ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

黄铜矿结构CuInS_2薄膜的液相可控合成及电学性能表征

以无机盐作为金属源(InCl3、CuCl以及CS2),采用溶剂热法制备CuInS2纳米粒子。利用XRD和TEM等检测技术对产物的结构、尺寸和形貌进行表征。分析结果表明,实验得到的样品为分散性良好的黄铜矿结构CuInS2纳米粒子。随后以易热解的铜铟硫金属有机前体作为成膜交联剂,采用旋涂法制备了CuInS2薄膜(厚度约为1.5μm)。进一步分析样品光电性能表明,制备的CuInS2薄膜适合作为薄膜太阳能电池的吸收层。     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnOAl2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnOAl)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnOAl薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnOAl薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

n型CuInS2薄膜的制备及特性

将高纯Cu,In和S粉末按1:0.1:1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理。研究热处理工艺对薄膜性能和导电类型转换的影响。本研究制备的薄膜经360℃,30 min的热处理,得到n型、黄铜矿结构的CuInS2薄膜,平均晶粒尺寸29.43 nm。经370℃,20 min热处理的CuInS2薄膜也呈n型,平均晶粒尺寸38.23 nm。霍尔效应测试显示上述两种n型CuInS2薄膜的导电性良好,迁移率分别为1.071 cm2/V·s和53.82 cm2/V·s。能谱分析给出,CuInS2薄膜(360℃)体内原子个数比Cu:In:S=1:1.2:1.6,S元素损失较多。CuInS2薄膜(370℃,20 min)的原子个数比为1:0.8:1.4,S和In元素的含量较少;扫描电子显微镜给出薄膜表面呈颗粒状,随热处理温度增加,薄膜表面的致密性变好但粗糙度增大,370℃,30 min热处理后CuInS2的晶相结构不变,导电类型转为p型,迁移率为1.071 cm2/V·s。     

醋酸酐处理石斛属花粉块的扫描电镜观察研究

目的:探索醋酸酐法制备花粉块扫描电镜样品的可行性。方法:采用醋酸酐分解法处理石斛属植物花粉块,经干燥喷金后制备样品,在扫描电镜下进行观察。结果:经处理后除去花粉块表面粘胶物质的干扰,使花粉粒充分暴露,有助于进一步观察其形态结构。结论:采用醋酸酐分解花粉块制备样品,对于在扫描电镜下观察研究石斛属植物花粉块的形态结构提供了一种可行的思路。     

几种新鲜生物样品的环境扫描电镜观察

应用常规高真空扫描电镜观察生物样品必须经过干燥和导电处理，但无论是采用冷冻干燥还是临界点干燥，多少都存在着一个样品缩水问题，有的生物材料如真菌菌丝和孢子、水生藻类、培养细胞、昆虫胚胎及幼虫等经处理后会产生较大的变形，无法观察到生物体的原来面貌。     

Si(111)碳化层中的SiC结晶

为采用HFCVD技术在Si（111）衬底上外延3C－SiC薄层而在Si表面首先进行碳化处理．实验样品用H2稀释的碳化物气氛进行碳化处理，热丝温度约为2000℃，衬底温度在950℃到1100℃之间．用X射线衍射、电子衍射和俄歇能谱等分析手段研究了碳化层的组分及结构，发现碳化层可由合碳硅结晶层、3C－SiC结晶层和富碳的3C－SiC结晶层组成．适当控制碳化条件可以调整3C－SiC结晶层的比例．     

对扫描电镜观察微生物样品出现磷酸盐结晶现象的改良

制备常规扫描电镜生物样品时,通常使用磷酸缓冲液来进行漂洗,其结果是容易产生结晶,沉积在样品表面.针对微生物具有坚韧的细胞壁的特性,作者使用去离子水替代磷酸缓冲液来漂洗固定液.结果显示,扫描电镜下样品形态完好,无磷酸盐结晶,提高了样品制备的成功率.     

不同晶种上ZnO纳米线的生长及紫外光电导特性

采用射频磁控溅射法在石英衬底上沉积了AZO和ITO透明导电膜,然后采用溶液化学法以两种导电膜为晶种分别生长ZnO纳米线。利用扫描电镜和X射线衍射等测试手段对样品进行表征,进而通过一种垂直测试结构,研究其紫外光电导特性的差异。结果表明:晶种对纳米线的生长起决定性作用,只有在结晶良好并且择优取向的AZO膜上才能生长出垂直于衬底且取向一致的ZnO纳米阵列,而在ITO膜上,ZnO纳米线的取向具有很大的随机性。AZO上垂直生长的纳米线紫外响应速度较快,且呈现良好的欧姆接触特性,但两种样品恢复时间都较长,分析认为是纳米线曝光面积不同和内部的缺陷、表面态等原因造成的。     

SnO2纳米棒阵列的制备及光学、场发射性能研究

采用简单的一步水热法直接在不锈钢基底上制备了不同形貌的SnO2纳米棒阵列。利用X射线衍射（XRD）,扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、 分光光度计、场发射装置对材料的结构、形貌、光致发光谱和场发射特性进行了表征。XRD结果表明不锈钢基底上制备的样品为四方晶系金红石结构。SEM和TEM结果表明不同的反应条件下都能够在基底上大面积的垂直生长单晶SnO2纳米棒阵列,但是形貌和尺寸发生了改变（A:针尖状,B:铅笔状）。室温下的光致发光光谱（PL）表明两种样品在367、392、419 nm处分别存在较强的发射峰,并且紫外光峰强与可见光峰强比值较大,说明样品的结晶质量较好。场发射测试结果表明:两种样品的场发射都是通过电子隧道效应进行的,且样品A的场发射性能优于样品B。     

退火温度对蓝宝石衬底上Mg2Si薄膜质量和光学性质的影响

采用磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了结晶良好的Mg₂Si多晶薄膜，研究了退火温度(375～475 ^oC)对薄膜晶体结构、表面形貌、拉曼光谱和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)结果表明，当退火温度为400 ^oC时Mg₂Si(220)衍射峰强度最强，样品结晶质量最好，未见明显可观测的MgO相。扫描电镜(SEM)结果表明，所有样品表面均呈现清晰可见的规则六边形，且退火温度对形貌影响较小。拉曼光谱结果显示所有样品均呈现出Mg₂Si薄膜的特征峰(256 cm^-1附近的F_2g振动模)，同时出现345 cm^-1附近的F_1u(LO)声子模，表明生成样品均为结晶良好的Mg₂Si薄膜。对薄膜光学性质的研究结果表明，随着退火温度升高，样品光学带隙先增大后减小。     

利用离子蚀刻对扫描电镜载片做亲水化处理

本文采用离子蚀刻技术,对扫描电镜的样品载片进行亲水化处理。经上述处理后的载片,可以均匀地吸附各种游离细胞,避免了样品重叠现象给扫描电镜观察带来的不便。     

应用环境扫描电镜研究野兔皮肤在不同张力状态下的显微特征

环境扫描电镜 ( ESEM)分析技术为现代许多科研领域提供了一种重要的研究手段。由于ESEM的优越性 ,其实验样品范围较常规扫描电镜的样品范围大大拓宽 ,样品不经任何处理可直接进入样品室进行观察 ,体现了自然“环境”状态 ,能够反应样品原有的微观形貌特征 ,使得原来无法进行常规扫描电镜观察的样品而应用 ESEM得以实现 ,例如可对新鲜生物样品直接进行观察。而应用常规扫描电镜对生物样品进行观察时 ,则需要对样品进行一系列复杂的前处理过程[1] ,且实验周期长。本次实验应用环境扫描电镜试验技术的优越性观察了新鲜野兔皮肤受张力时的…     

PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响

报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大。在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。     

扫描电镜分辨率测试样品——银网的改进和细节寻找

国产DX-3A扫描电镜采用银网样品鉴定仪器分辨率,同样对使用过一段时间的进口扫描电镜也可以采用银网样品检查和测定仪器的分辨率。但是在用银网样品检查分辨率时通常会遇到一个问题:很难找到一个合适而清晰的小缝。是不是没有细节和小缝呢?以我们用800目电镀铜网为基底制作的银树枝状结晶而言,不是没有细节,而是不易找到合适、边缘清楚、对比度好,能照下清晰照片的细节。同样,当使用英国银网时,也存在这样的问题。所以尽管手头有英国银网,仪器调试者也不愿使用。     

高性能硬盘基片用纳米相微晶玻璃的制备

采用X-ray衍射分析、差示扫描量热及扫描电镜等手段,研究了Li2O-MgO-Al2O3-SiO2系统中晶化剂TiO2不同添加量和晶化热处理工艺对纳米相微晶玻璃制备的影响,探讨了TiO2的晶化机理.实验结果表明:足够的TiO2含量(大于7.5%)是获得纳米相微晶玻璃的关键;TiO2含量为10.0%时,在合适的晶化热处理条件下,可制得晶粒分布均匀、数量众多、结晶分数达40%、晶粒尺寸约为80nm的尖晶石微晶玻璃,其适宜用作高性能硬盘基片.     

高性能硬盘基片用纳米相微晶玻璃的制备

采用X-ray衍射分析、差示扫描量热及扫描电镜等手段,研究了Li2O-MgO-Al2O3-SiO2系统中晶化剂TiO2不同添加量和晶化热处理工艺对纳米相微晶玻璃制备的影响,探讨了TiO2的晶化机理.实验结果表明:足够的TiO2含量(大于7.5%)是获得纳米相微晶玻璃的关键;TiO2含量为10.0%时,在合适的晶化热处理条件下,可制得晶粒分布均匀、数量众多、结晶分数达40%、晶粒尺寸约为80nm的尖晶石微晶玻璃,其适宜用作高性能硬盘基片.     

退火气氛对铝诱导a-Si薄膜结晶过程的影响

以玻璃为衬底,室温条件下采用直流磁控溅射技术制备了Glass/Al/a-Si样品.在H2,N2和空气3种不同气氛中进行了退火处理.分别采用XRD,Raman光谱和SEM研究了退火气氛对a-Si薄膜销诱导晶化(AIC)过程的影响.XRD实验结果表明:a-Si薄膜在H2气氛中400℃下经过90min的退火处理就能得到结晶较好的poly-si薄膜.Raman光谱实验结果表明:在500℃下退火处理,相同时间内H2气氛中a-Si结晶程度最好,空气气氛中结晶程度最差.这是因为高温H2退火过程中,高活性H原子能将弱的Si-Si键破坏,并与之反应形成强Si-Si键,使得薄膜结构更加稳定有序,同时能加速薄膜中氧的外扩散,促使薄膜晶化.