微型降压式DC/DC模块LTM46OO

一般的DC/DC变换器集成电路由控制器、MOSFET开关管及一些功能电路组成.近年来,DC/DC变换器采用了同步整流技术,又集成了同步整流的MOSFET.凌特公司最近开发出一种微型降压式DC/DC模块,它不仅集成了控制器、开关及同步整流MOSFET及各种功能电路,并且还把可输出10A电流的电感器、软启动电容器做在一个贴片式IC中,外部只要接上输入、输出电容器及一个设定输出电压的电阻就成为完整的DC/DC模块电源.本文介绍这种微型DC/DC模块LTM4600及其应用电路.     

低压输入小功率DC/DC变换器的研制

文中论述了5 V输入±15 V输出的小功率DC/DC变换器的设计和批量化持续改进过程的技术总结,详细地介绍了该产品的电路、结构设计及关键问题解决,论证了厚膜混合集成DC/DC变换器小型化、批产化和高可靠的设计原则。     

轻松选择DC/DC变换器

分布式供电体制(distributed-power architectures,DPA)的盛行,极大地促进了集成DC/DC变换器的发展。本文主要讲述了DC/DC变换器在评测、对比和选型时的需要注意的问题,以协助DPA设计人员在市场上挑选出合适的产品。功率、输入和输出首先要考虑的是输入电压、额定功率以及输出电压的大小和种类。根据额定功率的大小,DC/DC变换器通常可分为超低功率(1W以下)、小功率(1～9W)、中功率(10～150W)和大功率(150W以上)等类别。大多数变换器的输入电压是12V或24V,对于那些要求输入电压可变或者输入电压不标准的场合,可以选用具有宽电源输…     

微型降压式DC/DC模块LTM4600

一般的DC/DC变换器集成电路由控制器、MOSFET开关管及一些功能电路组成。近年来,DC/DC变换器采用了同步整流技术,又集成了同步整流的MOSFET。凌特公司最近开发出一种微型降压式DC/DC模块,它不仅集成了控制器、开关及同步整流MOSFET及各种功能电路,并且还把可输出10A电流的电感器、软启动电容器做在一个贴片式IC中,外部只要接上输入、输出电容器及一个设定输出电压的电阻就成为完整的DC/DC模块电源。本文介绍这种微型DC/DC模块LTM4600及其应用电路。主要特点LTM4600是一种贴片式IC封装的降压式同步整流DC/DC模块。它的…     

军用混合集成DC／DC变换器

主要介绍双路独立输出DC/DC电源变换器的设计方案,采用该方案成功地研制出军用G类双路独立输出±15V/1.5A(45W)混合集成DC/DC电源变换器,其性能指标达到国际先进水平.     

一种55 V输出小功率DC/DC变换器的设计

介绍了一种小功率混合集成DC/DC变换器的设计思想、实现方法及测试结果。设计的电路采用光隔离单端反激式拓朴结构和混合集成工艺技术制作,输出电压为55 V,输出功率小于2W,工作温度为-55~105℃,体积为27 mm×27 mm×6.5 mm。该电路具有电压稳定、精度高、纹波小、调整率优良和可靠性高等特点,可应用于各类精密电子设备中。     

高可靠厚膜DC／DC变换器工艺研究

125℃DC/DC变换器代表了军用DC/DC变换器可靠性的最高标准,需采用厚膜工艺配套,利用浅腔式金属外壳平行缝焊封装替代平底式金属外壳锡焊封装,提高气密性（漏气率达10^-8atm.cm^3/s数量级）,克服锡焊使用助焊剂造成电路受松香污染的缺陷。阐述了高可靠厚膜DC/DC变换器所涉及的关键工艺。厚膜多层工艺。基板与底座的焊接工艺,元器件与变压器的粘接/焊接工艺,粗细（Au、Al）丝焊工艺、平行缝焊工艺。本文也介绍了封装的工艺结构,推荐的厚膜125℃DC/DC变换器工艺流程,这些工艺技术适用于高标准的厚膜混合集成功率电路,该类电路工作温度范围-55-125℃,能承受温度冲击：GJB548：1010条件C100次（-65℃-150℃）,可通过严格的军标GJB2438考核,具有很高的应用价值和工艺水平。     

一种基于GaN器件的兆赫兹DC/DC变换器设计

当前中低压输入军用高可靠DC/DC电源模块普遍采用Si基功率开关,典型输入电压28 V、开关频率500 kHz,随着模块电源小型化发展、开关频率不断提升,开关损耗大幅增加,严重影响电源转换效率.软开关技术的应用可以大幅降低高频化带来的开关损耗,然而软开关控制线路结构复杂,在军用高可靠领域中目前尚无可用的高端集成控制器.GaN器件具有极低的栅电荷、输出电容以及零反向恢复电荷特性,在不增加线路复杂度的前提下可有效降低高频应用带来的开关损耗,这一点在消费电子领域AC/DC变换器中取得成功应用.然而在中低压输入军用高可靠电源模块中,随着母线电压大幅降低和开关频率的提升,GaN器件的高速特性能否有效降低开关损耗提升转换效率还有待验证.本文采用单端反激功率拓扑、同步整流技术设计了一款典型输入28 V、输出5V/30W、开关频率1 MHz的原理样机,通过对单元电路损耗的定量分析和测试验证,获得了GaN器件与Si基器件在1 MHz开关频率下的损耗与效率曲线,得出中低压高频条件下,使用GaN器件的转换效率相比Si基器件提升4%,并且功率开关的电压应力控制在合理范围内.对于军用高可靠领域中低压输入DC/D...     

5V／10W DC—DC变换器

用3端DC－DCPWM开关TOP414G构成的SV10W隔离的DC－DC变换器示于图1。此变换器具有宽输入范围（36～72VDC输入）,输出5V2．0A。图1中的TOP414G是PowerIntegrations公司一款3端DC－DCPWM开关,它具有DC－DC变换器所需的所有功能。它含有：带控制导通栅极驱动器的高压N沟道功率MOSFET,带集成120kHz振荡器的电压模式PWM控制器,高电压启动偏置电路,带隙分支基准,环路补偿的偏置并联调节器／误差放大器和失效保护电路（见图2）。在图1的变换器电路中最大元件高度是12mm。EFD－20变压器铁芯的选择适合这个最大元件高度…     

混合集成三路DC／DC变换器的研制

本文介绍了一种采用混合集成工艺制作的具备三路输出的DC／DC变换器模块电路,叙述了该电路的设计方案和关键单元电路的设计过程,并介绍了主要的工艺流程。     

宇航级混合集成DC／DC变换器应用现状与趋势

DC／DC变换器在现代航天系统的应用中是随处可见的。本文阐述了应用于航天领域的能满足所有控制和逻辑标准功能的厚膜混合集成DC／DC变换器,该变换器对于航天应用来说,在尺寸、重量、性能和成本上具有独特的优势。本文主要从航天对DC／DC变换器的应用需求、工艺制造等方面,详细论述了新一代混合集成DC／DC变换器所具有的优越性。     

程控升降压DC/DC变换器设计

蓄电池、超级电容等储能电池在供电过程中,其端电压会随着放电的进行逐渐下降,导致用电设备系统效率降低或超出设备供电电压允许范围。为避免储能电池直接供电存在的不足,利用NQ60升降压变换模块设计了一个程控升降压DC/DC变换器,该程控DC/DC变换器可实时检测输入和输出侧电压、电流参数,并通过CAN总线设置其输出电压及最大输出电流限值,将储能电池输出电压变换到设备允许的额定电压范围内,实现设备的稳定供电。通过对DC/DC变换器功率电路、控制单元的详细分析与设计,实现了该DC/DC变换器。实验测试结果表明,该DC/DC变换器输出值可程控设置,输出效率高。     

基于GaN的DC/DC变换器总剂量与单粒子辐射损伤效应研究

对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究,讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下,输出电压、输出电流、输出效率随不同辐照条件的变化。试验结果表明,使用GaN MOSFET开关管的DC/DC变换器在总剂量、单粒子及耦合辐照条件下,均表现出了优异的抗辐照性能,即输出电压、输出电流、输出效率等性能在三种辐照条件下均没有发生明显的退化。该DC/DC变换器实现了抗总剂量辐照能力大于1 kGy(Si)和抗单粒子LET≥75 MeV·cm²·mg^-1,表明使用基于GaN的DC/DC变换器未来可广泛应用于航空、航天等供电系统领域。     

隔离式低压大电流输出DC/DC变换器拓扑分析

从拓扑、应用方面论述了低压大电流变换器技术近期的发展。对隔离式DC/DC变换器原边和副边拓扑进行了分析和比较,得出了隔离式低压大电流输出DC/DC变换器的优选拓扑结构。阐述了带倍流整流的桥式拓扑、推挽正激拓扑以及改进型推挽正激拓扑的优点和工作特点。同时,介绍了能提高变换器效率的同步整流技术。     

一种基于线性功放技术的DC/AC变换器

介绍了一种基于线性功放技术的DC/AC变换器.该DC/AC变换器主要由控制电路和线性功率放大电路构成.采用二阶有源滤波技术、稳幅技术及线性功放技术,实现输入500 Hz方波信号到输出500 Hz正弦波信号的转变.这种DC/AC变换器具有输出波形失真度小,输出幅度稳定性高等特点.     

Artesyn公司1／4砖DC／DC变换器

Artesyn Technologies公司为其Typhoon系列板上安装电源系列增添200W1／4砖DC／DC系列。它们采用与所有其它Typhoon砖式电源相同的变换拓扑架构，这种架构既能对精密同步整流的原边和副边电路实现先进的处理器控制，又能避免光电耦合器的使用。该变换器称为“ultra”系列，可提供2．5V、3．3V和15．0V的单路隔离输出，     

第二代高密度DC／DC变换器

Vicor公司在电源技术方面取得了新进展,推出了第二代高密度DC／DC变换器。首先提供三种额定功率,即150W、400W和600W的电源,这些变换器包含了许多原先只是用于IC的硅集成新技术。     

同步降压DC/DC变换器的损耗分析

同步降压DC/DC变换器以其高效稳定的优点被广泛应用于低压、大电流的场合，其功率损耗主要包括电感损耗、功率开关管损耗、同步整流管损耗、电容损耗和控制器损耗。文中对各部分损耗的原因进行详细分析并给出计算公式，其次，搭建实验电路验证理论计算的正确性；最后，计算出不同输出条件下的各部分损耗，根据损耗占比情况优化元器件选型，合理选择变换器的工作模式。     

一种新型DC/DC变换器实验系统开发

为强化DC/DC变换技术的实践教学,基于多绕组变压器和反激电路原理,开发一套DC/DC变换器教学系统。设计变换器的拓扑结构,分析工作原理及控制策略,计算变换器系统参数,建立数字仿真模型,设计变换器主电路、输出电压采样电路、开关管驱动电路等来搭建变换器实验平台。实验教学应用表明,该变换器实现宽输入/输出电压范围功能的同时,能够提高学生的电力电子技术综合实践能力。     

降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路,但用户的使用条件经常与典型应用电路不同,要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。对功率MOSFET的要求同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示,它是由带驱动MOSFET的控制器及外接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前,Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET,因为它们能满足DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。开关管与同步整流管的工作条件不同,其损耗也不一样。…