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本文用助溶剂熔盐法生长了具有高法拉第旋转角、低温度灵敏性的磁光石榴石单晶:(YBiGd)3Fe5O12(BiGd∶YIG)和(YGd)3Fe5O12(Gd∶YIG)。对所生长的单晶,经X射线和扫描电镜能谱测试,分析了结构和晶体组成。测试光吸收系数和比法拉第旋转角等磁光性能,并用分子场理论分析了晶体的饱和磁化场和法拉第旋转角随温度变化的关系。结果表明BiGd∶YIG非常适合光纤电流传感系统等一些磁光器件的应用 相似文献
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一种用于宽带温度稳定光隔离器的新型磁光材料 总被引:1,自引:0,他引:1
以Bi2O3/B2O3为主要助熔剂,用改进的高温助熔剂法生长出一种新型掺铋 事稀土铁石榴石(HoYbBi)3Fe5O12单晶,研究了磁光性能,法拉第旋转温度和波长特性在10-110℃,单昌的法拉第旋转温度系数S=θF^-1(dθF/dT)在λ=1.55μm时为4.6×10^-4K^-1,比YIG单晶的法拉第旋转温度系数小,在λ=1.55μm时,(HoYbBi)3Fe5O12单晶的法拉第旋转波长系数 相似文献
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掺Ce稀土铁石榴石单晶的制备及磁光性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用改进的助熔刑法生长块状Ce:YIG单晶,分析了它的晶体结构、测试了在近红外波段的磁光性能Ce~3+掺入铁石榴石十二面体位极大地增强了材料的法拉第旋转,在λ=0.78μm时,Y3Fe5O12晶体中每一个 Ce~3+替代 Y~3+;其F的增加量(dθF,/dx)达到 0.6×10~4deg/cm,比同量 Bi~3+替代时晶体F的增加量高2倍,在稀土铁石榴石中掺入Yb和Eu;由于其有弱的还原性,能抑制Ce~4的形成,增加 Ce~(3+)离子的替代量。 相似文献
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用溶胶-凝胶法合成了Y2SiO5:Gd,Eu红色荧光粉。探讨了烧结工艺对粉体的结构及发光性能的影响。首次报道了搀杂Gd的Y2SiO5:Eu红色荧光粉的发光性能。研究结果表明,搀杂适当浓度的Gd,可以显著提高YsSiO5:Eu红色荧光粉的发光强度,在Y2SiO5基质中,Gd^3+是Eu^3+的优良敏化剂。 相似文献
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利用DV-Xα方法分别计算了Fe^3+O^2-6和Fe^3+O^2-4原子族的能态密度和能级,在能级图的基础上,给出了0.5-0.9μm(1.6er-2.3ev)范围内Bi-YIG与吸收有关的跃迁能级,振子强度和跃迁线宽,并计算了相应的吸收谱,理论计算与实验结果符合较好。 相似文献
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本文对八种新型功能晶体Li2B4O7、Bi12TiO20、Bi12GeO20、Bi12GeO20、Bi4Ge3O12、Sr1-xBaxNb2O6(x=0.33,0.48)、LiTaO3等在130~973K范围内的比热行为及其与相变、组分之间的关系进行了实验研究,给出了比热的多项式拟合方程,并与用纽曼-卡普定律及用Wikelmann经验方程的比热计算值作了对比,为晶体比热的估算提供了依据和方法。 相似文献
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YIG及Bi—YIG薄膜材料的光吸收谱的微观机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用DV-Xα方法计算了YIG薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致光吸收的两种电荷转移跃迁。在12 ̄20cm^-1×10^3波长范围,计算出了与实验一致的吸收谱。Bi^3+离子的掺入,增大了跃迁的振子强度,其增大量与铋离子的浓度成正比。在此基础上得出的Bi-YIG的理论谱与实验谱符合得较好。 相似文献
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B12PBiF-8大功率压电陶瓷的性能及其应用崔庆,曹新民(广州市职工电子超声研究所210220)本文主要介绍BiFeO3-PbTiO3-PbZrO3这一新型的三元系统压电陶瓷(简称PBiF-8)的压电、介电性能及其在功率超声上的应用。目前,使用在功... 相似文献
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利用分步法高温固相反应合成Cd_3Al_2Ge_3O_(12)基质和Cd_3Al_2Ge_3O_(12):Mn石榴石荧光粉,给出立方晶格常数,研究材料的阴极射线发光性质。Cd_3Al_2Ge_3O_(12):Mn石榴石具有较长的黄色余辉特性,是一种抗闪烁材料。微量过渡金属杂质对锗酸盐石榴石发光产生严重猝灭作用。 相似文献
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用XRD法研究了退火Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金中α-Fe(Si)晶化相的有序化过程.结果表明,Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金在490℃,1h退火后,α-Fe(Si)晶化相是具有DO3结构的有序相,有序畴为球形,直径为7.0nm,它随退火温度的升高而长大,在590℃退火后达10.9nm,与α-Fe(Si)的尺寸相当.此时,α-Fe(Si)的有序度为0.8在850℃,1h退火后,α-Fe(Si)的DO3超点阵线条消失.在550℃等温退火时,α-Fe(Si)的DO3有序畴先为椭球状,于60min退火后形成球状,直径为10nm. 相似文献
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随着半导体二极管激光泵浦技术的发展,掺钕锗酸铋(Bi4Ge3O(12))晶体重新成为一种引人注目的激光材料.本文给出Nd:BGQ在800nm附近的光吸收和激发谱,以及106μm波段的受激发射性能.并首次测得它在1.06μm处室温Verdet常数为0.033’/cm·Gs.比FR-4磁光玻璃高27%,这意味着,Nd:BGO已成为目前唯一的激光/磁光复合功能材料.本文讨论了Nd:BGO中各类缺陷的形成机制及消除办法,通过改进工艺参数,生长出光学性质优良、Nd2O3掺入量达到1.5Wt%的晶体.利用其自身的磁光效应,研制成二极管激光泵浦、自调QNd:BGO激光器,获得100ns的稳定脉冲输出. 相似文献
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液相外延生长磁性石榴石薄膜中铋的分凝系数与生长率的关系 总被引:2,自引:0,他引:2
在Bi2O3-PbO-B2O3复合助熔剂中,采用等温浸渍液相外延技术在GGG基片的(111)面上生长了(Bi,Al):YIG薄膜。通过调整过冷度和基片转速来改变薄膜的生长速率。测量了外延膜中铋的含量。给出了铋的分凝系数的表达式,并计算了铋的分凝系 。 相似文献
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Al,Ga取代Bi:DyIG薄膜的磁和磁光特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道用热分解法在玻璃衬底上制备了Al和Ga取代的Bi:DYIG薄膜,对其磁和磁光特性做了详细研究.Al和Ga取代的薄膜均可获得好的矩形比和高的矫顽力.对于Bi1.2Dy1.8Fe5-xMXO12(M=A1,GZ)薄膜,A1和G2的最佳替代成份分别为1.0和G.7;最佳晶化温度分别为700o℃和675℃.在波长510nm附近,法拉第旋转角可达8°/um左右.光学吸收和品质因子的研究结果表明,Al和Ga取代能够影响光学吸收和品质因子,其中Ga取代对光学吸收和品质因子的影响较大. 相似文献
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采用DV-Xα方法计算了YIG薄膜的电子结构,在能态密度的基础上,得出了导致光吸收的两种电荷转移跃迁。在12~20cm-1×103波长范围,计算出了与实验一致的吸收谱。Bi3+离子的掺入,增大了跃迁的振子强度,其增大量与铋离子的浓度成正比。在此基础上得出的Bi-YIG的理论谱与实验谱符合得较好。 相似文献
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用XRD法研究了退火Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金中α-Fe(Si)晶化相的有序化过程,结果表明,Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶合金在490℃,1h退火后,α-Fe(Si)晶化相是具有DO3结构的有序相,有序畴为球形,直径为7.0nm,它随退炎温度的升颃是长大,在590℃退火后达10.9nm,与α-Fe(Si)的尺寸相当,此时α-Fe(Si)的有序度为0.8,在850℃ 相似文献
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本文用XRD和TEM研究了Fe73.5Cu1Mo3Si13.5B9非晶合金在520℃20-120min退火后形成的纳米晶结构。结果表明,晶化相为局部具有DO3超结构的α-Fe(Si),尺寸约为14nm,α-Fe(Si)晶粒由DO3有序区和序区组成。随退火时间的延长,α-Fe(Si)的体积分数,Si含量及DO3有序区尺寸增加。在退火时间为60min时,残余非晶相处于一特殊结构状态。α-Fe(Si)相 相似文献