半导体发光二极管行业现状与展望

本文介绍我国半导体发光二极管行业的技术、应用、生产和市场，并对如何发展我国发光二极管行业提出了建议。     

半导体量子点集成有机发光二极管的光光转换器进展

介绍的光光转换器是新型红外光-可见光转换器件,红外光产生的光生载流子直接注入有机发光二极管产生可见光。以半导体红外探测与有机发光器件单片集成的光光转换器,直接实现了红外光到可见光的集成转换,在红外凝视技术中有极大的应用潜力。综述了无机红外探测与有机发光的光-光转换器的研究进展。     

半导体光放大器

最近几年，随着光通信网络的数据通信容量的不断增加，在高速化、长距离化的实施过程中，波分复用(WDM)技术起到了很大的作用。当然，WDM也得到了掺铒光纤放大器(EDFA)的有力支持。不过，由于扩大传送容量的需求仍在猛增，仅靠工作在C波段(1525～1565nm)的EDFA的WDM已不够用。所以，光     

半导体光放大器型波长转换器及其小信号分析

本文重点讨论了一种新型的全光器件－波长转换器。从物理概念上分析了它的原理，并且在理论上进行小信号分析，得出有益的结论：当两束光同时入射半导体光放大器，若一束光有变化，会对另一束光进行不同程度的调制，这仅仅表征在幅度与相位上的变化。     

廉价的发光二极管信号显示器

本电路在输入信号电压逐渐增加的过程中，将5个彩色发光二极管逐发光点燃，形成线性的显示。     

便携式太赫兹辐射器光泵浦源

为在太赫兹波段的遥感生物探测预警雷达系统、光电对抗、成像探测以及高速通信提供小型野外使用的军用全固态紧凑太赫兹辐射器,研制了一种小型便携式太赫兹辐射器的光泵浦源,采用了无热电制冷器(TEC)温度控制的二极管泵浦Nd:YAG固体激光,激光输出能量150 mJ,脉冲宽度最小6 ns,激光重频最大30 Hz,激光束散角最小约1 mrad。用这样的泵浦源进行光泵浦TPO-THz,产生的1.63 THz波的单脉冲能量为2.98 μJ,对应的THz波能量转换效率为1.92×10-5。     

有光反馈的半导体激光器大信号SPICE电路模型

为了使半导体激光器的电路级模拟更容易，本文建立了一个有光反馈的半导体激光器大信号SPICE模型，并对激光器的开启延时、张驰振荡和稳定时的光功率与光纤到激光器发光端面的距离及反射光功率大小间的关系进行了研究．     

半导体聚合发光二极管的结特性研究

本文报道用旋转镀膜工艺制备的半导体聚合发光二极管及其半导体聚合物与电极接触形成的结特性的研究．     

半导体光放大器

1　前言　　光纤放大器具有优异的放大特性 ,现已达到实用化水平 ,它给最近波分多路传输技术的发展等光通信系统的构成带来了很大冲击。随着半导体激光器的高性能化 ,对半导体光放大器进行了基础研究[1 ] 。从半导体激光器所具备的特征来看 ,即可以采用电流注入激励和小型化等 ,迫切期望半导体光放大器向高性能化发展。虽然目前还存在着与光纤的耦合、串话、偏振波依赖性、噪声等问题 ,但是目前已在热烈地讨论它与光开关、调制器、激光器等其它半导体光器件单片集成化的可能性 ,以及利用放大器的宽带宽、或者半导体光放大器所具备的大非线性…     

有光反馈的半导体激光器大信号SPICE电路模型

为了使半导体激光器的电路级模拟更容易,本文建立了一个有光反馈的半导体激光器大信号SP CE模型,并对激光器的开启延时、张驰振荡和稳定时的光功率与光纤到激光器发光端面的距离及反射光功率大小间的关系进行了研究.     

光泵用大功率半导体激光器列阵

本文报导工作波长适合于泵浦掺Nd固体激光器的GaAIAs/G&As激光锁相列阵。采用氧化物掩蔽和Zn扩散条形结构工艺,获得了十单元列阵器件。其工作波长为809±5nm,输出功率大于200mW。已用于Nd∶YAG和Nd玻璃激光器的泵浦。     

半导体激光双稳态光信号放大和处理

利用光纤耦合输出反馈泵浦半导体激光双稳装置,实现了微分增益、双稳和零偏等三种工作模式的运转。由此完成了恒定偏置和脉冲偏置光信号放大、光脉宽压缩、限幅、整形和开关等多种光信号处理功能。光信号增益达22.5dB,脉宽可压缩25倍。     

半导体光放大器

详细介绍了半导体光放大器的结构和制造技术。重点介绍了点尺寸变换器和矩阵光开关模块。     

《半导体发光二极管用荧光粉》标准编制说明

简述了电子行业标准<半导体发光二极管用荧光粉>的编制情况,特别介绍了标准中半导体发光二极管用荧光粉的分类方法及其发光效率、温度特性、光谱性能、色品坐标等关键指标的定义、表征和试验方法.     

辅助光注入下半导体光放大器的快慢光性能

随着全光网络的快速发展,快慢光技术受到了广泛关注。为了研究半导体光放大器(SOA)的快慢光效应,文章构建了辅助光注入半导体光放大器的理论模型。比较了辅助光注入SOA前后,直流电流、调制电流、调制频率、相移以及增益系数等参数对相位延时量的影响。仿真结果表明：辅助光的注入使输出信号光由慢光变为快光,辅助光功率越强,效果越明显。同时,注入辅助光信号后,直流电流越大,相位延时量越大;调制电流、调制频率、相移及增益系数越大,相位延时量越小。     

用SHG方法测量半导体激光器超短光脉冲

利用LiIO_3晶体的倍频效应,我们成功地研制了SHG自相关测量装置,分別用于长、短波长半导体激光超短脉冲的测量。     

半导体导波空间光开关

本文论述构成未来光节点系统关键器件的导波半导体光交换器件的特性。采用半导体ＭＱＷ波导的ＱＣＳＥ制成全封装２×２和４×４光开关组件，并加以评估。这些组件能分组交换１０Ｇｂ／ｓ的光信号，并能以１／８去复用成１．２５Ｇｂ／ｓ，这些组件很有希望作为高速交换器件。     

不同的外部光反馈强度下外腔半导体激光器大信号调制特性

基于等效腔理论,计及光线在外腔中多次反馈的情况后,从理论上研究了不同的反馈强度下,外腔半导体激光器(ECSL)的大信号调制特性。数值模拟的结果表明:当外部光反馈非常强或非常弱时,调制深度在一个较大的变化范围之内,ECSL的光子数呈现单周期变化规律,且峰值光子数随调制深度呈现单调上升的趋势;当外部光反馈处于中度反馈时,当调制深度取不同值时,ECSL的光子数呈现单周期、多周期甚至混沌现象。