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硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
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高T_cPTC陶瓷材料的配方研究 总被引:2,自引:1,他引:1
选用国产原材料,在(Ba0.3Pb0.7)TiO3+4%AST+0.08%Mn(NO3)2材料中,添加(0.2~0.4)%(Nb2O5+Y2O3)+0.2%BN+(3~5)%CaTiO3(全为摩尔比)。采用传统陶瓷工艺,经1150℃适当烧结,可获得ρ25c≤104Ω·cm,Tc≥380℃,ρmax/ρmin≥103,Vb≥650V的实用高TcPTC陶瓷材料。 相似文献
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用新的催化CVD法在约350℃的低温条件下研制出了a-Si薄膜。本文是利用催化剂,使SiH和H2混合气体在一定温度下反应而裂解,在衬底上沉积a-Si薄膜。所制出的a-Si膜膜具有良好的光电特性,光电灵敏度超过10^6,电子自旋密度约2.5×10^6cm^-3。 相似文献
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文章介绍了一种双频切换,低相噪介质稳频振荡器(DRO)的设计方法。运用微波CAD设计的C波段DRO,其相位噪声可达到-72~-75dBc/1Hz/1kHz,最佳为-80dBc/1Hz/1kHz;输出功率大于20mW;推频系数小于100kHz/V;可在-20℃~+55℃工作。 相似文献
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在小信号S参数基础上,提出了一种宽带优化方法,设计了宽调谐、低相噪GaAsFETVCO。用该方法设计的C波段GaAsFETVCO用变容二级管调谐,其电压调谐范围在0~15V,在调谐带宽为500MHz范围内VCO的调谐线性度为1:1.5,带内相位噪声优于-82dBc(偏离100kHz处)输出功率大于20mW,功率起伏小于±1dB。 相似文献
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研制了具有约瑟夫逊效应的高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜双晶晶界结,按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测,光源是波长为0.6328μm的He-Ne激光器,系统观测了高Tc GdBa2Cu3O7-δ双晶结的光响应特性,最好的结果为:噪声等效功率NEP=4.3×10^-14WHz^-1/2,归一化探测率D^8=1.2×10^10cmHz^1/2W^-1,响应率Rv=3.5×10^7V/W, 相似文献
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《固体电子学研究与进展》1999,(4)
NEDIhasdevelopedWZB0812、WZB1218DigitalTunedOscillator.Thespecificationsareasfollows:ParameterWZB0812WZB1218Frequencyrange,min./GHz8~1212~18Digitaltuningword/bit12RFpower Output,min./dBm13 Variation/temp.coeff.max./dB·C-10.02Aux.output,min./dBm0Modu… 相似文献
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Visual新秀──Delphi司晓萍,曹雁Delphi一开始被人称为VBK(VisualBasicKiller)。因为Borland公司开始是想开发一套针对微软VisualBasic为假想敌的工具,由于Delphi是采用面向对象的开发语言Objec... 相似文献
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3.3认证数据报文举例分析 以下是在局域网上截取的以太网帧的数据,包括以太网帧头。IP包头、UDP包头,仅去掉了以太网的帧头同步序列和FCS。 ( 1) Access-Request( NAS→、RADIUS) 0.08 00 20 83 15 97 00 90 bf f7 80 00 08 00 45 00………………?……E. 以大网帧头 16.0074 52 e5 00 00 ff 11 d9 09 3d 9e 0a 17 3d 9c.tR……。 IP包头 32.0a 3b 06 6d 06 6d 00 60 45 c6 01 7e 00 … 相似文献
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本文叙述用PCVD法制备的耐瞬态核辐照光纤。光纤包层为F掺杂,纯SiO2纤芯,低OH-根含量,经核辐照后的实验结果表明,光纤瞬态峰值感应损耗最低为3.4dB/m·krad。文中还讨论了制备中的几个问题。 相似文献
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采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献