（100）SiTiO＿3基底上YBa＿2Cu＿3O＿7／SrTiO＿3／YBa＿2Cu＿3O＿7异质外延三层膜的透射电镜观察

（１００）ＳｉＴｉＯ＿３基底上ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴｉＯ＿３／ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７异质外延三层膜的透射电镜观察郭丽萍，刘贵荣，李　林（中国科学院物理研究所国家超导开放实验室，北京１０００８０）本文所观察的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７／ＳｒＴ...     

硅上溅射BSCCO薄膜的微结构分析

重点研究了利用偏轴射频溅射的方法在Ｓｉ衬底上生长ＹＳＺ（Ｙ稳定的ＺｒＯ２）缓冲层及Ｂｉ－Ｓｒ－Ｃａ－Ｃｕ－Ｏ超导薄膜的工艺，获得了８２Ｋ的超导转变温度（Ｔｏｎ）。利用扫描原子显微镜和原子力显微镜对不同条件下生长的ＹＳＺ和ＢＳＣＣＯ薄膜进行了观察，提出了ＹＳＺ晶粒填补Ｓｉ衬底上针孔的新功能，并验证了ＢＳＣＣＯ薄膜的螺旋柱状生长机理。     

CICS Transaction Server for OS/390 1.3新版本

日前，在法国巴黎召开的交易处理与消息传递大会，世界最大的软件企业ＩＢＭ公司正式发布其世界领先的企业应用服务器新版本ＣＩＣＳＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎＳｅｒｖｅｒｆｏｒＯＳ／３９０１．３（ＣＩＣＳＴＳ１．３），新版本在原版本优势功能的基础上，致力于帮助企业用户更便捷地通过Ｉｎｔｅｒｎｅｔ和Ｊａｖａ开发电子商务应用、有效降低开发成本、缩短新产品上市周期，在应用能力、电子商务能力、企业可扩展性和企业管理这４个关键企业计算领域扩大其市场范围。在应用能力方而，ＣＩＣＳＴＳ１．３增加了支持Ｊａｖａ和ＣＩＣＳＢｕ…     

TCP／IP环境下的OSI协议栈的构建

ＴＣＰ／ＩＰ是当前广泛采用于各种网络中的一种网络体系，它是目前事实上的网络标准。ＯＳＩ则是ＩＳＯ制定的网络体系结构国际标准。从网络现状出发实现一个基于ＴＣＰ／ＩＰ的ＯＳＩ协议环境是很有意义的。本文较为详尽地介绍了该环境的实现，并给出了在ＴＰ２上ＯＳＩ高层协议实现的通用模式。     

单片机系统对开关阵列的巡回检测

文章以单片机ＭＣＳ－８０３１和可编程键盘／显示器８２７９接口芯片为核心，组成工业控制上常见的大数量开关阵列的巡回检测应用系统，文中给出了硬件设计电路和软件实现程序框图；并由此引出了一种大数量扩展中断的实用方法。     

用于1．2μmCMOS70MS／sADC阵列中的一种10位5MS／s逐次逼近ADC单元

用于１．２μｍＣＭＯＳ７０ＭＳ／ｓＡＤＣ阵列中的一种１０位５ＭＳ／ｓ逐次逼近ＡＤＣ单元＝Ａ１０－ｂｉｔ５ＭＳ／ｓｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎＡＤＣｃｅｌｌｕｓｅｄｉｎａ７０ＭＳ／ｓＡＤＣａｒｒａｙｉｎ１．２μｍＣＭＯＳ［刊，英］／Ｙ...     

电子通道技术在YBa2Cu3O7外延超导薄膜研究中的应用

本研究采用电子通道技术（ＥＣＰ）对单晶和双晶外延生长的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测，并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量；还对ＹＢＣＯ／ＣｅＯ＿２／ＭｇＯ／ＳｒＴｉＯ３的双外延薄膜作研究。     

YBCO／Y－ZrO＿2／（1120）蓝宝石多层膜超导材料的分析电镜研究

我们在具有Ｙ稳定的ＺｒＯ＿２（ＹＳＺ）层的蓝宝石上获得高质量的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７ｋ时，其临界电流密度达到１．６×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。ＹＢＣＯ膜的（００１）面平行于ＹＳＺ过渡层的（１００）表面。ＹＳＺ层厚为２０ｎｍ。并且，由于Ｂａ自ＹＢＣＯ层的外扩散，ＹＳＺ层含有Ｂａ。尽管蓝宝石与ＹＳＺ层间的晶格铅配很大，由于ＹＳＺ层具有［１００］择优取向，仍能获得准单晶的ＹＢＣＯ薄膜。在ＹＢＣＯ薄膜中，观察到均匀分布的、微小尺寸的Ｙ＿２ＢａＣｕＯ＿５（２１１相）沉淀粒子，它们也有利于提高临界电流密度。     

SAD0820高速8位A／D转换器的设计与分析

ＳＡＤ０８２０高速８位Ａ／Ｄ转换器是一种具有跟踪／保持功能的８位高速微机兼容Ａ／Ｄ转换器，其转换时间为１．５ｕｓ，功耗为７５ｍＷ，用串并结构来实现Ａ／Ｄ转换器的高速。每４位ＡＤＣ分别由１５个比较器构成；单一电源工作，采用双层多晶硅ｐ阱ＣＭＯＳ工艺制作。     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

家用网络的用户接口

本文介绍的是一种家用网的用户接口。此用户接口易被用户接受，适用灵活，以家用网络为基础，也适用于其它家用系统，如欧洲的ＥＳＰＲＩＴ ＨＯＭＥ ＳＹＳＴＥＭ ［ＥＨＳＡ９２］，美国的Ｃｏｎｓｕｍｅｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｂｕｓ（ＣＥＢｕｓ）［ＥＩＡＵ９２］以及日本的ＨＯＭＥ ＢＵＳ ＳＹＳＴＥＭ（ＨＢＳ）［ＥＩＡＪ８６］。     

多媒体通信的MHEG标准

多媒体通信的ＭＨＥＧ标准在多媒体应用时，通信的网络交换和用户各方的通信中，多种媒体之间的关系也要求有一个统一的规定，即国际标准。ＣＣＩＴＴ（ＳＧＶｌｌｌ／Ｑｇ）一ＩＳＯ—ＩＥＣ／ＪＴＣＩ／ＳＣ２９／ＷＧ１２专家组（ＭｕｌｔｉｍｅｄｉａａｎｄｈｙＰｅｒ...     

深亚微米半导体器件制造的最新工艺及设备

介绍了深亚微米（０．３５／－．２５／０．１８μｍ）半导体器件制造的最新工艺及设备，包括新一代ＣＭＯＳ工艺、ＦＯＮＤ工艺、ＰＳＭ技术、电子束光刻工艺、Ｘ射线光刻工艺、Ｃｕ互连技术和圆片老化筛选工艺及设备。     

微机的CMOS设置和故障检修（下）

微机的ＣＭＯＳ设置和故障检修（下）卞德森三、扩展ＣＭＯＳ设置扩展ＣＭＯＳ设置主要针对系统板和芯片组（ＣＨＩＰＳＥＴ），如高速缓存、影子内存、协处理器、快速人２０、内存刷新、总线及Ｉ／Ｏ时钟、奇偶校验等设置，故又称板级和芯片级的设置。这些设置一般由硬件...     

MCS—51单片机串行口扩展显示接口电路的改进

ＭＣＳ－５１单片机串行口扩展显示接口电路的改进林小平，邝榆宁在ＭＣＳ－５１单片机应用系统中，当不用串行口作通讯时可用其扩展并行Ｉ／Ｏ口（设定串行口工作在方式０，移位寄存器状态）。用于显示器接口时使用串行输人，并行输出移位寄存器７４ＬＳ１６）。每扩展一...     

Al2O3,Cu,Fe,Si,W的热物理性能

１９８５年，科学技术数据委员会（ＣＯＤＡＴＡ）公布了固体热物理性能研究小组的报告，报告分析适用数据并给出了推荐值：Ａｌ２Ｏ３、Ｃｕ、Ｗ和Ｆｅ的比热，Ｃｕ、Ｓｉ、Ｗ和Ａｌ２Ｏ３的热膨胀，Ｃｕ、Ｆｅ、Ｗ和Ｐｔ的电阻率，Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ和Ｗ的热导率以及Ｐｂ、Ｃｕ和Ｐｔ的绝对热功率。研究小组组长由Ｙ．Ｓ．Ｔｏｕｌｏｕｋｉａｎ教授担任，直至１９８１年去世后，由Ｍｅｒｒｉｌｌ Ｍｉｎｇｅｓ博士担任。自上述报告     

一种新结构闪烁A／D转换器

一种新结构闪烁Ａ／Ｄ转换器在今年２月在美国旧金山举行的“第４３届国际固体电路会议”上，日本富士通公司发表了一种新型６位２００ＭＨＺＣＭＯＳ闪烁Ａ／Ｄ转换器。电路采用独特的“交替自调零”（ＩＡＺ）结构和“输出摆幅限制比较器”（ＯＬＣ），将转换时间从７ｕ...     

双固相外延技术及高性能1μmCMOS／SOS器件的研究

本文较为详细地介绍了能有效地改善ＳＯＳ材料结晶质量的双固相外延ＤＳＰＥ工艺，给出了优化的工艺条件．通过比较用ＤＳＰＥ及普通ＳＯＳ材料制作的ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路的特性可以看出，采用ＤＳＰＥ工艺能显著改善ＳＯＳ材料的表面结晶质量，应用ＤＳＰＥ工艺在硅层厚度为３５０ｎｍ的ＳＯＳ材料上成功地研制出了沟道长度为１μｍ的高性能ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和电路，其巾ＮＭＯＳＦＥＴ及ＰＭＯＳＦＥＴ的泄漏电流分别为２．５ｐＡ和１．５ｐＡ，１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器的单级门延迟时间为３２０ｐｓ．     

多级模拟光链路级联的应用实践和指标分析

在有线电视网络向农村发展过程中经常会遇到三级模拟光链路级联的问题。本文介绍了上海有线电视网中三级模拟光纤网络在市至村联网中比较典型的应用实例，分析了该网络的Ｃ／Ｎ、Ｃ／ＣＴＢ和Ｃ／ＣＳＯ指标，提出了在当前加载频道下调整系统参数，对Ｃ／Ｎ和Ｃ／ＣＴＢ、Ｃ／ＣＳＯ进行拆衷处理，使其满足指标要求的方法，并提出了以后逐步改造的方法。     

双层CdS／CdSe光电导薄膜的制作和光电特性

提出并采用真空热蒸发技术制备了一种新型的多元掺杂（Ｃｌ，Ｃｕ）敏化的ＣｄＳ／ＣｄＳｅ双层光电导薄膜。研究了这种光电导薄膜的暗电导和亮电导、响应时间，以及光谱响应等主要光电特性与初始材料比例、掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例等工艺参数的关系。实验表明：适宜的掺杂浓度和Ｃｌ／Ｃｕ比例可使暗电导降低而亮暗电导比提高，响应时间比未掺杂薄膜的显著降低；而光谱响应特性则可以通过控制ＣｄＳ／ＣｄＳｅ之比加以优化。