大容量存储中NAND Flash坏块的管理方法

在当今数字时代,NAND Flash由于其非易失性和读写速度快等原因而在大容量存储中的应用越来越广。但由于Flash中不可避免的会出现坏块,对大容量存储的速度与精度都造成了影响,针对大容量存储中NAND Flash存在坏块对其造成的影响,我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行的分类,并提出了相应的管理方案。实践证明,经过对坏块的管理,Flash存储数据的安全性和存储速度都有了很大的提升,提高了系统的整体性能。     

一种基于大容量数据记录仪的坏块管理设计

总结了目前基于FPGA的NAND Flash芯片数据记录仪常用的坏块处理方法,提出了一种基于FPGA的大容量数据记录仪的坏块管理方案.该方案利用FPGA内部RAM空间建立坏块地址信息存储区,通过坏块查询模块来查询存储区中的坏块信息,来确定当前存储块是否为坏块,若是坏块则跳过,从而避免对坏块的操作,实现了对Flash存储空间的有效管理.该方案只占用FPGA较少的内存资源,在大容量数据记录仪的坏块管理方面具有较大的优势.仿真分析表明,该方案可行,并取得了预期结果.     

一种多通道NAND Flash阵列的坏块管理方案

针对多通道NAND Flash阵列对可靠性的要求,提出一种坏块管理方案,优化坏块信息的存储和查询方法,把坏块和替换块地址映射表存储在FRAM中。测试数据证明,方案可以实现多通道NAND Flash阵列的坏块管理,保证了存储的可靠性。优化的坏块表及查询方法缩短了坏块查询时间,FRAM节省了有效块地址映射时间, 同时FRAM的铁电效应,进一步提高了数据存储的可靠性。     

基于NAND Flash的海量存储器的设计

针对存储系统中对存储容量和存储带宽的要求不断提高,设计了一款高性能的超大容量数据存储器。该存储器采用NAND Flash作为存储介质,单板载有144片芯片,分为3组,每组48片,降低了单片的存储速度,实现了576 Gbyte的海量存储。设计采用FPGA进行多片NAND Flash芯片并行读写来提高读写带宽,使得大容量高带宽的存储器得以实现。针对NAND Flash存在坏块的缺点,提出了相应的管理方法,保证了数据的可靠性。     

一种高可靠大容量星载存储器的设计与研究

凭借着存储密度大和存储速率高的特点,基于NANDFlash的大容量存储器在星载存储领域得到了广泛的应用,由于NAND Flash本身存在缺陷,基于NAND Flash的大容量存储器在恶劣环境下的可靠性难以保证.提出了通过FPGA设计SRAM对关键数据三模冗余读取和缓冲、NAND Flash阵列热备份和数据的回放校验以及合理的坏块管理等措施,实现了高可靠性的大容量存储器.实验说明该系统不会因为外在偶然因素而造成数据的不完整,而且整个存储系统的成本开销相对于目前的星载存储器也非常低.     

大容量NAND Flash K9T1G08U0M在网络存储中的应用

针对嵌入式系统对存储的需求,提出了基于大容量NAND Flash的存储方案.简要介绍NAND Flash器件K9T1G08U0M及其编程特点,并讨论了网络存储应用的存储策略和数据可靠性方面的考虑,设计并实现了网络数据流的NAND Flash存储.     

大容量NAND Flash K9T1G08UOM在网络存储中的应用

针对嵌入式系统对存储的需求，提出了基于大容量NAND Flash的存储方案。简要介绍NAND Flash器件K9T1G08UOM及其编程特点，并讨论了网络存储应用的存储策略和数据可靠性方面的考虑，设计并实现了网络数据流的NAND Flash存储。     

一种基于NAND Flash固态硬盘的坏块管理方法

基于NAND Flash的固态硬盘存在坏块,坏块无法用于存储数据,需要对其进行管理。每个块用1位信息与之对应建立坏块表,根据坏块表建立逻辑块转变为物理块表,一个逻辑块对应多个不同的物理块。逻辑块转变为物理块表可排除上层对于坏块的操作,保证了数据存储的安全性和可靠性。     

一种基于FAT文件系统的NAND Flash坏块处理方法

NAND Flash具有高存储密度和高存储速率的特点,在嵌入式系统领域得到了广泛应用.但其固有的擦除机制和存在有坏块这一致命弱点,成为其在应用中的主要障碍.本文提出了一种应用于FAT文件系统上的坏块处理方法,使用Flash上其他的空闲块或者空闲空间来代替坏块,并将坏块在FAT表中作出标记以后不作使用.这种方法彻底屏蔽了坏块对上层应用的影响,并对存储介质没有造成任何不良影响,从而很好地克服了上述障碍.工程项目中的应用证明了其较高的可靠性.     

基于EPG3231和闪存的声音播放器设计

提出一种在单片机系统中比较简单地使用大容量NAND Flash存储器的方法.与一般方法相比,编写应用程序的程序员不需要掌握计算机文件系统的规范,只要按照NAND Flash的读、写、擦除等时序对其进行操作,把NAND Flash当成NOR Flash或SRAM来对待,这样存储器的物理地址对程序员而言是透明的,只需要在遇到坏块(BAD BLOCK)时跳过该块就可以了.该方法降低了使用NAND Flash存储器的难度和成本,且不仅适用于EPG3231,也可以推广到一般的8位单片机系统中使用.     

NAND Flash存储的坏块管理方法

针对NAND Flash海量存储时对数据可靠性的要求,提出了一种基于在FPGA内部建立RAM存储有效块地址的坏块管理方法。在海量数据存储系统中,通过调用检测有效块地址函数确定下一个有效块地址并存入建好的寄存器中,对NANDFlash进行操作时,不断更新和读取寄存器的内容,这样就可以实现坏块的管理。实验证明,本方法可以大大减小所需寄存器的大小并节省了FPGA资源,经过对坏块的管理,可以使数据存储的可靠性有很大的提升。     

WinCE系统上大容量NAND Flash驱动设计与优化

NAND Flash具有存取速度快、体积小、成本低的特点,适宜作为海量数据的存储设备.本文设计了一种大容量NAND FLASH在WinCE系统上的实现方案.通过动态扇区分配、坏块管理和数据缓存等技术,提高了Flash驱动的安全性、稳定性和读写性能.经过优化后,平均读取速度2Mbyte/s,写入速度3Mbyte1/s.整个驱动通过了微软测试工具CETK(WinCE Test kit)的测试.     

基于NAND FLASH的高速大容量存储系统设计

为了解决目前记录系统容量小、存储速度低的问题,采用性能优良的固态NAND型FLASH为存储介质,大规模集成电路FPGA为控制核心,通过使用并行处理技术和流水线技术实现了多片低速FLASH对高速数据的存储,提高了整个系统的存储容量和存储速度。针对FLASH内部存在坏块的自身缺陷,建立一套查询、更新和屏蔽坏块的处理机制,有效的提高了数据存储的可靠性。     

NAND Flash与AT91RM9200的接口设计

以三星公司的与非型闪存(NAND Flash)器件K9K8G08U0A为例,介绍了NAND Flash的存储结构和接口信号以及AT91RM9200对NAND Flash的接口支持,分析了NAND Flash两种接口方式的优缺点,阐述了AT91RM9200对NAND Flash的初始化过程,重点以表格形式说明了接口时序的设计,最后对坏块的概念和ECC校验算法原理做了简单的介绍。NAND Flash的复用I/O接口为更新更高密度的器件提供了相同的引线,使得系统的扩展性大大提高。