38.此外,在20组20 kA及2组30 kA脉冲浪涌电流冲击后,CE5也仍然显示出最优的电气性能. 相似文献
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提高ZnO压敏电阻片电位梯度的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
为了进一步提高ZnO压敏电阻片的电位梯度和能量耐受能力,研究了添加剂复合粉体的颗粒度、烧结温度和保温时间对电阻片电位梯度和能量耐受能力的影响。采用细度为(0.4~0.6)μm的添加剂,在1 120℃保温5h,φ56mm的电阻片电位梯度可达(3.2~3.5)kV/cm;在传统添加剂细度的基础上,烧结温度为1 200℃,保温5h可获得梯度为(1.7~1.8)kV/cm,方波为800A的大容量电阻片。从传统电位梯度和高梯度电阻片显微结构分析中得出,晶粒细小化是提高电位梯度的重要途径。尖晶石是晶粒生长的钉扎中心,可以抑制晶粒过分长大,控制尖晶石的颗粒大小、均匀分布是控制和促使ZnO晶粒均匀细小化的关键。 相似文献
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ZnO压敏电阻片残压比与微观结构参数的关系 总被引:4,自引:3,他引:1
实验研究了厚度d 对ZnO压敏电阻片残压比Kr 的影响规律, 表明残压比同样存在几何效应;实验还表明残压比Kr 随电位梯度E1m A成反比例下降,随平均晶粒尺寸μ的增大而增大; 找到了一个综合微观结构参数 平均晶粒尺寸μ和晶粒尺寸方差σ2 的乘积(σ2μ), 能较好地反映电性能与微观结构参数的关系。提出了计算机模拟微观结构模型,并用计算机模拟了残压比Kr 和厚度d、Kr 和平均晶粒尺寸μ以及Kr 和乘积σ2μ的关系, 模拟结果与实验结果基本一致 相似文献
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研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌(ZnO)压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响.研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小.而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流.此时掺杂量在0.5%(摩尔分数)Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15 μA/cm2、非线性系数28.该研究可帮助氧化锌压敏电阻优化配方,增强电气性能,改善电力系统的安全稳定性. 相似文献
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侧面有机绝缘保护材料及绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了侧面有机绝缘保护材料涂覆厚度和绝缘层形状对ZnO压敏电阻片脉冲闪络特性的影响,研究结果表明,增大绝缘保护层厚度,尤其是端部绝缘层厚度,可以有效地提高ZnO压敏电阻片的沿面脉冲闪络电压和电流。聚酯改性有机硅树脂B的绝缘保护效果优于聚酯型聚氨酯漆A。 相似文献
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ZnO压敏电阻片的基础研究和技术发展动态 总被引:10,自引:8,他引:10
从非欧姆导电机理、老化机理的深化和完善、功能微观结构作用和控制、粉料预处理和制造技术等方面对zno压敏电阻片的基础理论研究进行了概括;并指出,从技术发展动态看,主要是降低残压比、提高单位体积的能量耐受能力、提高压敏电位梯度、提高长期老化性能。 相似文献
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研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构,电学性能的影响。微观结构上,掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长,并使得尖晶石数量增多,尺寸减小;电学性能上,因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流,降低了非线性,提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时,压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。 相似文献
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干燥制度对ZnO压敏电阻片复合添加剂颗粒团聚的影响 总被引:5,自引:3,他引:5
对采用籽晶分步包膜技术制备氧化锌压敏电阻片粉体所获得的添加剂复合粉体前驱体聚沉物的干燥分解过程进行了研究。提出了采用“半干”干燥技术处理聚沉物的思路,试验证明聚沉物经清洗净化“半干”处理,即半干状态(水分约20%~30%)直接煅烧分解,可以获得无团聚或弱团聚的添加剂氧化物复合粉体颗粒;煅烧分解温度与其颗粒细度密切相关,得出(600~650)℃下煅烧分解效果最佳。由此得到的添加剂氧化物复合粉体与ZnO混合烧成所得压敏电阻片的电位梯度约(2郾1~2郾6)kV/cm和能量耐受能力提高近1倍的优异性能。半干思路与技术为解决湿法制备粉体,避免颗粒团聚尤其是避免形成硬团聚提供了一条新途径。 相似文献
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ZnO电阻片电气性能的提高对金属氧化物避雷器的运行可靠性起着重要的作用。采用振动磨加搅拌球磨及行星高能球磨工艺后,ZnO电阻片的烧成体积密度提高了0.97%,梯度提高了约30V/mm,U5kV/U1mA降低了0.1左右,600A/2ms方波全部通过。采用药膜04作为粘结剂,优化了成型粒料匹配,流动性提高了39s,坯体的微观结构均匀,ZnO电阻片方波通过率有所提高。应用纳米材料于有机绝缘层中,D5ZnO电阻片的筛选合格率从92.3%提高到98.5%,D6ZnO电阻片的筛选合格率从91.2%提高到98.3%,D7ZnO电阻片的筛选合格率从90.1%提高到97.8%。4/10大电流耐受能力也明显提高,!30ZnO电阻片4/10大电流耐受能力达65kA。 相似文献
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采用高能球磨的方法制备了ZnO和添加物(MnO,Sb2O3,CoO,Cr2O3,Bi2O3)的前驱超细粉体,采用固相反应烧结技术在1 140℃进行2 h烧结制备出ZnO陶瓷变阻器。用SEM,XRD研究了不同退火温度对ZnO压敏陶瓷的显微形貌、相结构,伏安非线性特性和微观电性能的影响。从阻抗分析,激活能和介电损耗与频谱关系分析证明了600~800℃热处理时晶界由于β-Bi2O3向γ-Bi2O3的相变引起的体积膨胀而变宽,导致晶界电子陷阱浓度降低,从而使得势垒高度下降,漏电流增加。 相似文献
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烧成气氛对氧化锌压敏电阻器电性能的影响 总被引:4,自引:2,他引:2
在氧化锌压敏电阻器Zn-Bi系配方中,根据电性能的需要几乎均存在着大量的低熔点物质,如Bi2O3、Sb2O3、B2O3等,在高温烧结过程中,由于低熔点物质的挥发,造成产品性能的劣化。本文通过对烧成气氛的研究,提出了解决该问题的方法,改善了产品的一致性 相似文献
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电子系统中感应雷的防护 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了电子设备、精密仪器可能遭受感应雷击的几种形式。提出了把屏蔽线两端接地或把屏蔽线一端接地,金属包层两端接地的方法对系统防雷很有效果,但根本解决轩的办法是使用信号防雷器。 相似文献
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研究了 Al2 O3预掺入氧化锌半导体材料中对压敏特性的影响 ,阐述了Al3+进入氧化锌晶格中引起其电性能的变化。说明 Al2 O3的掺入对氧化锌非线性电阻片是不可缺少的 ,并在理论上做了简要分析。 相似文献
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为改善ZnO电阻片综合电气性能,尝试一种马来酸酐及聚氧丙烯烷基醚作为结构单元的共聚物做分散剂,考察了其对料浆分散性、压敏电阻显微结构与综合电气性能的影响.结果 表明:分散剂用量为0.4 wt%时,总浆料的粘度较小,Zeta电位绝对值最高,得到的氧化锌瓷体的针孔率最小,ZnO高梯度氧化锌电阻片综合性能最佳,其电位梯度为336 V/mm,漏电流1μA,非线性系数达到55.9,压比为1.667,2 ms方波电流测试中能够承受18次300 A脉冲电流的冲击. 相似文献