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量子阱半导体激光器P—I特性曲线扭折的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
小功率窄条形半导体激光器注入电流超过阈值后,其P-I特性曲线可能偏离理想的线性区,出现扭折现象,从而会严重影响激光器与光纤的耦合。本文分析讨论了出现扭折现象与器件结构的关系。通过优化激光器纵向结构设计,采用较窄的有源区,在MOCVD结构生长中用碳作P型掺杂,制造出来的未镀膜激光器在100mA注入电流下输出光功率50mW未出现P-I特性的扭折。 相似文献
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讨论了耦合双量子阱的光荧光性质,并着重对不同垒宽样品的荧光性质与激发功率的关系进行了详细讨论,分析了导带子带间弛豫过程的竞争。 相似文献
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用光伏谱方法研究了InGaAs/GaAs应变量子阱结构中各子能级间的光跃迁,并与理论计算的结果进行了比较.分析了光伏谱峰能量随阱宽与温度的变化,并讨论了光伏谱峰强度的温度关系. 相似文献
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应变层多量子阱InGaAs—GaAs的光电流谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在10—300K温度范围,用光电流谱方法研究了未掺杂的x为0.1、0.15和0.2,InGaAs层厚度为8和15nm的In_xGa_(1-x)As—GaAs应变层多量子阱的能带结构。在1.240—1.550eV光子能量范围,除11H、11L和22H激子跃迁以及GaAs的基本带间跃迁外,还观察到束缚子带到连续带的跃迁。对样品In_(0.15)Ga_(0.85)As(8nm)-GaAs(15nm),观察到11H重空穴激子的2s及其它激发态跃迁,由此得到激子结合能的近似值,约为8meV。重空穴能带台阶Q_v=0.40±0.02。应变效应使得电子和重空穴束缚在InGaAs层,而轻空穴束缚在GaAs层。 相似文献
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提出了一种新的计算双量子阱结构中电子共振隧穿时间的相干模型,理论计算与报道的实验结果基本一致.进一步的讨论表明,在有电子散射的情况下,随着势垒厚度的增加,对比度存在极大值,而与类Fabry-Perot模型的单调增加趋势明显不同. 相似文献
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报道了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱pin结构在不同温度下的光荧光谱,观察到宽阱与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系,结果表明窄阱电子的热发射是导致窄阱光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因。同时观测到宽阱轻空穴激子峰强度特环的温度依赖关系,并分析了其物理机制。 相似文献
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利用导纳谱研究了GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器的电学行为,观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现象。 相似文献
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Fu Y Willander M 《红外与毫米波学报》2002,21(5):321-326
IntroductionInfrareddetectortechniquehasbeenakeyfactorinthedevelopmentoftheinfraredtechnologyformorethan 4 0 years .Since 1970 ,semiconductorslikeInSbandHgCdTehavebeentheprincipalmaterialsforvariousinfrareddetectorapplications .Theformatoftheinfrareddetectormotivatedbysmartthermalimagingsystemchangedfromsingleelementdevicetofocalplanarrays(FPAs)inthemiddleof 80’s [1].Today’stechnologyofinfrareddetectorconcentrateslargelyonfocalplanarrays ,expeciallyforsensitive ,homogeneousandlargeformatscaledevices .HgCdTe... 相似文献
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用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子阱峰值能量有30~90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关,并得到快速退火中的互扩散系数D约为10-15~10-17cm2/s 相似文献
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报道了用光致发光光谱,吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽,不同覆盖层厚度的应变In0.20Ga0.80As/GaAs单量子阱结构的实验结果,结果理论计算,观察到GaAs覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量,应力驰豫和发光淬灭机制的影响,确定了各样品应变值和导带不连续因子Qc,并讨论了这种结构发光机制。 相似文献
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用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAS/AIGaAS量子阱结构中荧光上升时间τf和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τf,随阱宽的变化关系与宽阱时的情况恰恰相反,在窄阱中τf随着阱宽的减小而增加,归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的.同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加,这也是因为激子特性由维二维向三维转化造成的. 相似文献
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评述了半导体量子阱内子带间光跃迁的主要特性以及量子阱红外探测器的物理问题和器件结构特点,介绍了国外在此领域研究的最新进展,讨论了有关子带间跃迁和量子阱红外探测器研究的若干发展趋势. 相似文献
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对MOCVD生长的GaAs(40)/AlxGa(1-x)As(300)多量子阱结构观察到附内电子从基态到第一激发态跃迁引起的红外吸收.用Bruker红外光谱仪测量,发现了一个峰值在986cm-1(10.1μm)带宽为237cm-1(9~11.5μm)的强吸收峰,该峰位置与阱内电子从基态到第一激发态跃迁所计算的吸收峰位置基本一致. 相似文献
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提出一种新型GaAs/GaAlAs子带间光吸收的红外光电导探测机理,利用MOCVD系统进行器件材料的生长,研制了200μm×200μm的台面形式单管,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象,对器件的性能测试结果表明,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加,器件噪声比常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器低一个数量级. 相似文献