一种新型偏置电路的CMOS亚阈型电压基准源

文章设计了一种工作在亚闽值状态下的CMOS电压基准源,分析了MOSFET工作在亚闽区的电压和电流限定条件。电压基准源可提供与工艺基本无关近似零温度系数的基准电压。为了提高电路的电源抑制比,该电路采用了共源共栅电流镜结构。该结构采用了一种新型的偏置电路．使得电流镜各级联管均工作在饱和区边缘而不脱离饱和区,提高输出电压摆幅,得到有较高恒流特性的基准电流。该电路采用0,6μmCMOS工艺,通过Spectra仿真,可工作在2V电压下,输出基准电压1.4V,温度系数为17×10^-6（V／℃）。     

CMOS亚阈型带隙电压基准的分析与设计

带隙基准可提供近似零温度系数和大的电源电压抑制比的稳定电压基准,且与工艺基本无关。文中分析了M O SFET工作于强反型区与亚阈区的电压和电流限定条件,结合自偏置电路结构,给出了一种基于亚阈区的低功耗CM O S带隙基准电路的设计。     

一种亚阈区工作的轨至轨输入CMOS运放设计

基于0.34 CMOS工艺,设计了一个Rail-to-Rail输入,静态电流小于3,工作在亚阈区的极低功耗运算放大器.采用一个电流开关和一个电流镜,并结合工作在亚阈区的互补输入差分对,保证了输入级的恒定跨导.在求和电路部分采用对称求和以及浮动电流源技术,极大的提高电路电压增益和频率极点的稳定性.同时讨论了一种设计亚阈区工作电路所采取的方法.Hspice仿真结果表明,该运放在全摆幅输入范围内,能保证输入级跨导的变化在-2%～-4%之间.     

一种亚阈型自举带隙基准电压源的设计

采用TSMC0．35μm CMOS工艺,基于对传统带隙基准电路的分析,利用MOS管的亚阈特性,设计了一种低压低功耗的带自举的带隙基准电压源。最后的HSPICE仿真结果表明了该电路具有较低的工作电压,较低的功耗和较低的温度系数。     

一种新的MOS器件亚阈区表面热分析方法

本根据ＭＯＳ器件亚阈区转移性特函数强收敛的特点，提出了一种直接利用ＭＯＳ器件转移特性确定亚阈区表面热的新方法。     

PVT恒定高精度亚阈值CMOS电压基准源

提出一种基于SMIC 65 nm标准CMOS工艺库的高精度电压参考源电路。对3种不同类型偏置于亚阈值区的NMOSFET进行了讨论,采用无电阻温度补偿对温度进行高阶补偿,可以减小对工艺、电压、温度的敏感性。仿真结果表明:在不同工艺角下,电源电压、温度使基准电压Vref的变化仅为±1.36%。电压参考源的温度系数大约为4.5×10-6℃-1,电源线性调制率为2.1%m V·V-1,最小工作电压仅为0.56 V。     

深亚微米FD-SOI器件亚阈模型

通过对全耗尽 SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似 ,求解亚阈区的二维泊松方程 ,得到全耗尽器件的表面势公式 ;通过引入新的参数 ,对公式进行修正 ,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型 ,能够很好地描述漏感应势垒降低效应 .在此基础上 ,建立了亚阈漏电流模型 ,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性 ,模型计算结果与二维器件模拟软件 MEDICI的模拟结果相符     

深亚微米FD-SOI器件亚阈模型

通过对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解亚阈区的二维泊松方程,得到全耗尽器件的表面势公式;通过引入新的参数,对公式进行修正,建立深亚微米全耗尽器件的表面势模型,能够很好地描述漏感应势垒降低效应.在此基础上,建立了亚阈漏电流模型,它能够很好的描述亚阈区的完整漏电流特性,模型计算结果与二维器件模拟软件MEDICI的模拟结果相符.     

一种低压CMOS亚阈型PTAT基准源

设计了一款工作在低电源电压且与绝对温度成正比(PTAT)的基准电路;采用衬底偏置技术、电阻分压作为PMOS放大器的输入和用工作在亚阈值区的NMOS管代替衬底PNP管三种方法,使得该电路可以在低电源电压下工作,且工作电流较小。该电路采用CSMC 0.6μm2P2 M工艺,电源电压为1.2 V、温度为0~100℃时,输出电压的温度系数为0.912 mV/K,电源电流为6.8μA;当电源电压在1.1~2.0 V变化时,室温下的输出电压是461.4±0.4 mV。     

一种新型基准电流源电路设计

模拟电路工作在低电源电压下是集成电路小型化和低功耗要解决的首要难题,而基准电流源电路是模拟电路中最常用的模块。因此,低压基准电流源电路对集成电路低功耗设计具有重要意义。描述了一种在0.13μm、1.2 V CMOS工艺下实现的基准电流源电路,后仿真结果表明,电路能够在1.2 V电源电压下工作,功耗380μW,温漂值为15×10-6·℃-1。     

一种高性能CMOS基准电流源的设计

采用温度补偿技术设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用N阱CMOS工艺实现.通过Cadence Spectres仿真和测试的结果表明,在-40～85℃的温度范围内,该电路输出基准电流的温度系数小于40ppm/℃,基准电流对电源电压的灵敏度小于0.1％.在3.3V电源电压下功耗仅为1.3mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源.     

一种电流求和型CMOS基准电流源

基于温度补偿的方法设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用0.35mm N阱CMOS工艺实现.通过Cadence Spectre工具仿真,结果表明,在-40～85℃的温度范围内,该电路输出电流的温度系数小于40×10-6/℃.在3.3V电源电压下功耗约为1mW,属于低温漂、低功耗的基准电流源.     

低静态电流CMOS电压基准源设计

为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏电流随电压呈指数关系的原理实现的.在保证低温度系数18.9×10-6℃和高精度的同时,实现了低的静态电流.仿真的结果显示其输出基准电压是1.109 V,工作电压3 V时,消耗功耗为1.2 μW.     

高精度低噪声基准电压源的设计

利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源.该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度.Hspice仿真结果表明,在0.95V电源电压下,输出基准电压为233.9 mV,温度系数为7.6...