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相似文献
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1.
贺江平  方健  张波  李肇基 《微电子学》2004,34(2):155-157,160
提出了一种用于单片开关电源的新型电流控制模式弛张振荡器。该电路利用电流比较器替代电压比较器,能使其输出锯齿波转换时间减小为常规结构的1/10。在电路工作原理进行分析的基础上,对振荡器频率的温度特性、工艺变化等进行了Peak-Peak Corner仿真。结果表明,电路的输出锯齿波转换时间在100ns以内,从而可以提高PWM控制器的性能。  相似文献   

2.
设计了一款基于弛张振荡器的温度测量电路,通过参考/感应振荡器电路,将热敏电阻的阻值变化转变成数字化的频率信号送系统处理。弛张振荡器使用了具有施密特触发器相同功能的RS触发器,降低了芯片对工艺的要求,便于在低电压和宽温度范围正常工作。该温度测量电路被成功地应用于一款便携式电子体温计芯片,芯片采用0.5μm 1.5 V DMSP CMOS工艺,面积为1 250μm×1 260μm,在1.1 V的低电压下测量精度高达0.05°C,工作电流为30μA,待机电流为0.2μA。  相似文献   

3.
介绍单片弛张振荡器的工作原理,分析弛张振荡器产生输出频率误差的原因及温度对输出频率的影响,推导出振荡器达到零温度系数的条件,提出一种弛张振荡器内温度补偿方法,只要在设计电压基准源的温度系数时结合振荡器的需要来考虑,利用该方法就可以使弛张振荡器方便地获得较好的温度系数,大大缩小面积和降低成本.最后给出仿真波形.  相似文献   

4.
具有外同步功能的窗口比较式CMOS振荡器的设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对多个开关电源并联或串联的系统中产生的差频噪声问题,介绍了一种消除差频噪声的外同步技术,并设计了一种可用于开关电源控制芯片的具有外同步功能的窗口比较式CMOS振荡器。Hspice仿真结果表明,在非外同步模式下,该振荡器工作于固有频率550kHz。在外同步模式下,只要外同步信号的频率满足要求(585kHz-750kHz),振荡器频率将跟随外同步信号,从而最大程度地减小系统中的差频噪声。  相似文献   

5.
1927年以来,在文献中对范德普尔(Van dcr pol)振荡器已作过讨论和分析。在这些论述中,把高度非线性网络线性化成具有典型传输特性的放大器。本文介绍一种新型范德普尔振荡器(SO)的实验结果。这种振荡器是工作在非线性状态完成线性信号处理,如象同步和跟踪。这类振荡器具有选择性高(优于60dB/倍频程),同步带内相位线性和由于输入信号降低而能保持输出信噪比不变的自适性。在信噪比低到-10dB能实现同步,并能获得30dB的信噪比改善和几百KHz的同步带宽。  相似文献   

6.
提出了一种性能较高的具有同步功能的RC振荡器。相比传统RC振荡器,通过控制器外围SYN引脚接收同步开关频率信号来设定振荡器的周期,设计出工作在同步模式下的RC振荡器。仿真结果表明,在典型参数情况下,该振荡器频率在140~450 kHz范围内能跟随外部同步频率。通过对外围电阻电容进行设置,在-40℃~125℃温度范围内,振荡器能够正常工作,可以应用于工作在同步模式下的控制器。  相似文献   

7.
一种频率稳定的集成CMOS环形振荡器   总被引:7,自引:0,他引:7  
胡二虎  汪东旭 《微电子学》2003,33(3):259-261
在分析传统的环形振荡器和一种改进型CMOS环形振荡器的基础上,提出了一种线路简单的环形振荡器。它的振荡频率随电源电压的变化很小,线路简单,具有很强的实用性。通过仿真,得到了电源电压和振荡频率的对应关系,取得了满意的结果。  相似文献   

8.
一种CMOS电流控制振荡器的分析与设计   总被引:6,自引:1,他引:6  
袁涛  王华  方健  李肇基 《微电子学》2005,35(6):662-664
提出了一种结构简单的CMOS电流控制模式振荡器.该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,在5 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间非常小,使产生的输出振荡波形更接近理想矩形波;通过调节基准源电流信号或者电路中电容值的大小,可以调节振荡输出波形的频率和占空比.  相似文献   

9.
基于升降压一体直流一直流流转换器系统,针对传统的三角波产生时的放电时间作了特殊处理,控制了波形每个周期开启时间点的选择,从而达到统一放电时间点的目的.设计了一种输出频率稳定,调频范围宽,且满足同步整流要求的锯齿波振荡器电路.达到了应用于同步整流直流一直流电路脉冲宽度调制的要求.基于华润上华500纳秒CMOS工艺,通过Cadence Spectre仿真,结果显示,振荡器输出频率稳定,且对温度和电源电压不敏感.完全满足升降压一体直流一直流转换器系统要求.  相似文献   

10.
一种频率稳定的改进型CMOS环形振荡器   总被引:5,自引:2,他引:3  
汪东旭  孙艺 《微电子学》1999,29(5):370-373
在传统的环形振荡器基础上,提出了一种改进的CMOS环形振荡器。它克服了传统CMOS环形振荡器振荡频率随电源电压变化而严重不稳的缺点。通过仿真得到了电源电压与振荡频率的对应关系,取得了满意的结果。  相似文献   

11.
This letter describes the design and implementation of a synchronizable compact CMOS oscillator. By using a fully differential topology, a reduction in area occupancy together with an improved robustness in front of on-chip interferences is achieved. Post-layout simulation results and experimental results for a standard CMOS 0.35 m technology are presented to validate the functionality of the tunable oscillator.  相似文献   

12.
一种单电源低功耗OTA-C张弛振荡器   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了一种基于电流模施密特触发器的单电源低功耗OTA-C张弛振荡器.该振荡器可以在3.3 V和5 V单电源下工作,功耗小于35 μW,其频率可以由OTA的偏置电流近似线性调整,振幅可以由控制电流Ictrl近似线性调整,而频率几乎不变.该电路已成功地集成到AMI705/706/ 707/708/813L系列芯片中.  相似文献   

13.
代辛恩  万超  张国俊 《微电子学》2016,46(3):379-382
由于张弛振荡器存在传输延迟,其锯齿波电压在与高低阈值电压比较时会出现电压过冲和电压下冲现象,其中,下冲电压较大且需要较长的恢复时间。针对这一问题,设计了一种快下冲恢复张弛振荡器。采用可控电流源,使其在下冲时开启,减小了下冲电压,大大缩短了下冲恢复时间;使用翻转速度很快的锁存比较器,减小了延迟,进一步缩短了下冲恢复时间。基于CSMC 2 μm 36 V工艺进行Hspice仿真,结果表明,该振荡器的下冲电压和下冲恢复时间均显著减少。  相似文献   

14.
提出了一种基于电流模式施密特触发器的CCCII±弛振荡器。该电路的振荡信号周期可由接地电容线性改变,而频率则与CCCII+偏置电流成正比,PSPICE仿真结果与理论分析相符。  相似文献   

15.
An Accurate 1.08GHz CMOS LC Voltage-Controlled Oscillator   总被引:4,自引:2,他引:2  
An accurate 1.08GHz CMOS LC voltage-controlled oscillator is implemented in a 0.35μm standard 2P4M CMOS process.A new convenient method of calculating oscillator period is presented.With this period calculation technique,the frequency tuning curves agree well with the experiment.At a 3.3V supply,the LC.VCO measures a phase noise of -82.2dBc/Hz at a 10kHz frequency offset while dissipating 3.1mA current.The chip size is 0.86mm×0.82mm.  相似文献   

16.
在0.35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率-电压调谐曲线与实验结果吻合得很好.在电源电压3.3V下,消耗电流3.1mA,压控振荡器的相位噪声在10kHz频偏处为-82.2dBc/Hz.芯片面积为0.86mm×0.82mm.  相似文献   

17.
提出了一种基于标准双极工艺、能同步外部时钟的低成本RC振荡器.由于采用迟滞技术和高压双极型工艺,振荡周期对温度、电压及工艺偏差均有很好的宽容度,且周期大小易于调整.在输入电压为5~40V、-55℃~125℃温度范围,以及三个电阻工艺偏差的情况下,进行HSPICE仿真.结果表明,在最坏情况下,振荡器周期的最大偏差为9.8%;在不考虑温度的情况下,由电压和电阻工艺偏差引入的振荡周期最大偏差为5.6%.该振荡器满足电源管理芯片要求,适合低成本AC-DC、DC-DC转换器和充电器等电源管理芯片的应用.  相似文献   

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