再议SOI技术和应用

本文再次介绍SOI晶圆市场,SOI晶圆制造厂商,SOI技术和SOI晶圆的应用。     

SOI CMOS器件及其应用

介绍SOI技术及其形成方法。介绍SOI CMOS器件的优点、全耗尽(FD)SOI CMOS器件的特点及其应用。     

薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二准电流模型

本文在分析薄膜全耗尽ＳＯＩ器件特殊物理效应的基础上，建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率，速度饱和以及短沟道效应等物理效应，可以描述薄膜全耗尽ＳＯＩ器件所特有的膜厚效应，正背栅耦合（背栅效应）等对器件件特性的影响。并且保证了电流，电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比，在整个工作区域（不考虑载流子碰撞离化的情况下）     

Numerical Analysis of Characterized Back Interface Traps of SOI Devices by R-G Current

SOI technology is based on the complicated fabrication process of ultra- thin siliconfilm on Si O2 insulation layer.The key of improving the performance of SOI- based devicesand circuits is to reduce the density of electron- hole reco...     

颇具竞争力的SOI硅集成技术

主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面 的优越性以及在微电子领域中的广泛应用。     

颇具竞争力的SOI硅集成技术(续)

主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面的优越性以及 在微电子领域中的广泛应用。     

SOI材料的发展历史、应用现状与发展新趋势(下)

4.SOI的应用领域4.1SOI的高端应用—8英寸和12英寸的薄膜SOI国际SOI市场95%的应用集中在8英寸(1英寸=25.4毫米)和12英寸大尺寸薄膜SOI,其中绝     

用SOI技术制作SRAM的设计考虑

引言 随着绝缘体上硅(SOI)材料的最新发展,出现了促进电路发展的良好时机。这些电路有空间应用的抗辐照存贮器、双极SOI电路,同一芯片上的双极-CMOS复合电路以及三维集成电路。随着这些器件的发展SOI在运行系统中的第一个显著应用,看来很可能是为空间应用设计的采用CMOS电路的     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

介质隔离技术的新进展

本文介绍一种成品率高，而实现全介质隔离的ＳＯＩ技术。该技术利用助粘层对硅片进行粘合，实现以单晶硅取代ＳｉＯ２一多晶硅介质隔离片中的多晶硅支撑体，避免了长时间高温淀积多晶硅过程，从而克服了随硅片直径增加而加剧的硅片翘曲形变，简化了操作，缩短了工艺流程，便于批量加工，适用于大直径硅片，其成品率亦比ＳｉＯ２－多晶硅介质隔离高出５０％，并在双极型模拟电路抗辐照加固的实际试用中取得了成品率高、电参数一致性好     

Process optimization of a deep trench isolation structure for high voltage SOI devices

In this work, the process reasons for weak point formation of the deep trench on SOI wafer have been analyzed in detail. The optimized trench process is also proposed. It is found that there are two main reasons: one is over-etching laterally of silicon on the surface of buried oxide caused by fringe effect; the other is slowly growth rate of isolation oxide in the concave silicon corner of trench bottom. In order to improve the isolation performance of deep trench, two feasible ways for optimizing trench process are proposed. The improved process thickens the isolation oxide and rounds sharp silicon corner at weak point, increasing the applied voltage by 15-20V at the same leakage current. The proposed new trench isolation process has been verified in foundry’s 0.5-μm HV SOI technology.     

SOI集成电路的ESD保护技术研究进展

近年来，随着SOI技术的快速发展，SOI集成电路的ESD保护已成为一个主要的可靠性设计问题。介绍了SOI ESD保护器件方面的最新进展，阐述了在SOI ESD保护器件设计和优化中出现的新问题，并进行了详细的讨论。     

形成SIMOX结构的PIII新技术的研究

本文报道了一种形成ＳＩＭＯＸ结构的等离子体浸没离子注入（ＰＩＩＩ）的新技术．与传统的离子注入相比，这种新技术具有高离子束流，大面积离子注入，极短的注入时间和低成本等优点．实验中，衬底硅片浸没在高离子密度的氧的等离子体中．在衬底所加的负高压的作用下，氧离子直接注入硅片之中．我们研究了ＰＩＩＩ的工艺条件，用ＰＩＩＩ制得了具有２０到５０ｎｍ厚的顶层硅层和２０到５０ｎｍ厚的氧化硅埋层的超薄ＳＩＭＯＸ硅片，并用ＲＢＳ、ＸＴＥＭ等技术对样品进行了测试．     

适合制作SOI结构的多孔硅技术

SOI(绝缘体上硅)衬底适合用来制作高性能器件。在制作SOI衬底方面最有前途的技术是那些以多孔硅氧化为基础的技术。多孔硅具有一系列独特的材料性能,适用于各种不同的SOI加工技术。     

先进制程导入SOI晶圆代工厂布局暗潮汹涌

随着微处理器（CPU）、游戏机芯片（GPU）制程对SOI技术需求愈来愈强，SOI已成各大晶圆代工角逐核心客户青睐的武器。台积电、联电都不敢轻忽先进制程以下导入SOI技术大量生产的重要性，新加坡特许半导体（Chartered Semiconductor）则抢先在90nm制程中采用IBM授权，赢得微软（Microsoft）XBOX 360 GPU订单。据传，台积电正评估未来45nm制程，争取代工CPU的可能性，未来更积极取得SOI技术势在必行。     

深耗尽SOI MOSFET的短沟道效应

用二维分析模型和计算机模拟研究了深耗尽绝缘层上硅MOSFET中的短沟道效应。通过耗尽膜的垂直电场对穿过源和漏区的水平电场有很大的影响,减薄硅膜的厚度就可以大大地削弱短沟道效应。