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相似文献
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1.
的i了13氢化的非晶态硅的热弹性能—(K。:- ho:。n一入.5.等),《Mater.Sei.及Eng- ng.》,1981,49,沁乙,127一132(英文)印1714 sno:薄膜中的气敏机理-一(R.B. C.〕oPer等).《J .Eleetrouie Materials》, 1981.10,饨3,455一472(英文、 用射领喷涂技术制备的SnO:薄膜带有1肠和川肠SbZO3的掺杂。此薄膜然后在人造的空气中进行试验,了解它们对H:和CO的反响。〔铣摘〕6D1715专利食半导体金属合金,为Nf3AI互基一一 日本专利随0049一1妞,公布:1980年12月601了16对非晶半导体的电导和热电势率的测定 分析一(Niclsen Paul),《AIP Conf. pr…  相似文献   

2.
80331 5 pt一Rh热电偶的简化分度法一一(淹谷)《计量研究所报告》,1979,28,{恤3219一225(日文)803316把的熔点和它与氧的关系—坡Metr。- logia》,1979,15,(3),16一1631(英文)803317平衡氢的三相点、沸点和17长点一一 《Metrologia》,1979,15,(3),155一159 (英文),03318磁场中用的标准热电势率一一《Metal Physies》,2979,9,沁7,1357一困360(英 文)· ,一803319自旋玻璃的电阻率一一(K.H.Fi· seher),《2 .PhysikB》,1979,台碑,(1),45一53(英文)日03320碱金属元素的电阻率,一(T.C.Chi), 《J .Phys.Chem.Referonee Dat:、》, 1079,8,…  相似文献   

3.
8032引第十六届国际计量大会介绍—《国外 计量》,1080年,恤4,57一61803292电磁测量技术的发展道路—(尤德 斐),《电测与仪表,,1980年,摊7,1一 7803293用测热电势来表征钦合金的冶金特性 —(R .Borrelly),《J.Less一Commo。 Metals》,1980,69,饨1,49一6a(英文) 研究表明,测热电势是研究钦合金的一种有用工具.用这种技术,可能证实片材中冷加工的仪表利11卷各向异性,可以确定杂质浓度和相图边界:研究相变和沉淀现象;文中对a,刀,a十刀型钦合金进行了一试验。803294高压下难熔金属的熔化温度一一《Hisll Te山p一H j ghP:essures》,197?,9,抽…  相似文献   

4.
803261无损检验的经济意义—(Sehaper. H),《Materialpr公f,》,1979,21,从10, 374一378(德文)803262 Ass,TeZ:Gei6S:;厚试样的电性能研 究—(F乙1 ix M.C.),《Revue de Physigue Appligu‘e》,1080.15.1.37一 43(法文;摘要:英文)803263测电阻和霍尔效应用的交流电源的设计 —《J .Phys.E.Sei.至nstrum.》,1980, 13(3),294一2习7(英文)803264强磁场宽范围核磁共振测场仪一一(张 鹤登),嘴仪器仪表学报》.1980年,第一 卷,从2,47一56 本文研究了强磁场宽范围的核磁共振测场仪的原理、结构以及实验方法,并给出了实验结果.仪器的工作频率…  相似文献   

5.
吕03229为提高可靠性与安全防护的材料检验任 务—(B luznenauer,玉{.),《Neue Hot- te》,1979,2礴一0,290一395(德文)803230温度传感器的校正法与检定装置的使用 方法一一(柳捉弘二),《计装》,1980,23, 从3,35一40(日文)803231一种热敏元件电动势行为的简单测定方 法一(B liekL),《Teehnisehes Messen》, 1979,46,7/8,283一292(德文,摘要: 英文)8D3232晶体的高温比热—《Phys.Rev.B.》 1979,20,滩10,4012一4017(英文)803233超高真空测试-一《Contemporary Physies》19?9.20.滩4,401一4lG(英文)〔03234碱金属元素的电阻率一一《J .Ph…  相似文献   

6.
郭卫民  潘雄  刘奇  唐龙  张平 《功能材料》2011,42(2):229-232
主要研究了FeNi29CO18MnSi合金材料的热电特性,分析了Ni-Co合金、Ni-Fe合金的热电性能,研究了FeNi29Co18MnSi合金中Mn、Si含量及冷形变对合金热电势的影响.研究表明,随着微量添加元素Mn、Si含量的增加,合金单极对铂(Pt)的热电势绝对值减小,且合金冷形变对热电势具有较大的调整作用.  相似文献   

7.
[1]T.Inoue and T.Ohsuna: Appl. Phys. Lett., 1991,59(27), 3604. [2]Y.Yamamoto: Jpn. J. Appl. Phys., 1993, 32, L620. [3]T.Chikyow and S.M.Bedair: Appl. Phys. Lett., 1994,65(8), 1030. [4]Y.Roh, K.Kim and D.Jung: Jpn. J. Appl. Phys.,1997, 36, L1681. [5]M.Yoshmoto, K.Shmozono, T.Maedo, T.Ohnishi, M.Kumagai, T.Chikyow, O.Ishiyama, M.Shinohara and H.Koinuma: Jpn. J. Appl. Phys., 1995, 34, L688. [6]A.H.Morshed, M.E.Moussa, N.Ei-Masg and S.M.Bedair: Mater. Sci. Forum, 1997, 239, 291. [7]S.N.Jacobsen, U.Helmersson, R. Erlandsson, B.Skarman and L.R.Wallenbery: Surf. Sci., 1999,429, 22. [8]S.H.Jang and D.Jung: J. Vac. Sci. Technol. B., 1998,16(3), 1098. [9]Dading HUANG, Fuguang QIN, Zhenyu YAO, Zhikai LIU, Zhizhang REN and Lanying LIN:: Chinese J. Semiconductors, 1995, 16(2), 153. (in Chinese) [10]J.R.Conrad: J. Appl. Phys., 1987, 62, 777. [11]P.K.Chu, S.Qin, C.Chan, N.W.Cheung and L.A.Larson: Mater. Sci. Eng. Reports, 1996, R17(6-7), 207. [12]B.Y.Tang: Physics, 1994, 23(1), 41.  相似文献   

8.
磁性材料     
402890表面磁性—(能势宏),《日本金属学会会 报》,1马7马,18,饨3,16{3一173(日文)4028引高压下的磁性—(藤原浩)《应用物理》, 1马7马,48,恤5,338一409(日文)402892硅钢板的低温磁性一一(山口俊尚)《电气学 会论文志》,l马78,98,冷12(A),3马一45 (日文)402893有序化对Fe一6.5拓si合金的磁性的影响 —(K .Narita),《IE!巳E Trans.o。。a- gneties》1979,Vo一MAG一15,恤1,91一 915402894透明磁性材料—(竹内裕之)《应用物理》, 1979,48,从3,259一26:3(日文)402895镍、铁、钻磁性合金与及磁滞回线-一 (Wibbler.H),《Metallkunde》,1979,…  相似文献   

9.
[1]Jr.B.F.Spencer and M.K.Sain: IEEE Control System,1997, 17(6), 19. [2]P.P.Phule and J.M.Ginder: Proc. Of the 6th Int. Conf. On Electro-Rheological Fluids, MagnetoRheological Suspensions and Their Applications, eds.by M.Nakano and K.Koyama, World Scientific, Singapore, 1998, 445. [3]J.Huang, J.G.Guan, W.Y.Chen and R.Z.Yuan: J.Wuhan Univ. Tech. Mater. Sci., 1998, 13(3), 1. [4]Lin HU, Seng PAN, Jianyao WU, Meng SUN and Luwei ZHOU: Evolution of Liquid Physics(1), Wuhan Univ. Press, 1997, 276. (in Chinese) [5]Jianguo GUAN: Advanced Materials of Electrorheological Fluid, in: Chinese Macromolecule Science at the Crossing the Century-Advanced Materials and Technology of Functional Polymer, eds. by H.J.HU,T.B.HE, Chemical Industry Press, Beijing, 2000,Chapter 20. (in Chinese) [6]W.I.Kordonski, S.R.Gorodkin and Z.A.Novikova:Proc. of the 6th Int. Conf. on Electro-Rheological Fluids, Magneto-Rheological Suspensions and Their Applications, eds. by M.Nakano, K.Koyama World Scientific, Singapore, 1998, 535. [7]Z.Y.Chen, X.Tang, G.C.Zhang, Y.Jin, W.Ni and Y.R.Zhu: Proc. of the 6th Int. Conf. on Electro-Rheological Fluids, Magneto-Rheological Suspensions and Their Applications, eds. by M.Nakano,K.Koyama, World Scientific, Singapore, 1998, 486. [8]C.Kormann, M.Laun and R.J.Richter: Proc of the 5th Int. Conf. on ER Fluids, MR Suspensions and Associated Technology, ed. by W.A.Bullough, World Scientific, Singapore, 1996, 362. [9]Jun HUANG: Ph. D. Dissertation of Wuhan University of Technology, Wuhan, 1998. [10]Jianguo GUAN, Suling ZHAO, Hanjie HU and Runzhang YUAN: Chinese Patent No. 99 1 16542.X, 1999. [11]Jianguo GUAN, Jun HUANG, Suling ZHAO and Runzhang YUAN: Int. J. Modern Phys., 2000. (to be pressed) [12]Keming FANG: Chinese Patent No. 85 1 05876.1,1985. [13]S.P. Armes, S.Gottesfeld, J.G.Beery, F.Garzon and S.F.Agnew: Polymer, 1991, 32(13), 2325.  相似文献   

10.
文章以Cu、Ni、Si、Co为原料,通过特殊真空熔炼方法制备了一种钨铼热电偶用铜合金补偿导线。通过ICP-发射光谱仪、CS604恒温油槽等测试方法研究了合金元素Ni、Si、Co的添加及其含量变化对铜合金热电性能的影响,并利用Matlab软件对此影响规律进行了数值模拟。研究表明:随着Ni含量的增加,铜合金热电势逐渐降低。含Ni量为1.54%~1.87%wt的Cu/CuNi补偿导线100℃的热电势为0.994~1.320mV。CuNi合金中添加少量的Si,可实现对Cu/CuNi合金热电性能曲线的调整。向CuNi1.69合金中分别添加0.09%wt和0.87%wt的Si时,100℃时合金的热电势相差0.813mV。Cu/Cu1.69Ni0.09Si与Cu/CuNi1.73Si0.09两种合金100℃的热电势相差0.024mV;Co对合金的热电性能的影响比Ni更加明显,添加0.35~0.46%wt的Co时,Cu/CuCo补偿导线材料100℃的热电势为2.095~2.202mV。通过模拟计算得出,符合WRe3/25热电偶用补偿导线合金成分为Cu/CuNi(1.73~1.77)Si(0.05~0.09)。  相似文献   

11.
文章以Cu、Ni、Si、Co为原料,通过特殊真空熔炼方法制备了一种钨铼热电偶用铜合金补偿导线。通过ICP-发射光谱仪、CS604恒温油槽等测试方法研究了合金元素Ni、Si、Co的添加及其含量变化对铜合金热电性能的影响,并利用Matlab软件对此影响规律进行了数值模拟。研究表明:随着Ni含量的增加,铜合金热电势逐渐降低。含Ni量为1.54%~1.87%wt的Cu/CuNi补偿导线100℃的热电势为0.994~1.320mV。CuNi合金中添加少量的Si,可实现对Cu/CuNi合金热电性能曲线的调整。向CuNi1.69合金中分别添加0.09%wt和0.87%wt的Si时,100℃时合金的热电势相差0.813mV。Cu/Cu1.69Ni0.09Si与Cu/CuNi1.73Si0.09两种合金100℃的热电势相差0.024mV;Co对合金的热电性能的影响比Ni更加明显,添加0.35%~0.46%wt的Co时,Cu/CuCo补偿导线材料100℃的热电势为2.095~2.202mV。通过模拟计算得出,符合WRe3/25热电偶用补偿导线合金成分为Cu/CuNi(1.73~1.77)Si(0.05~0.09)。  相似文献   

12.
测温材料     
2时1叨用偏振法测量表面真实温度一唁国外 计量》,1981,沁5,27一29(中文)203101专利熔融金属的测温装置一美国专 利恤4243402.申请:1匀78.9,公布:1081.1.203102表面温度测量一(Gaut】:ie。Randal A),召Instr,,.Tee五》,1981,2习沁.2,57- 60(英文)203103等离子蚀刻期间玻璃基板的温度测定 (R .A Bond),《J .Vae .Sei.Te- ehnol》,198一,一8,怕.2,335一338(英文)203104专利测定碳化氢含量和排气温度的敏感 元件-一日本专利,灿叨一285的,公布: 1980.7.28.203105放射温度计的适用领域一(菱Xl]功), 《计装》,1981.24,摊.7,69一75(日文)2031…  相似文献   

13.
500461 Fe一Pd因瓦合金的磁性能与热膨胀(Matsui M.),《Jof Magnetism andMagnetie Materials》,1980,15一18.Part3,1201一1202(英文)500462因瓦合金中的低自旋态-一(Chika- zuoi 5.),《J .of Magnetism and Ma- gnetie Materials》,1980,15一18,Part 3,1130一1135(英文)500463定膨胀合金TECHALLOY GLASSEAL 42一《A lloy Digest》,1979,滩10(英 义) 系一种铁镍合金,其热膨胀系数可与1075玻璃匹配,也可与0120和0010玻璃封接。在封接用铁镍合金中其膨胀系数最低.合金含(拓):42Ni,0 .03C,0 .80Mn 51 0.3(],余Feo500464研究低…  相似文献   

14.
[1]J.R.Conrad, J.I.Radtke, R.A.Dodd, F.J.Worzala and N.C.Tran: J. Appl. Phys., 1987, 62, 4591. [2]P.K.Chu, S.Qin, C.Chan, N.W.Cheung and L.A.Larson: Mater. Sci. Eng.: Reports, 1996, R17(6-7), 207. [3]P.K.Chu, B.Y.Tang, Y.C.Cheng and P.K.Ko: Rev.Sci. Instrum, 1997, 68, 1886. [4]X.B.Tian, B.Y.Tang and P.K.Chu: J. Appl. Phys.,1999, 86, 3567. [5]M.M.Shamim, J.T.Scheuer, R.P.Fetherston and J.R.Conrad: J. Appl. Phys., 1991, 70, 4756. [6]M.P.J.Gaudreau, P.E.Jeffrey, M.A.Kempkes, T.J.Hawkey and J.M.Mulvaney: J. Vac. Sci. Technol.,1999, B17, 888. [7]I.Langmuir and K.Blodgett: Phys. Rev., 1924, 24, 49. [8]R.A.Stewart and M.A.Lieberman: J. Appl. Phys.,1991, 70, 3481.  相似文献   

15.
601460制造半导体材料的新方法—《国外科技 消息》,]979年,恤9,9801拓1太阳能电池用高纯硅一一(V.D.Dosaj), 《J .Met.》,1978,30,J哑6,8一3(英文)601462廉价太阳电池材料一(F.A.Shirlan过 等),<< Rep.Prog.Phys.》1978,Vol.41, 恤12,PP .1839一主879001463国外硅半导体器件表面钝化概述一(高 维善),《电子与自动化》,197U年,滩2,30一 37 本文概述国外硅半导体器件表面钝化的方法和材料。主要方法有热氧化、化学汽相淀积、射频溅射、阳极氧化和机械淀积熔凝玻璃等。主要材料有二氧化硅、氮化硅、氧化铝、硼硅和磷硅玻璃以及掺氧半绝…  相似文献   

16.
701418 MgO、Fe/Mgo和Cr/M90的高频介电 性能一一(Thorp J .5.等),《J.Materials Sei.》.1981,18,蚀4,x052一1058(英文)701引9电子陶瓷制造中的显微结构控制— (Yan M .F.),《Mater .Sei.&Engng.》, 1981,48.沁l,53一72(英文)701420三氧化二铬稳定的高温硅酸铝纤维材料 —一咬国外耐火材料》,1马81,掩吐,29一 31(中文)701421A!:0:一ZrOZ一510:系错刚玉材料相组 成的计算一一(沈继耀),《硅酸盐学报》, 1381,9,沁3,353、360(中文)701礴22专利对结构及夹杂敏感的特殊陶瓷,用 粉末冶金产生的TIO合金研磨体一一西德专 利,滩3028一068.…  相似文献   

17.
刘庆宾  邹华 《功能材料》2004,35(Z1):1711-1712
对NiCr-AuFe7热电偶施加不相同的加工应力,得到不相同加工应变率的NiCr-AuFe7热电偶样品.在液氮温度,用标准级铂电阻温度计进行检测.结果表明经过应力加工后,随应变率逐渐增加,NiCr极对铂(Pt)热电势从负方向逐渐增加,绝对数值逐渐减少;AuFe7极对铂(Pt)热电势从正方向逐渐减少,绝对数值逐渐减少;NiCr-AuFe7热电偶配对热电势在负方向逐渐增加,绝对数值逐渐减少.  相似文献   

18.
500467因瓦和艾林瓦非晶态合金—《IEEE Tran;.on Magneties》1979,MAG一15, 座6,1404一1409(英文)500468 FeNi因瓦合金的反常特性与磁非均匀 」l生一一(Shi二izu M.),《J.Magnetism挽 Magnetie Materials》,1980,19,冲l一3 (英文)500469「ePt因瓦合金均匀的强铁磁体—《J. MMM》,1979,12,(2),127一134(英文)5004了0专利无磁低热胀系数合金—〔大同特 殊钢l日本专利,恤54一56019,申请:1匀77, l,沁52一121904,公布:1979,55004了1专利低热胀系数的非晶态钢—〔东北 大学金属材料研究所〕,日本专利,恤53一 l互7G04,申请:1977.5,冲52…  相似文献   

19.
500513 FeNi因瓦合金膜中可逆一Y转变特征 一一(牙R。,oB H.H.等),《中MM》,1981, 51,恤6,1300一1307(俄文)500514 FePd合金的X一射线光谱与因瓦效应中 的电子定域一(3axapOB A .H.等), 《小MM》,1981.51,越6,1314一1317 (俄文)500515专利封接材料,冷轧Fe一Ni合金.热处 理(还原气氛中),并银复层—日本专利, 滩.6003一653,公布:1981年1月500516专利耐磨封接铸铁,含51、B并加适量 的M。以保证硬度—日本专利恤.1003一 424,公布:1981年1月500517专利玻璃封接合金.含Fe、Ni及Mg, 用作气密半导体封接—日本专利沁.5145 一153.公布:1980…  相似文献   

20.
0.仪表与仪表材料一般问题004446微电子学的进步一(丰田博夫),矿科 学》,一381,51,冲10,G00一605(日文)004447超大规模集成电路技术一一(垂井康 夫),《年斗学》,1981,51,沁10,611一610 (日文)0044礴8新型电子器件一半导体器件和约瑟夫逊 结器件一(营野卓雄),欢科学》,1 981.51, 冲to,606一610(日文)004449半导体光电器件及其发展一(余永 权),((国夕l·科技》,198一,凡,rZ,23一25(中 文)004礴50硅微型传感器一(5.Middelhoek等,, 《J .Phys.E:Sei.Jnstrum.》,1081,14, 倾12,]343一1352(英文) 借助于硅平而技术,不仅可能制作集成电路,而且…  相似文献   

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