光控毫米波振荡器的新方法

本文提出了一种毫米波振荡器的光控新方法。与已有的方法不同,新的方法可给出正的光控频率变化。在我们的实验中,观察到了Ka波段Gunn氏振荡器150MHz的频率变化。     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只9.5GHz的介质谐振器振荡器进行实验,用硅半导体光敏材料,入射15mW红光,光控频率调谐达17.5MHz,红光功率的平均频率调谐率为1.17MHz/mW。入射5.5mW紫光,光控频率调谐达到12.3MHz,紫光功率的平均频率调谐率为2.24MHz/mW。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只９。５ＧＨｚ的介质谐振器振荡器进行实验，和硅半导体光敏材料，入射１５ｍＷ红光，光控频率调谐达１７。５ＭＨｚ红光功率的平均频率调谐率为１。１７ＭＨｚ／ｍＷ．入射５。５ｍＷ紫光，光控频率调谐达到１２。３ＭＨｚ，紫光功率的平均频率调谐为２。２４ＭＨｚ／ｍＷ。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。     

W波段光控Gunn管谐波振荡器的实验研究

本文提出了Ｗ波段Ｇｕｎｎ管谐波型光控振荡器的设计方案，该方案在振荡器的基波腔内填充本征半导体Ｓｉ片，并通过光纤将半导体激光器产生的光束耦合到Ｓｉ片，以达到光对振荡器工作频率的控制，在实验中采用波长为０．８６３μｍ的激光照射Ｓｉ片，取得了光控频率达７ＭＨｚ的结果。     

基于双基区晶体管结构的光控振荡器

采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DUBAT结构简单,与集成电路工艺兼容,成本低廉,为光控振荡器与功能电路的集成应用提供了新的实现方式.     

基于双基区晶体管结构的光控振荡器

采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DU BAT结构简单,与集成电路工艺兼容,成本低廉,为光控振荡器与功能电路的集成应用提供了新的实现方式     

混合参数高灵敏度微波GaAsFET压控振荡器的研制

介绍了 Ｃ 波段低端的 Ｇａ Ａｓ Ｆ Ｅ Ｔ 压控振荡器（ Ｖ Ｃ Ｏ）。这种振荡器采用混合参数设计技术,选用新型场效应晶体管（ Ｆ Ｅ Ｔ）反沟道电路接法。分析了电路工作原理及影响电压调制带宽的诸因素,提出并解决了一些技术难题,给出了测试结果。结果表明这种 Ｖ Ｃ Ｏ 具有较大的优越性。     

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。     

双面太阳能电池专利技术综述

本文从专利视角对双面太阳能电池的专利申请量、申请人和分类号的分布等多方面进行统计分析,总结了与双面太阳能电池相关的国内和国外专利的申请趋势、主要申请人分布以及对重点技术的发展路线进行了梳理。     

基于积累型MOS变容管的射频压控振荡器设计

随着移动通信技术的发展,射频（RF）电路的研究引起了广泛的重视。采用标准CMOS工艺实现压控振荡器（VCO）,是实现RF CMOS集成收发机的关键。过去的VCO电路大多采用反向偏压的变容二极管作为压控器件,然而在用实际工艺实现电路时,会发现变容二极管的品质因数通常都很小,这将影响到电路的性能。于是,人们便尝试采用其它可以用CMOST艺实现的器件来代替一般的变客二极管,MOS变容管便应运而生了。     

一种应用于NB-IoT芯片的压控振荡器

采用40 nm 1P6M CMOS工艺,研究与设计了一款应用于窄带物联网(Narrowband Internet of Things,NB-IoT)芯片的压控振荡器(Voltage Controlled Oscillator,VCO)。该VCO利用负反馈电路降低输出的相位噪声,通过电容减敏技术降低了输出频率相对于可变电容的敏感度,通过交叉偏置二极管技术提高了VCO增益的线性度。测试结果显示:VCO所需功耗为1.2 mW;当VCO震荡在3.49 GHz时,在偏离3.49 GHz的100 kHz、150 kHz、300 kHz、500 kHz和2.5 MHz的相位噪声的测量值依次为-92 dBc/Hz、-91 dBc/Hz、-100 dBc/Hz、-110 dBc/Hz和-125 dBc/Hz;采用此压控振荡器的NB-IoT发射机输出矢量幅度误差(Error Vector Magnitude,EVM)为7.8%,频谱辐射模板(Spectrum Emission Mask,SEM)和临近信道抑制比(Adjacent Channel Power Ratio,ACPR)均满足3GPP要求。可见,测试结果证明了所提出压控振荡器电路的有效性和实用性。     

利用I2V 正向特性提取PN 二极管主要参数的研究

研究了利用电流－电压（I－V）正向特性提取PN结二极管参数的方法，与通常使用的PN结二极管模型不同，本文模型考虑了并联电导对电流的影响，在I－V特性曲线上读取四级（V，I）值，用牛顿法对模型方程组进行数值求解，可提取出PN结二极管的主要参数：反向饱和电流，串联电阻，发射系数以及并联电导。结果表明，该方法简便，实用。     

900MHz压控振荡器设计

采用集总元件变容二极管和超高频三极管设计900 MHz压控振荡器,根据ADS2006A软件仿真确定了压控振荡器的电路参数,并对相关指标如相位噪声、调谐带宽、稳定系数、输出功率和谐波电平等进行了仿真,通过调整电路参数,优化电路结构,实现了工作频率为1 GHz、调谐带宽为90 MHz的压控振荡器,其相位噪声在偏移中心频率10 kHz处为-105 dBc/Hz,在100 kHz处为-120 dBc/Hz,该设计大大降低了系统成本.     

一种2.45 GHz低成本微带压控振荡器的设计

为了满足教学和科研的需要,基于负阻原理设计了一款工作于ISM频段2.45 GHz低成本微带压控振荡器。振荡电路采用双电源供电和共基极连接方式,利用双极性晶体管和变容二极管等分立元件制作。借助于ADS软件对电路参数及主要指标进行仿真优化,并进行了实物的加工和测试。实测结果表明,设计的压控振荡器在输入调频电压为0⁶ V时,输出振荡频率覆盖2.46 V时,输出振荡频率覆盖2.4².5 GHz,输出功率大于9.2 d Bm,相位噪声在偏离移中心频率100 k Hz处为-90 d Bc/Hz。该振荡器调谐频带线性度好,输出功率平坦度高。     

光控介质谐振器的频率调谐

本文对置于金属屏蔽中介质基片上的叠片式介质谐振器进行了分析;给出了光控频率调谐的线性理论公式和叠片式介质谐振器的谐振频率公式。这些公式可用于光控介质谐振器振荡器的理论计算和频率稳定度极高的叠片式介质谐振器的工程设计。     

增加RC压控振荡器的频率区间

典型的电压-频率转换器也叫VCO(压控振荡器),其中IC的输入电压对输出频率有一个简单的调节特性。它的一般形式为F=kV/RC,其中,RC是相关定时电阻与电容的时间常数。这些器件的输出频率范围很广,但很少有器件能够在一组     

应用于K波段使用了一种新的可变电感的20~25.5G的压控振荡器

A novel transformer-type variable inductor is proposed to achieve a wide tuning range at frequencies as high as K band. The variable inductor is designed, and an intuitive model is built to analyze its performance by HFSS. A lot of mathematical analysis is done in detail. A VCO using the proposed variable inductor is designed with TSMC 0.13 μm CMOS technology for verification. The frequency tuning range of the VCO depends on the proposed variable inductor. The phase noise of the VCO depends on the quality of the LC tank （including the proposed variable inductor and varactors）. So a specific AMOS varactor is implemented to improve its quality factor. The VCO is simulated at three typical TSMC fabrication comers （TT, FF, SS） to predict its measure results. The post simulation results shows that the VCO achieves a 20-25.5 GHz continuous tuning range. Its phase noise results at 1 MHz offset are -108.4 dBc/Hz and -100.5 dBc/Hz respectively at the tuning frequencies of 19.6 GHz and 25.5 GHz. The VCO draws only 3 to 6 mA from a 1.2 V power supply.     

光控晶闸管的集成BOD转折电压

介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能。通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能。如果集成BOD转折电压太高,不能有效保护晶闸管;若转折电压太低,则达不到光控晶闸管设计的阻断电压要求。通过计算机仿真技术和工艺实验方法,成功地揭示了光控晶闸管集成BOD转折电压与硅材料电阻率、pn结结构尺寸和温度的关系,从而精确设计了光控晶闸管集成BOD转折电压,研制了5英寸(1英寸=2.54 cm)3 125 A/7 600 V特高压光控晶闸管,并成功应用于云南-广东±800 kV/5 000 MW特高压直流输电工程中。     

压控振荡器的非线性对三阶交调的影响

三阶交调的大小表明了在一个线性系统中所包含非线性系数的大小。本实验选用TJTOS-200P来组成锁相环电路,在副载波调制过程中,输出信号中三阶交调了达到-25dBc,影响了副载波调制信号的质量。分析原因是由于该振荡器调谐电压范围很小,输出信号的载波电平很低,导致存在更多的非线性因素造成的结果。在选用线性更好的JTOS-200后,改善了三阶交调5-6dBc,解决了出现的问题。     

RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的分析

RTD与HBT是高频高速器件,共振隧穿二极管-异质结晶体管(RTD-HBT)环形振荡器有很好的应用前景.详细介绍了RTD-HBT高速低功耗环形振荡器的工作原理,建立了RTD,HBT及RTD-HBT环形振荡器的等效电路模型,并对RTD-HBT环形振荡器用Pspice模拟软件进行了电路模拟.模拟结果与预期结果一致,有助于指导该电路的设计.