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在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心. 相似文献
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采用大剂量氧离子注入(170keV,1.8×1018+/cm2)p型单晶硅,高温退火(1300℃,6h)后形成SOI-SIMOX(SiliconOnInsulator-SeparationbyImplantatlonofOxygen)样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明,该样品表层硅膜的导电类型由p型反型为n型。SIMOX样品的反型是硅中的氧施主所致,由近自由电子的类氦模型计算,SIMOX样品中氧施主的电离能为0.15eV,与早期文献报导的实验值一致。 相似文献
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本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔 相似文献
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本文介绍一种确定SOI/MOS结构中沿硅薄膜厚度多子漂移分布和杂质分布的简单方法(其掺杂剖面是随机不均匀的)。这种方法基于使用一种耗尽型晶体管与栅控二极管的组合结构。作者列举在激光区熔再结晶多晶硅制的SOI结构和SOS结构上以相同工艺制作器件的对比研究结果。由这些结果可见,在包含有晶粒间界和子晶粒间界的SOI薄膜中,沿膜厚的载流子迁移率是恒定的,而且远远超过SOS膜中的迁移率。 相似文献
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航空成像光谱水质遥感研究 总被引:39,自引:2,他引:39
用OMIS-Ⅱ航空成像光谱仪在有地区进行了地表遥感实验,研究了OMIS-Ⅱ波段反射比R(21)/R(18)与藻类叶绿素浓度的关系,由OMIS-Ⅱ遥感图像估算了研究区域内发素浓度分布,并将遥感估算值与地面采样数据进行了比较。结果表明,OMIS-Ⅱ能够提高藻类叶绿素定量遥感的精度。 相似文献
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目前,SOI(SiliconOnInsulator)材料的一个主要用途是用来制作抗辐照电路,本文以SIMOX(SeperationbyIMplantationofOXygen)技术为主,详细论述了SOI材料和器件(MOSFET)的辐照特性及其机理,包括总剂量、瞬时和单粒子效应,并以总剂量效应为主。经过恰当的加固工艺和优化设计,可以制造出优良的抗辐照集成电路。 相似文献
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在新材料SIMOX上制作CMOS器件,并采用静态I-V技术,研究了CMOS/SIMOX在(60)Co-γ电离辐照场中辐照感生界面态、氧化物正电荷、阈值电压、静态漏电流等参数的变化。结果表明,在辐照过程中,氧化物正电荷增加较多,界面态增加较少,且NMOS和PMOS"导通"辐照偏置是最恶劣偏置。 相似文献