NAND Flash存储的坏块管理方法

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。     

一种多通道NAND Flash阵列的坏块管理方案

针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间, 同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。     

一种基于NAND Flash固态硬盘的坏块管理方法

基于NAND Flash的固态硬盘存在坏块,坏块无法用于存储数据,需要对其进行管理。每个块用1位信息与之对应建立坏块表,根据坏块表建立逻辑块转变为物理块表,一个逻辑块对应多个不同的物理块。逻辑块转变为物理块表可排除上层对于坏块的操作,保证了数据存储的安全性和可靠性。     

大容量存储中NAND Flash坏块的管理方法

在当今数字时代,NAND Flash由于其非易失性和读写速度快等原因而在大容量存储中的应用越来越广。但由于Flash中不可避免的会出现坏块,对大容量存储的速度与精度都造成了影响,针对大容量存储中NAND Flash存在坏块对其造成的影响,我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行的分类,并提出了相应的管理方案。实践证明,经过对坏块的管理,Flash存储数据的安全性和存储速度都有了很大的提升,提高了系统的整体性能。     

开放式大容量NAND Flash数据存储系统设计与实现

完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放武大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏块管理,均匀损耗.该设计能为各种存储器件提供底层的NAND闪存存储系统,使其能方便快速地存储数据而不需要考虑NAND闪存的物理特性.     

基于NAND Flash的海量存储器的设计

针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。     

NAND flash图像记录系统坏块管理关键技术

提出了NAND flash型高速大容量图像记录系统的高效坏块管理方案。针对坏块表的快速检索和可靠存储问题,提出了基于位索引的坏块信息快速检索结构;为解决坏块快速匹配问题,提出了基于滑动窗口的无效块预匹配机制;对于突发坏块造成写入速度下降问题,提出了滞后回写机制。系统架构全部用硬件方式在FPGA中实现,实验结果表明:检索8个物理块坏块信息仅耗时2个时钟周期;预匹配和正确物理地址生成耗时都为0个时钟周期;突发坏块发生时系统写入速度不受影响,滞后写回在最差情况下耗时也仅22.280 36 ms;系统持续写入速度最大为848.65 MB/s,读取速度为1 265.5 MB/s,擦除速度为9 120.245 MB/s,系统存储容量为160 GB,坏块管理保留容量为8 GB,纠错能力为1 bit/512 B。     

一种基于FAT文件系统的NAND Flash坏块处理方法

NAND Flash具有高存储密度和高存储速率的特点,在嵌入式系统领域得到了广泛应用.但其固有的擦除机制和存在有坏块这一致命弱点,成为其在应用中的主要障碍.本文提出了一种应用于FAT文件系统上的坏块处理方法,使用Flash上其他的空闲块或者空闲空间来代替坏块,并将坏块在FAT表中作出标记以后不作使用.这种方法彻底屏蔽了坏块对上层应用的影响,并对存储介质没有造成任何不良影响,从而很好地克服了上述障碍.工程项目中的应用证明了其较高的可靠性.     

一种NAND Flash控制器验证平台的设计

讨论了验证平台的设计理论、功能以及结构几方面问题,并使用硬件描述语言搭建了自检查的NAND Flash控制器验证平台,在此基础上对控制器进行了全面的功能验证过程。仿真结果验证了该方法的正确性,此方法提高了验证效率、缩短了芯片的研发周期。     

一种通用的NAND Flash参数识别方法

介绍了如何从未知参数NAND Flash芯片中,获得相应参数的一种通用方法,从而打破了这个界限,使得没有获得NAND Flash的datasheet的情况下仍然可以使用.     

基于NAND Flash的存储设备设计与实现

Flash是目前最火的存储介质,具有传输速度快、功耗小、无噪音等优点。但用于存储设备时常因片上总线的局限而性能低下。针对因总线限制Flash性能发挥的问题,设计了一种基于AXI总线的NAND Flash存储设备,所设计的存储设备具有多通道传输、流水线操作、ECC校验,以及RAID5架构存储等功能。设计分析与测试结果表明,设计的基于NAND Flash存储系统传输速度更快,系统更稳定,同时增强了存储数据的可靠性为NAND Flash存储设备的研究提供了一个新的解决方案。     

多通道NAND闪存控制器的硬件实现

本文提出了在一款片上系统(SOC)芯片设计中的多通道NAND闪存控制器实现方案。在对NAND闪存控制器的结构和实现方法的研究上,闪存控制器利用带两个16K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理4个通道,每个通道可以连接4片闪存芯片。控制器内嵌16比特BCH纠错模块,支持AMBAAHB总线与MLC闪存。文中还介绍了行地址计算与快闪存储器存储单元的初始化。结果分析里给出了控制器的仿真波形、功耗分析和综合结果。在一个存储组与一个通道的配置条件下,控制器的实现只需要71K逻辑门。     

NAND Flash与AT91RM9200的接口设计

以三星公司的与非型闪存(NAND Flash)器件K9K8G08U0A为例,介绍了NAND Flash的存储结构和接口信号以及AT91RM9200对NAND Flash的接口支持,分析了NAND Flash两种接口方式的优缺点,阐述了AT91RM9200对NAND Flash的初始化过程,重点以表格形式说明了接口时序的设计,最后对坏块的概念和ECC校验算法原理做了简单的介绍。NAND Flash的复用I/O接口为更新更高密度的器件提供了相同的引线,使得系统的扩展性大大提高。