固态化改造过程中应注意的问题

近几年大功率晶体管在电视发射机功率放大器上的应用和技术日渐成熟,基于大功率晶体管技术的固态化功率放大器逐渐被认识和接受,并以结构简单、工作稳定、损耗低、维护量小而深得广大技术人员的青睐.     

西屋公司推出SiC大功率晶体管

西屋公司推出ＳｉＣ大功率晶体管据ＳｅｍｉｃｏｎｄＩｎｔｌ１９９６年第６期报道，西屋电子公司推出一种基于ＳｉＣ晶体管的，这种大功率管可用于高清晰度电视（ＨＤＴＶ）广播的新一代数字发射技术。据该公司介绍，这种５００Ｗ晶体管被用于１．５ｋＷ功率放大器组件...     

一款应用于Wi-Fi 6E设备的GaAs HBT功率 放大器

针对WIFI 6E频段的设备需求,设计了一款工作在5.9 GHz～7.2 GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构,采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明,在5.9 GHz～7.2 GHz频段内,功率放大器增益>27 dB,输出饱和功率>1 W,附加效率>24 %,芯片面积：1.24 mm×1.27 mm。     

采用MOS场效应晶体管的VHF高功率放大器

一、前言甚高频发射机用的固体化功率放大器必须要求高稳定、高可靠和维修检测方便。作为放大器件,至今主要还是采用大功率的双极型晶体管。近十多年来,这种管子的输出功率逐步提高。目前,输出功率300～800W的固体化功率放大器已投放市场。由于这种双极型晶体管有以下特性:(1)低电压、     

采用SIT的固态调幅无线电发射机

<正> 为了保证调幅无线电稳定地发射、有效地工作以及广播设备的保养,日本广播公司(NHK)正采用全固态发射机来代替普通的、真空管发射机。这种发射机采用场效应晶体管(FET)作为功率放大器。为了适应输出功率等于或大于20kW的大功率发射机的需要,NHK同Tokin两公司联合研制了一种用于高频大功率广播的THE-51静电感应晶体管(SIT)。NHK把这种SIT用于本财政年度制造的20kW AM无线电发射机上,并将用于1989年生产的100kW发射机上。     

大功率固态微波脉冲功率放大器的CAA

本文介绍了用微波计算机辅助设计软件仿真分析大功率固态微波脉冲功率放大器的两方面的工作,且重点描述了这两种方法的几个关键技术,包括晶体管参数的推算、元件参数对电路参数的影响、建立晶体管的模型、灵敏度分析、公差分析等等。并用惠普公司的微波计算机辅助设计软件——HPADS软件分别对50W的脉冲功率放大器电路和110w的脉冲功率放大器进行了分析,得到了满意的分析结果。     

语音放大电路的设计与实现

设计了一款低成本、大功率的语音放大器。该设计采用带通滤波电路对输入的音频信号进行处理,专业音频放大芯片NE5532对语音信号进行初级功率放大、三极管和大功率晶体管2N7300组成后级功率放大后推动扬声器。通过测试,该语音放大电路可以提供40 W的功率,远大于普通家用语音功率放大器,而且成本又远低于专业语音功率放大器,完全满足需要。     

用于无线电发射机的射频功率放大器

发明背景本文发明的射频功率放大器是其元件均以特定的相对位置构成立体方位的射频功率放大器。射频功率放大器过去一般是用电子管做为放大器的有源元件,虽然这种电子管放大器的设计和安装较为容易,且能工作于高频和提供大功率输出信号,但这种电子管功率放大器一般是体积庞大,重量重而且效力差。对于需要重量轻和体积小的装置,例如便携式无线电发射机则常常采用晶体管射频功率放大器。到目前为止,这种晶体管功率放大器对减小电路体积和小型化极为有利,且各元件互相靠近造成的元件间干扰问题也得到了改善。对元件进行     

一种超高频大功率放大电路匹配网络的设计方法

随着电子工业的发展,目前,越来越多的单位正在研制晶体管超高频大功率放大器,并且对高频率和大功率提出了更高的要求。大家知道,超高频大功率放大电路匹配网络的设计计算已经成为研制超高频大功率放大器的成败关键。目前,对于高频大功率放大电路匹配网络的设计大致采用下面三种方法. (1)在用计算机直接设计电子电路还未得到推广应用的条件下,人们不得不根据晶体管高频等效电路,在数学分析和解算的基础上,进行复杂的计算,多次重复,最后导出电路的各元件参数,并由实验调试修正。 (2)参考选取与设计要求相类似的电路,在实际的试验工作中,一边调试,一边确定电路的各元件参数。 (3)在已知晶体管特性参数的条件下,借助于阻     

基于MOS晶体管的低频功率放大器设计与实现

功率放大器是＂电子技术＂课程中一个重要内容。本文结合第九届全国大学生电子设计竞赛,介绍了一种由分立的大功率MOS晶体管实现的低频宽带功率放大器系统设计。该系统由阻抗匹配电路、前置放大电路、低通滤波电路、带阻滤波电路和功率放大电路组成。测试结果表明设计满足指标要求。     

声频功率放大器耐用性要求及其改进方法

声频功率放大器耐用性要求及其改进方法白幸园，郑玉亭，王宝琴随着音响需求的发展，大功率晶体管及集成电路声频功率放大器越来越得到广泛地应用。为了保护功率放大器（以下简称功放），提高整机的安全可靠性，最近开始贯彻实施的行业标准ＳＪ／Ｔ１０４０６《声频功率放...     

选择D类放大器

<正> 末级(输出级)晶体管工作于开关状态是 D 类放大器的基本特征,效率高是 D类功率放大器的主要优点,主要缺点是需要大功率的高速开关晶体管(曾经很贵)。D 类放大器蛰伏的时间超过40年,随着硅集成技术和与 D 类放大器相关的电路拓扑、信号处理、功率高速器件技术(VMOS 为代表,详见下文)的日臻成熟,     

高频大功率MOS场效应晶体管

设计和制造了一种高频大功率N沟MOS场效应晶体管,它适合用作甚高频(VHF)电视发射机的音频功率放大器。获得了130伏那样高的漏-源电压,在栅-源电压为20伏、漏电流为3A时其导通电阻为0.3Ω。为满足甚高频的工作频率,MOS场效应晶体管漏-源间反馈电容设计为0.8pF。这种MOS场效应晶体管在250MHz满意地工作,功率增益为7dB。     

Ku波段200 W GaN功率放大器的设计与实现

研制了一款工作在Ku波段的大功率GaN功率放大器,功率放大器采用4个栅宽为9.6 mm的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）进行功率合成,总栅宽为38.4 mm。以提取的小信号S参数和大信号负载牵引结果为依据,采用ADS仿真软件进行匹配电路仿真设计。该GaN功率放大器在14.5～15.0 GHz频率范围内的输出功率（Pout）大于200 W,功率增益（Gp）大于7 d B,最高功率附加效率（ηPAE）达到43%。     

卫星广播电视地球站固态高功率放大器性能分析

随着微波半导体晶体管技术、新型材料的发展,固态高功率放大器的功率模块也从砷化镓场效应晶体管发展为氮化镓场效应晶体管,本文介绍了固态高功率放大器的基本原理,对采用砷化镓和氮化镓技术的两类固态高功率放大器的主要技术指标进行了比较.     

输出级大功率晶体管的保护电路

在采用晶体管的电子设备中,许多电路的输出级,如晶体管扩音机的低频功率放大器、电视机中的视频放大器和扫描电路等的输出级,为了提高功率输出,就要选用较高的电源电压和较大的工作电流,使管子处于极限工作状态并保证输入信号足够大。这样一来,大功率输出管被损坏的可能性远比在其它状态下运     

Ku波段GaN大功率高效率功率放大器MMIC

采用0.25μm栅长GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款Ku波段高输出功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。在器件结构上,通过优化场板尺寸参数提高器件的击穿电压,提升了其静态工作电压。在电路设计上,优化匹配结构以实现输出功率和效率的最佳匹配。测试结果表明,在14～16 GHz,功率放大器MMIC实现了饱和输出功率大于100 W,功率附加效率大于40%。该48 V Ku波段GaN功率放大器MMIC具有高电压、大功率、高效率的特点,具有广阔的应用前景。     

一种大功率脉宽调制功率放大器的设计

本文详细介绍了一种大功率脉宽调制功率放大器的设计思路和设计方法,重点阐述了这种大功率脉宽调制功率放大器在研制过程中遇到的技术难点和其解决的方案。     

东芝大功率音频对管的选择（上）

在功率放大器中,最直接地影响整机音色的器件可能非末级大功率管莫属。就大功率晶体管而言,市面上最多见的莫过于日本东芝（Toshiba）品牌的三极管。这倒不是说东芝管一定最好,而是因为有很多发烧友喜欢用它,所以决定了其拥有较大的市场占有率。当然,东芝管之所以会有这么多的“粉丝”肯定是有其独到之处的。     

基于电源调制的L波段高性能GaAs HBT功率放大器

介绍了一种基于GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺、电源调制的高峰均比、高功率附加效率L波段功率放大器芯片，可满足多载波聚合、大容量通信系统的要求。从器件层面控制基极表面复合、寄生电阻和电容，实现低膝点电压、跨导均匀的晶体管；在电路层面采用自适应偏置电路和谐波调谐等提升线性和功率附加效率。该放大器采用前级驱动加末级输出、驱动比为1∶6的两级晶体管架构和高低通搭配的匹配电路。测试结果表明，在5 V偏置电压下，该功率放大器的饱和输出功率大于35 dBm;在大功率回退时(8 dBm),增益变化小于2 dB,功率附加效率指标达到50%;对于调制带宽为25 kHz的16进制正交振幅调制(16QAM)通信系统，邻道功率比小于-38 dBc@27 dBm。