Littelfuse新增低电容型SP3014系列SPA二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前发布了低电容型SP3014系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),为可能经历破坏性静电放电(ESD)的电子设备提供保护。SP3014系列集成了两个通道的低电容控向二极管与齐纳二极管,可安全地吸收超过IEC61000-4-2国际标准中最高等级的反复ESD震击而性能不会下降。相比类似硅解决方案,SP3014系列可将箝位电压降低50%以上,从而保护     

Littelfuse公司推出低电容型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,2014年8月其推出了低电容型SP2574NUTG瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),旨在保护高速差分数据线免受因静电放电(ESD)、电缆放电(CDE)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损害。SP2574NUTG来自SP2574N系列瞬态抑制二极管阵列,     

Littelfuse推出瞬态抑制二极管阵列

2015年3月17日,Littelfuse公司宣布推出了SLVU2.8-8系列2.8 V、30 A瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管),该产品专为保护低压CMOS设备免受ESD及雷击瞬态电压损害而设计。与市场同类解决方案相比,SLVU2.8-8系列能够为电路设计人员提供高出25%的电源处理能力,具有更高的电气安全系数。它还具有比其它解决方案低57%的电容,有助于保持信号完整性,并将数据丢失率降至最低。SL-     

瞬态抑制二极管阵列

Littelfuse为其SP3012系列瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）产品新添两种封装选择。与该系列的其他产品类似,新器件经过优化,可防止外部ESD（静电放电）对高速数据线的敏感型芯片组造成破坏。     

SP4020／1：SPA二极管

Littelfuse公司推出两个系列的分散式低电容瞬态抑制二极管阵列（SPA二极管）,这两个系列均经过优化,     

专为RS-485端口保护优化的瞬态抑制二极管阵列

正SM712系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)旨在保护具有不对称工作电压(-7~12V)的RS-485应用免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏。SM712系列可以在IEC61000-4-2国际标准规定的最高级别安全地吸收反复性ESD放电,且性能不会下降。并可在极     

Littelfuse推出ESD保护和共模EMI滤波相结合的瞬态抑制二极管阵列系列

正Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了SP5001、SP5002和SP5003系列瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)。这些高度集成的共模滤波器(CMF)可为使用高速差分串行接口的系统同时提供静电放电(ESD)保护和共模滤波功能。它们可以保护和过滤两个(SP5001和SP5003)或者三个(SP5002)差分线对。上述产品采用符合RoHS规范的TDFN封装和紧凑型设计,与离散型解决方案相比可显著节约成本和空间。这些符合AEC-Q101标准的器件     

Littelfuse推出新型瞬态抑制二极管阵列

正Littelfuse公司日前宣布推出SPHV(单向)和SPHV-C(双向)系列200W分立瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管);相比早期技术,这两个产品系列能够更好地保护敏感设备免遭静电放电(ESD)和其它过压瞬变造成的损坏。SPHV和SPHV-C系列可安全吸收超出IEC61000-4-2国际标准中最高值的反复性ESD震击,而不会引起性能下降,并能以非常低的箝位电压耗散高达8A的感应浪涌电流。由于采用SOD882封装,非常适合替代汽车电子产品、LED照明     

一种系统级封装的ESD保护技术

介绍了一种系统级封装(SiP)的ESD保护技术.采用瞬态抑制二极管(TVS)构建合理的ESD电流泄放路径,实现了一种SiP的ESD保护电路.将片上核心芯片的抗ESD能力从HBM 2 000 V提升到8 000 V.SiP ESD保护技术相比片上ESD保护技术,抗ESD能力提升效果显著,缩短了开发周期.该技术兼容原芯片封...     

SD05／SD05C：二极管阵列

Littelfuse公司推出450WSD05（单向）和SD05C（双向）系列通用TVS二极管阵列（SPA设备）,以取代多层压敏电阻（MLV）用于保护因静电放电（ESD）和其他瞬态现象导致的对电子设备的破坏。陶瓷元件具有内部磨损缺陷,SD05和SD05C系列元件由硅二极管制造而成,可安全地吸收ESD的反复震击或瞬态浪涌而不会降低性能。     

Vishay发布新款超小型ESD保护二极管

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小型CLP0603硅封装的新款双向对称(BiSy)单路ESD保护二极管---VCUT05D1-SD0。VCUT05D1-SD0具有10 pF的低电容,可在便携式电子产品中保护信号和数据线路免受瞬态电压信号的侵扰,并大大节省PCB空间。     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太陬数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制（TVS）二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电（ESD）带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

使用BUS端口保护阵列实现有源ESD保护

许多便携式应用需要超过8kV的ESD保护，同时将电容保持在5pF以下。ZZ．极管能够单独满足这一要求，但当与开关或结型二极管等低电容PN二极管相结合时，它们可同时满足该应用的以下两种要求：低电容以及高ESD和浪涌抗扰性。     

英飞凌电路保护二极管为千兆以太网数据接口提供浪涌和静电保护功能

英飞凌科技股份公司近日发布了一款全新瞬态电压抑制(TVS)二极管,用于保护千兆以太网接口,以防电压浪涌或静电放电(ESD)带来的损害。这款型号为TVS3V3L4U的二极管具备极低的电容,可满足目标应用对于信号完整性的高要求,同时还具备英飞凌应用广泛的保护器件产品系列所共有的强抗打击能力和电压钳位特性。     

使用BUS端口保护阵列实现有源ESD保护

许多便携式应用需要超过8kV的ESD保护,同时将电容保持在5pF以下。Z二极管能够单独满足这一要求,但当与开关或结型二极管等低电容PN二极管相结合时,它们可同时满足该应用的以下两种要求:低电容,以及高ESD和     

使用BUS端口保护阵列实现有源ESD保护

许多便携式应用需要超过8kV的ESD保护，同时将电容保持在5pF以下。Z二极管能够单独满足这一要求，但当与开关或结型二极管等低电容PN二极管相结合时，它们可同时满足该应用的以下两种要求：低电容，以及高ESD和浪涌抗扰性。     

瞬态电压抑制二极管TVS及其应用

箝位型二极管(TVS)是目前被广泛应用的瞬态电压抑制二极管。TVS在反向应用条件下,感受到高瞬态能量时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值,把电压箝位到预定电压,从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。双向性TVS可正负方向吸收瞬时脉冲大电流,把电压箝位到预定值。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。     

ESD防护仿真技术研究

静电放电（ESD）一直是电子产品的重大威胁,严重的还会造成芯片失效。在设计阶段需对芯片受ESD冲击后的耦合情况进行预测评估,并为芯片设计有效的ESD防护,实现系统级高效ESD设计（SEED）成为发展趋势。文章研究了瞬态抑制二极管（TVS）对静电的响应情况,并将TVS分为回滞型与非回滞型,分别建立了SPICE模型。提出了一种新的ESD发生器电路模型和全波模型,所得电流波形与实测数据吻合较好。两种模型的电流特征值与IEC 61000-4-2:2008要求的偏差较小。为复现完整的系统级ESD测试环境提供了支持,也为探索芯片在系统级ESD测试下的行为模式打下基础。     

Vishay推出新款4线总线端口保护阵列

Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)推出采用新型超小尺寸LLP2510封装的新款4线ESD保护阵列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面积只有2.5mm×1.0mm,高度低至0.55 mm,其低电容和低泄漏电流的特性可以保护高速信号线免受瞬态电压信号的损害。     

ESD3V3S1．B：TVS二极管

英飞凌科技推出一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。新±3．3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。