微透镜和高Tc超导红外探测器组件

本文首次报道了利用微透镜阵列来提高ＹＢＣＯ高Ｔｃ超导薄膜红外探测器的光响应特性，介绍了利用光刻／离子束刻蚀的方法制作单片线列石英微透阵列的工艺以及制备线列ＹＢＣＯ高Ｔｃ超导薄膜红外探测器的方法，并将所制的石英微透镜阵列应用于ＹＢＣＯ超导器件。     

亚微米结构高Tc超导探测器研制

应用同步辐射技术对ＹＢＣＯ超导薄膜进行光刻，获得０．８μｍ间隔的折线结构，研制成亚微米结构高Ｔｃ超导薄膜红外探测器，敏感元接收红外辐射能量提高约４２％．器件的最好探测率Ｄ＊达到１．８×１０１０ｃｍＨ１／２ＺＷ－１，工作温度约９０Ｋ．     

高Tc超导4＊4元面阵研制

选用高Ｔｃ超导薄膜ＹＢａ３Ｃｕ３ｏ７－８，引用微加工技术，制出了４＊４元面工外探测器，超导膜用湿法工艺光刻成折线结构，总线长约２０００μｍ，可提高敏感元工作电阻率。     

高Tc超导薄膜和氧化物多层膜的激光分子束外延研究

本文介绍用激光光子束外延（Ｌ－ＭＢＥ）方法，在高真空条件下外延生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜和ＢａＴｉＯ３铁电薄膜以及多层膜的实验结果。     

低温下激光制备高Tc超导薄膜

本文报导了利用激光技术,在较低的温度下(600℃以下)成功地制成了T_(c0)>87K的Y—Ba—Cu—O超导薄膜;在77K时通过其电流密度J_c>10~4A/cm~2;讨论了高温所制薄膜与“低温”所制薄膜的性能的差别及激光与超导靶材作用而产生粒子喷射的过程。     

射频磁控溅射原位制备高Tc钇钡铜氧超导薄膜

用粉末靶射频磁控溅射的方法在650℃的(110)SrTiO_3衬底上成功地原位制备出起始转变温度96K,零电阻温度88.2K,用约0.4mm宽的桥在77K零磁场下临界电流密度达6×10~5A/cm~2,高度定向的钇钡铜氧超导薄膜,膜的厚度为0.22μm。发现控制溅射工艺参数并在溅射后进行原位热处理是获得高T_c超导薄膜的关键。     

高Tc超导红外探测器平面天线设计

为了提高超导薄膜红外探测器的工作带宽、响应速度和灵敏度，并便于进行集成平面工艺，我们设计了微桥型红外敏感元及与其耦合的领结型平面天线，其检测波长范围可从中红外到毫米波段，理论估算其ＮＥＰ值可达１．２×１０－１２ＷＨｚ，响应时间τ≤１０—６Ｓ。     

高Tc超导红外探测器热成像原理机样的研究

根据高Ｔｃ超导红外探测器成像原理，制成了８元线列超导红外探测热成样机。文中给出了样机对８￣１４ｕｍ红外波和的测试结果，证明高Ｔｃ超导红外探测器在长波红外成像的可行性，获得了探索热成像系统的初步经验。     

高Tc超导红外探测器的发展

较全面地阐述了国内外高T_C(>77K)超导红外探测器的发展水平,它包括红外探测机理,探测器的结构和工艺以及今后的发展趋势,特别评估了高温超导红外焦平面的潜在应用价值。     

高Tc超导薄膜的实用化问题

本文叙述了高Te超导薄膜的主要进展,并讨论了它的实用化问题     

高Tc超导GdBa2Cu3O7—δ薄膜弱连接双晶结研究

为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结，我们在ＹＳＺ（钇稳定的氧化锆）双晶基片上，制备了高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ超导薄膜，晶界夹角为２４°和３２°两种，采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥，晶界贯穿桥区而形成双晶结，观测了结的直流Ｉ－Ｖ特性和在１０ＧＨｚ微波辐照下临界电流的压缩ｈａｐｉｒｏ台阶，实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为，在实验基础上，对结的特性进行了理论分析，并将双晶结用于     

高Tc Nb_3Ge共蒸超导膜的透射电子显微研究

超导材料的临界电流与其内部的微结构及各种缺陷如位错、晶界、异相粒子等有十分密切的关系。这些缺陷造成的超导性质的不均匀使磁通线运动受阻是强电磁超导材料载流能力的物理基础。最近,一种背面防护漂浮减薄新技术成功地解决了从高临界温度(Tc(?)21K)Nb_3Ge膜制取mm~2量级大面积均匀减薄的TEM样品制备问题。得到了关于微结构的许多有趣的信息。     

激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜

本文简要介绍了激光蒸发淀积法制备高Tc超导薄膜的原理和实验装置，以及激光蒸发淀积技术在制备高Tc超导薄膜中的应用。     

量子响应高温超导薄膜红外探测器

基于超导探测器具有量子响应的实验论据，用量子理论导出高温超导薄膜探测器的，表明超导探测器的正比于超导薄膜长厚比的平方根，而与宽度无关。因此，采用超导薄膜（减小厚度），同时将薄膜光刻成弯曲线条或蛇形，增加其长度，将获得高Ｄ＊值的超导探测器。这是具有量子响应的超导探测器的重要结论。它为超导红外探测器的研制、设计提供了重要的理论依据。     

高Tc超导材料—新的结构和潜在的应用

本文介绍了新的钇钡铜氧系列高T_c超导材料的特性和结构特点,以及相应的电子能带结构,并对主要的理论解释作了扼要介绍;最后介绍了厚薄膜和器件制备的进展情况并作了预测。     

高T_cYBa_2Cu_3O_y薄膜光电响应的研究

随着高临界温度(Tc)超导材料的出现,它的广泛应用前景受到高度重视。利用超导材料转变区中点附近电阻随温度急剧变化这一特性,可以制成热辐射探测器件。我们用He-Ne激光(632.8nm)和Ar~+激光(主要514.5nm)对YBa_2Cu_3O_y薄膜在转变区     

高Tc超导GdBa_2Cu_3O_7薄膜弱连接双晶结研究

为了获得具有约瑟夫逊效应的超导弱连接结，我们在ＹＳＺ（钇稳定的氧化锆）双晶基片上，制备了高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７超导薄膜，晶界夹角为２４°和３２°两种，采用光刻技术的晶界上刻出不同尺寸的微桥，晶界贯穿桥区而形成双晶结，观测了结的直流１－Ｖ特性和在１０ＧＨｚ微波辐照下临界电流的压缩和Ｓｈａｐｉｒｏ台阶，实验结果证明双晶结具有约瑟夫逊弱连接行为，在实验基础上，对结的特性进行了理论分析，并将双晶结用于光探测获得成功。     

中国超导应用获重大突破

令现代人惶恐的手机辐射遇到一个新的克星——超导薄膜。北京有色金属研究总院日前宣布，该院超导专家研制成功的“大面积双面高温超导薄膜”可使现有手机地面机站接收距离增长 一倍，如果北京的所有机站都用上“超导膜”，手机功率降低一半也可正常使用，相应的手机辐射也就大大降低。据该院超导研究中心主任林晨光介绍，超导材料除了“电阻为零”这种奇效外，还有另一种重要特性，就是具有普通材料所没有的微波效果，将超导薄膜应用在微波器件中，机站的接收灵敏性将大幅提高。广泛使用超导膜微波器件可降低机站密度，或是促使手机厂家降…     

{011}〈UVW〉取向银基带的织构研究

由于Ag不与超导氧化物发生反应，在Ag基带上可以直接沉积YBa2Cu3O7-δ超导薄膜而不需过渡层，但基带的织构状态对超导膜的电性能有很大影响。研究表明{011}〈uvw〉取向的Ag基带有利于外延生长具有c取向及面内取向的YBa2Cu3O7-δ超导薄膜，进而使超导膜具有高的临界电流值。     

高T_C超导电性的应用

超导材料的零电阻性和全抗磁性总称为超导电性。目前,高T_c超导电性的主要应用是超导磁体、超导功率输运线及各种超导仪器。此外,高T_c超导体还可应用于计算机的互连、数字约瑟夫森技术、新的低温器件及以超导器件为基础的电子仪器中。