基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源

压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中关键部件.PA85是一种高压、高精度的MOSFET运算放大器.文章介绍了一种基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源,详细介绍了电源复合放大电路部分的设计原理和并对其稳定性进行了分析.该电源具有精度高,驱动能力强,结构简单,稳定性好的特点.     

基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源

压电陶瓷驱动电源是压电陶瓷微位移器应用中关键部件。PA85是一种高压、高精度的MOSFET运算放大器。文章介绍了一种基于PA85的新型压电陶瓷驱动电源，详细介绍了电源复合放大电路部分的设计原理和并对其稳定性进行了分析。该电源具有精度高，驱动能力强，结构简单，稳定性好的特点。     

电源系统开关控制器的MOSFET选择

DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中,这种情况会     

用反向连接的FET遏制反向电流

有时,我们需要在使用MOSFET的两个电源之间切换负载。如果所选择的电源电压只要比另一个电源的电压高出约0.6V的话,问题就出来了。这时,通常是反向偏置的整体二极管将变成正向     

电源与电源管理

15W脱机电源的高压芯片 ST公司的电源芯片L6590,集成了一个700V电源MOSFET开关,以及设计逆向、升压或前向拓扑结构变流器所需的全部控制电路。该器件工作在85VAC至265VAC的通用输入电压范围内,同时也可在DC输入电压下工作,芯片上65kHz振荡器免除了对外振荡器的需求,无功耗内部启动电路,确保了在低负载时系统仍保持高效率,同时还减     

用于移动设备的同步整流器

iW671使用一个更加高效的MOSFET替代传统电源中的次级侧Schottky二极管,并与Dialog的iW1786或iW1787初级侧控制器配合使用,所达效率超过88％。同时,强劲有力的小型适配器可满足更高的功率密度需求,而且不会超过温度限值。 传统电源使用Schottky二极管整流输出电压（将AC电压转变为DC电压）。通过使用同步整流器替代Schottky二极管,MOSFET在转换时所降电压低于Schottky二极管的正向电压,从而减少功率损耗。     

一种基于衬底偏置的超低压CMOS运算放大器

本文研究了基于衬底偏置MOSFET的阈值电压可调节特性及其低压特性,通过对所有MOSFET衬底偏置设计实现了超低压两级运算放大器.在0.8V的电源电压下,该运放的直流开环增益为89dB,相位裕度为67(,失调电压约为737.5μV,其单位增益带宽(GB)为440kHz,输入共模范围为65.3～734.1mV,输出电压范围为53.3～737.3mV.     

新能源汽车整车控制器的MOSFET振铃抑制

汽车电子产品中电源电路的设计会直接影响整个产品功能的稳定性和EMC性能.新能源汽车整车控制器应用基础电源管理芯片FS8510设计电源模块电路时,其外围MOSFET产生了严重的振铃现象.为解决这一问题,提出更换外围MOSFET及增加Snubber缓冲网络两种改善措施,并给出了选择MOSFET的影响参数和有效的Snubber缓冲网络RC配比算法.整车控制器传导发射-电压法的测试结果表明:两种措施都可以有效抑制MOSFET的振铃,提高产品的EMC性能.     

电源技术

用于Itanium处理器热管理MOSFET 国际整流器(IR)公司的IRF6601型和IRF6602型MOSFET均通过其管壳顶部散热设计,来使电源系统满足英特尔公司Itanium2处理器的散热要求。这两种MOSFET的输出电压为1.3V,维持电流可高达100A。它们拟用于英特尔公司     

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET驱动器

研诺逻辑科技有限公司宣布为其不断扩展的MOSFET驱动器产品系列新增了一款高压产品。AAT4910支持电压高达28V其半桥双金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）驱动器可提供业界同类多相DC—DC转换器中的最低阻抗。AAT4910双MOSFET驱动器采用一个逻辑输入同时驱动高／低边N沟道MOSFET。当逻辑输入驱动为高时,高侧外部MOSFET开启;当逻辑输入为低时,低侧MOSFET开启。当采用5V电源轨供电时,该器件的电路可通过高达28V的电源输入驱动高侧N沟道MOSFET。     

构成大功率反相-5V电源的降压型稳压器

将降压型开关转换器IC配置成反相器,便可获得一个高效大功率-5V电源,其输出电流在输入电压为12V时高达4.5A,在输入电压为5V时为3.2A(图1).常见的反相电源用一个D沟道MOSFET进行开关切换(图2).这种电路配置在输出电流很小时能运转正常,但在输出电流超过2A左右时,其使用受到限制,这要视输入、输出电压电平和你使用的MOSFET而定.     

具有线性旁路模式的降压型转换器

MAX8989集成高效率开关调节器以及一个并联的旁路LDO，可确保在所有工作条件下具有最高效率。该方案通过对PA输出级电源电压进行调节，可大大降低PA功耗。设计人员可以控制PA的电源电压，以满足发送功率的要求，进而将2G通话时间延长25％，3G通话时间延长10％。内置的LDO用于平滑降压调节与低压差工作之间的转换，     

基于LM5175的Buck-Boost车用开关电源设计

针对一款应用于新能源汽车的电机驱动控制器,设计了一种基于TI公司的电源芯片LM5175的4开关Buck-Boost开关电源。根据车载情况对电源的要求确定输入输出电压范围、电流范围、开关频率,进而选择合理的输入输出电容、电感、MOSFET等元器件,完成了电源芯片外围电路的搭建。绘制开关电源系统的伯德图对开关电源的工作稳定性进行分析,优化开关频率等参数。通过相同负载不同输入电压和相同输入电压不同负载的两组实验验证,开关电源可稳定输出目标电压以及开关电源效率。     

Vishay新型升压转换器芯片

VishayIntertechnology宣布推出两款新型升压转换器芯片,通过提供85%的直流到直流转换效率,以及通过0.85V的低电池电压运行,这两款器件可最大程度地提高从单芯或双芯镍氢或碱性电池组中获得的电能。两款新型IC可在1mA～500mA的宽泛电流范围内提供高效率,提供2V、3.3V及5V(SiP12502)固定输出电压或2V～5V可调(SiP12503)输出电压选择,输入电压范围介于0.85V～5V。内部低电阻功率MOSFET开关可在0.85V的低输入电压时启动,从而最大程度地提高从电池中获得的有用电能。该集成MOSFET在输入电压为3.3V时的额定阻抗低至0.24W。抗振铃控…     

几个有关反激式开关电源问题的探讨

本文讨论了如何通过测量反激式开关电源次级绕组的电压波形,再根据电源电压粗略估算变压器匝比的方法;MOSFET截止时,漏极与源极的电压Vds与电源电压及占空比的关系;占空比与电源电压、匝比及输出电压的关系。     

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.     

压电陶瓷驱动电源的设计与实现

本文采用高压大带宽MOSFET运放PA92和高精度运放OP07设计了一种基于电压控制型的可动态压电陶瓷驱动电源。该驱动电源由放大电路、功率放大电路、过流保护电路和负反馈环节组成。克服了目前常用的压电陶瓷驱动电源所存在的成本高、驱动能力不足、静态纹波大等缺点。最后对实际电路的各项性能进行了测试和分析,结果表明:该电路具有良好的动态和静态性能,能够很好的满足驱动压电微位移平台的要求。     

一种适用于医学领域的频率可调滤波器

本文提出了适用于医学领域的R-MOSFET-C滤波器,采用MOSFET代替传统RC有源滤波器中的电阻,实现可调、超低截止频率。该滤波器采用UMC 0.13 m CMOS工艺,电源电压为1.2V。仿真结果显示,当外部可调电压,即MOSFET的栅电压在0.6V到0.84V之间变化时,截止频率可随之在0.2Hz到292.8Hz之间变化。     

基于0.8μm BCD工艺的20W×2集成D类音频功放设计

基于0.8μm BCD工艺完成了一种具有高转换效率的20W×2立体声集成音频功率放大器.该放大器可在18V电源电压下以全桥输出的方式向8Ω负载提供超过20W的功率,其转换效率可达85%以上.介绍了功率输出级、过流保护电路以及高性能轨-轨比较器的设计,并基于横向双扩散MOSFET器件结构讨论了功率输出器件寄生效应对输出电压波形失真的影响.最后给出了所设计的D类音频功率放大器的测试结果.     

J/K方法:选择最佳MOSFET的技巧

对于电源供应设计人员而言,选择正确的MOSFET相当困难,MOSFET有数千种,而计算切换MOSFET的电源耗损等式再计算上相当费时。是否有更快速有效的方法可用于测试或更深入的分析？能够快速找出适用MOSFET，让设计人员仅需试用特定几项装置或运用延伸的模型。本文介绍的J／K比率方法，可将复杂的电源转换器的功率级简化为单纯的切换和传导损耗比率，使得设计人员能够针对特定应用，选择可达到最高效率的MOSFET。