激光诱导等离子体淀积薄膜过程的研究

用激波理论推出了激光诱导等离子体化学气相淀积过程中两个重要参量薄膜面积、膜淀积速率的表达式.分析了激光强度、气体压强、基片温度对淀积过程的影响,为最佳淀积条件的选取提供了理论依据.     

准分子激光淀积氧化物薄膜

自1987年贝尔实验室首次用脉冲准分子激光制备出高温超导薄膜以来,脉冲激光淀积技术已得到了蓬勃发展,现在已成为最好的薄膜制备技术之一。本文简要介绍了准分子激光的原理、PLD的原理以及用准分子激光脉冲淀积氧化物薄膜的工艺及其所表现的诸多优势。     

激光等离子体空间分布的理论模型

运用气体场的6个基本方程对激光原位淀积超导体薄膜过程中的等离子体空间分布进行描述，并引入等离子体的初速度和背景气压两个参数对R．K．Singn等人建立的平衡态流体模型进行修正，建立新的激光等离子体空间分布理论模型。     

直流辉光放电法淀积DLC膜的性能和结构研究

本文在改装的GDM－300BN型高真空镀膜机上，应用流辉光放电淀积法，成功地制备出性能良好的DLC膜，研究了DLC膜的显微硬度、耐磨性随着强度、磨擦系数等性能指标，用透射电镜和激光喇曼光谱对DLC膜的结构进行了分析。     

PECVD淀积工艺及室温NOx气体传感器

本文介绍了用PECVD技术淀积NOx敏感的工艺，并对典型工艺参数条件进行了讨论，我们淀积的这种NOx敏感膜，不仅在旁热情况下对NOx敏感，而且在室温条件下也能对NOx气体敏感，最后，我们对室温NOx气体传感器的一些重要性能指标进行了研究。     

硅基3C-SiC薄膜的外延生长技术

用常压化学气相淀积法在（１００）Ｓｉ衬底上异质外延生长了３Ｃ－ＳｉＣ薄膜。为减小３Ｃ－ＳｉＣ与硅之间的晶格失配,在化学气相淀积系统中通过对硅衬底表面碳化制备了缓冲层,确定了形成缓支的最佳条件。测量结果表明,１３００℃下在Ｓｉ℃衬底缓冲层上可以获得３Ｃ－ＳｉＣ单晶。     

常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究

本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。     

从粒子输运研究靶的溅射与中毒

从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度。模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构参数表达的,对薄膜材料的溅射淀积技术具有重要的应用价值。     

聚噻吩透明导电复合膜的研究

采用减压蒸溜，℃低温气相淀积法在聚酯基材上合成了聚乙烯醇－聚噻吩，获得性能优良的透明导电聚合物复合膜。研究了ＦｅＣｌ３和ＰＶＡ浓度配比、反应压强、聚合温度和时间对和爱过率和导电率的影响。     

宽束冷阴极离子源及其应用

本文介绍一种新研制的用于离子束辅助淀积薄膜的宽束冷阴积离子源,与目前国内外普遍采用的考夫曼(Kaufman)型热阴极离子源相比,它具有寿命长,无污染,结构简单,所需供电电源少,操作方便等优点。实验结果证明,用宽束冷阴极离子源进行离子束辅助淀积所得 Zns 膜层强度超过国标规定的10倍,G|AlSIO_x|A膜层强度超过国标规定的8倍。该离子源有广泛的应用前景。     

UVCVD/UHVCVD技术制备SiGe HBT材料

介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术．该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点．应用该技术在10^-7Pa超高真空背景、450℃淀积温度及低于10Pa反应压力的条件下,外延生长了器件级SiGe HBT材料．SIMS分析表明,材料层界面清晰,Ge组分和掺杂分布平坦．此外,还研制出了SiGe HBT器件．     

Si(100)上Ge1-xCx合金薄膜的CVD外延生长

用化学气相淀积生长方法，以乙烯为碳源、锗烷为锗源，在Si(100)村底上外延生长出了C组分达3％的Ge1-xCx合金薄膜，研究表明随着生长沮度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xGx薄膜中碳组分的增加；X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小，这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在．红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加，从0．67eV到0．87eV．与理论相符，说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度．另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387cm^-1出现一新峰，该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的。     

一种化学气相淀积过程温度控制的新算法

以化学气相淀积过程中晶圆表面温度分布为研究对象,分析反应过程中的工艺特点及动态特性,针对传统机理建模难以准确预测、控制晶圆表面温度的发展变化,提出基于线性二次优化的控制算法,由系统给定的输入及初始条件,计算出系统的响应来预测未来轨迹,通过仿真演示了控制器的控制性能.     

ZnS:Cu发光粉的包覆研究进展

综述了国内外对ZnS：Cu发光粉包覆的研究进展,阐述了国外包覆发光粉所采用流态化化学气相淀积(CVD)法,因其包覆均匀性好而成为包覆发光粉所采用的主要方法,并对该方法中粉体流态化的过程、特征及其内因等进行了探讨,为国内开展流态化CVD包覆发光粉的研究提出了一些建议。     

Si(100)上Ge_(1-x)C_x合金薄膜的CVD外延生长

用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在。红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加,从0 67eV到0 87eV,与理论相符,说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度。另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387cm-1出现一新峰,该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的。     

多晶SiC/多孔硅结构材料的APCVD生长及表征

采用SiH₄-C₃H₈-H₂气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在电化学腐蚀的多孔硅衬底上进行了多晶3C-SiC薄膜的生长,研究了多孔硅孔隙率对薄膜生长质量的影响．实验结果表明,当多孔硅孔隙率较低时,得到的是含有SiC(111)晶粒的多晶硅薄膜,随着孔隙率的增加,生长薄膜由富碳多孔SiC向多晶SiC薄膜过渡,表面平整度增加,并具有<111>晶向择优生长的特点．     

LPCVD多晶硅薄膜的晶体结构

本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温度有关,而且与膜厚有着密切的关系,1000℃以上的高温热处理具有增大晶粒度和减小薄膜在淀积过程中形成的晶粒优先取向的作用。     

弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真

基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了模拟仿真及分析.模拟结果表明,流量为50L/min、压强为2 666.44Pa、基座转速为35r/min时,基座上方流场的均匀性最佳.采用仿真优化的工艺条件进行了弛豫SiGe的RPCVD实验,其SiGe薄膜厚度分布实验结果与弛豫SiGe前驱体SiH2Cl2的Fluent浓度分布模拟结果一致,验证了该模型的正确性。     

LCVD制备多晶硅膜实验研究

用CWCO_2激光诱发SiH_4反应,在石英基片上淀积多晶硅膜,它的Raman谱表明,激光诱发反应时间越长,结晶度越高.SEM 结果表明,不同淀积时间,表面结构差异较大.薄厚台阶仪测出不同实验条件淀积速率变化的规律.同时,结合不同条件下控制过程的反应机制,对结果进行了定性的讨论.     

ALD淀积温度对HfO2高k栅介质材料特性的影响

采用原子层淀积方法,在不同生长温度下制备了HfO2高k栅介质薄膜,研究了生长温度对HfO2薄膜特性的影响.实验结果表明,HfO2薄膜的生长速率受生长温度的影响很大,在高温区将随着温度的上升而增大,而在低温区将随着温度的降低而增大.通过分析HfO2薄膜的C-V特性发现,不同生长温度下淀积的HfO2薄膜的介电常数和氧化层缺陷数量都有很大区别,过高和过低的生长温度都将增加HfO2薄膜中的原生缺陷,其中,280℃～310℃区间生长的HfO2薄膜中的缺陷最少.