CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜的巨磁阻抗效应研究

利用射频磁控溅射技术及微细加工技术制备了三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在频率l～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明曲折状三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应比单层膜有较大的提高。在交流电流频率5MHz,外加直流磁场100Oe下巨磁阻抗变化率达17.3%。     

FeCuNbCrSiB薄膜的制备及其巨磁阻抗效应研究

采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了非晶的Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9薄膜及三明治结构M/C/M(M为Fe73.5Cu1Nb3Cr0.5Si13B9;C为Cu)的多层膜。在频率(1~40)MHz下,研究了薄膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:单层膜的GMI效应较小,只有4.4%;而三明治结构多层膜的GMI效应,比单层膜有较大幅度的提高,在5MHz、120Oe下,纵向和横向GMI效应分别达–17.4%和–20.7%。薄膜材料的纵向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后减,而横向GMI效应随外加磁场的增加而单调递减,其变化规律与薄膜的易轴取向有很大关系。     

曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究

采用微机电系统(MEMS)技术在玻璃基片上制备了曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在电流频率1～40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应,并分别通过改变FeNi薄膜的宽度、厚度和Cu薄膜的宽度,研究了尺寸对巨磁阻抗效应的影响,当磁场Ha施加在薄膜的纵轴时,巨磁阻抗变化...     

FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB薄膜各层宽度对其巨磁阻抗效应的影响

采用射频磁控溅射方法，利用微细加工工艺制备了不同薄膜宽度的三明治结构FeCuNbCrSiB／Cu／FeCuNbCrSiB多层膜，在频率1～40MHz下研究了薄膜宽度对多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应的影响。结果表明，三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应随薄膜宽度的变化具有显著的影响，当FeCuNbCrSiB层、Cu层宽度分别取1．6rflrn、O．8rflrn时，GMI％达到最大值一21．22645％。     

曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜巨磁阻抗效应研究

采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了曲折形三层等宽FeCuNbSiB/Cu/FeCuNbSiB多层膜。在1~40MHz下,研究了多层膜材料的巨磁阻抗(GMI)效应随外加磁场的变化关系。结果表明:在频率为5MHz、磁场强度为12kA/m下,横向和纵向GMI效应分别达–23.5%和–16.8%。薄膜材料的纵向、横向GMI效应随外加磁场变化呈现先增后降,而纵向表现尤为明显。     

FeZrBNb单层膜的巨磁阻抗效应

用高频溅射法制备了FeZrBNb合金薄膜,研究了制备条件、制备工艺对薄膜样品巨磁阻抗效应的影响.结果表明,增大薄膜的厚度可以提高样品的阻抗比,13 MHz下,厚度为10.8 μm的薄膜样品的最大纵向阻抗比为2.5％;在制备过程中加磁场可以在薄膜中感生出磁各向异性场,进而提高薄膜的阻抗比.同时,退火可以提高材料的软磁特性,增强薄膜的巨磁阻抗效应,对薄膜进行退火处理后,薄膜的纵向和横向阻抗比分别提高到1.7％和1.5％.     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发，它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点，已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面。     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面.     

纳米巨磁阻抗效应与磁敏传感器

利用纳米微晶巨磁阻抗效应研制的一种新型磁敏传感器已被开发.它与传统的磁通门、霍尔和磁电阻传感器相比具有灵敏度高、温度稳定性好、使用寿命长等优点,已分别应用于汽车测速、电喷发动机点火和其他工业自动化控制等方面.     

巨磁阻抗传感器应用研究最新进展

利用零磁致伸缩非晶丝的巨磁阻抗(GMI)效应,可制得新一类灵敏度高、响应快、功耗低、体积小的微型磁电式传感器。介绍了目前几种基于巨磁阻抗效应的传感器,包括磁场传感器、扭矩传感器、汽车交通监测系统和生物传感器等的工作原理和特性。     

Cu/Sb掺杂SnO2纳米晶薄膜的H2S气敏特性

以SnCl2·2H2O、CuCl2·2H2O、SbCl3和无水乙醇为原料,采用sol-gel浸渍提拉法(sol-geldip-coatingmethod,SGDC)制备了纳米晶气敏薄膜。在多个工作温度和气体浓度下测试了薄膜对H2S的气敏特性。结果表明:r(Cu:Sb:Sn)为1:5:100,工作温度为140℃时,薄膜对H2S有很好的灵敏度和选择性,敏感浓度下限可达0.7×10–6。     

弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜的应力阻抗效应

用磁控溅射法制备弯曲形FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在1~40MHz范围内研究FeSiB膜和Cu膜厚度对多层膜结构应力阻抗效应的影响。结果表明:多层膜的应力阻抗效应随着其形变位移的增加近似线性增加,在自由端变形1mm、电流频率5MHz时,应力阻抗效应达–17.3%,在新型力敏传感器方面具有广阔的应用前景。     

热处理对NiP/CoNiP薄膜织构和磁性能的影响

用化学镀的方法制取了NiP/CoNiP薄膜并将样品进行真空热处理。用XRD、VSM、EDS等测试手段分析了热处理影响薄膜结构和磁性能变化的原因。结果发现,热处理使薄膜的结构发生了由α-Co向β-Co的同素异构转变;经热处理后晶粒尺寸长大到30 nm左右;经350℃热处理后薄膜的矫顽力升高到5.57×104 A/m;经400℃热处理后矩形比达到0.28。     

Ge诱导晶化多晶Si薄膜的制备及结构表征

采用测控溅射,通过Ge诱导晶化法在Si衬底上制备多晶Si薄膜.采用Raman光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及场发射扫描电镜(FESEM)等对所制备的薄膜进行表征.结果表明,当生长温度为800℃时,Ge有诱导非晶Si(a-Si)薄膜晶化的作用,所制备的多晶Si薄膜在(200)方向具有择优取向,且在此方...     

应用于射频范围的软磁薄膜研究进展

探讨了获得具有优良高频电磁性能的软磁薄膜的合适工艺条件。指出薄膜的性能主要取决于薄膜的成分、微观组织、磁致伸缩系数、残余应力状态、有无软磁底层、外加磁场溅射沉积和后续磁场热处理等因素。以Fe70Co30为基的软磁薄膜和Fe(Co)-X-N纳米晶软磁薄膜主要应用于要求高饱和磁化强度的器件如磁头中,磁性纳米颗粒膜具有高的电阻率因而趋肤深度较大,有望应用于高频微磁器件如微电感、微变压器的磁芯中。