积层绝缘树脂沾污去除和化学镀铜工艺

概述了积层绝缘树脂用的去沾污和化学镀铜工艺,可以制造高速信号传输,微细线路和高可靠性的下一代半导体封装基板。     

印制电路板直接电镀技术

印制电路板（PCB）是绝大多数电子产品实现电子器件互联的基板。传统的印制板制造要用到化学镀铜等化学工艺。这些工艺中要用到一些对人体和环境有影响的化学品,同时要使用和排放大量的水,其中含有致癌物甲醛等各种化学物质,因而带来严重环境问题。为此,开发了替代这些对环境有严重污染的工艺的新技术,这就是印制板直接电镀技术。其关键是采用了导电聚合物来替代化学镀铜。     

Electroless nickel plating process model for plated-through-hole board manufacturing

In this paper, the electrochemical reaction mechanism is used to develop a mathematical model for an electroless nickel plating process of plated-through-hole board. The model is calibrated against experimental data and the result, which is in good agreement with measured data, applied for state estimation of the unobservable processes. The electrical, chemical, and board parameters are estimated from measurements that are standard in the nickel plating industry.     

New plating bath for electroless copper deposition on sputtered barrier layers

A new copper plating bath for electroless deposition directly on conductive copper-diffusion barrier layers has been developed. This plating bath can be operated at temperatures between 20 and 50°C and has good stability. High temperature processing allows for increased deposition rates and decreased specific resistivity values for the deposited copper films. Electroless Cu films deposited from this bath showed a conformal step coverage in high aspect ratio trenches and, therefore, are promising as seed layers for copper electroplating. The effect of the bath composition, activation procedure and processing temperature on the plating rate and morphology of the deposited copper has been studied and is presented here.     

亚铁氰化钾添加于次亚磷酸钠还原化学镀铜的试验优化

化学镀铜技术是印制电路中的重要部分,采用正交实验法研究了以次亚磷酸钠为还原剂添加亚铁氰化钾的化学镀铜溶液,得到了的最佳参数和条件.镀液中添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,形貌得到改善,电阻率明显降低,镀层中镍的含量也有所降低.     

次亚磷酸钠作还原剂化学镀铜工艺研究

近年来,化学镀铜技术在PCB行业、机械工业、航空航天等各行业有着越来越广泛的应用,有关化学镀铜的机理研究和工艺路线改进等课题已成为当今材料表面处理研究领域的热点之一。然而,以甲醛为还原剂的传统化学镀铜工艺受绿色制造的要求,其使用将受到限制,开发非甲醛体系化学镀具有巨大市场潜力。本文采用RF-4环氧树脂为基材,研究了以次亚磷酸钠为还原剂的化学镀铜工艺的改进,并且讨论了添加剂的加入对镀铜层形貌和性能的影响。     

AZ91D化学镀Ni-P结构耐蚀性研究

利用金相、SEM、TEM、XRD、盐雾、电化学测量系统研究了镁合金AZ91D的化学镀Ni-P镀层组织结构及耐蚀性能,结果表明,化学镀镍层为胞状致密结构,镀层厚度均匀,与基体结合良好.P的质量分数为6.68%,为中P镀层,镀层阻抗为0.6 Ω,镀层组织为非晶加少量微晶;镀层耐腐蚀性能良好,连续盐雾8 h未出现腐蚀斑点.盐雾腐蚀速率明显低于基体的腐蚀速率.化学镀镍磷层的最小腐蚀电流密度为4.52μA/cm2,腐蚀电位为-250 mV.低于200℃退火,镀层的耐腐蚀性能有所提高,而高于200℃退火,其耐腐蚀性能随温度提高而降低.     

纳米钯材料的制备及其在PCB化学镀铜中的应用

以二水合氯化钯为原料,PVP（聚乙烯吡咯烷酮）为分散剂,抗坏血酸（从）为还原剂,在常温下还原Pd^2＋制备纳米钯。通过激光动态散射法（DSL）,透射电子显微镜（TEM）和X射线衍射仪（XRD）对纳米钯进行了表征分析,结果显示,在PVP分散剂的作用下,得到的纳米钯为粒径8nm～22nm,无其他的氧化物存在。该纳米钯材料可作为化学沉铜的活化液,可以减少沉铜的工艺步骤,经过金相显微镜观测化学镀铜后的孔背光级数均达到10级,通过扫描电镜观察镀铜层表面颗粒均匀、平整。所制备的纳米钯是一种优异的化学镀铜活化剂。     

Room temperature electroless plating copper seed layer process for damascene interlevel metal structures

Described in this paper is the development of a room temperature electroless copper seed layer deposition process on ultra-thin TiN barrier layers. This novel process is compatible with damascene interlevel metal structures for sub-0.18 micron ULSI processes. An optimum copper layer thickness of 50 nm and a deposition rate of 45 nm min⁻¹ was targeted and obtained. Atomic force microscopy (AFM) reveals that the non-uniformity of the seed layer is less than 10% of the film thickness, while four-point probe measurements indicate that the resistivity of the copper seed layer is less than 6 μΩ cm⁻¹. Secondary ion mass spectroscopy (SIMS) reveals that potential metallic contaminants such as sodium, potassium, calcium and magnesium ions do not penetrate the TiN barrier layer. Rutherford back scattering (RBS) indicates that the palladium concentration in the seed layer is approximately 1%, which is low enough to avoid wafer contamination and increased resistivity in the subsequent electroplated copper layer.     

电引发化学镀铜机理及应用

主要论述了印制电路板化学镀铜所采用的电引发起镀技术及其作用机理,同时给出其应用方法。     

AZ31镁合金表面激光Al合金化及性能

采用火焰喷涂及激光重熔工艺在AZ31镁合金表面制备Al合金化层,以期改善镁合金的表面性能。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）等材料表征手段分析了合金化层显微组织结构特征,利用显微硬度计测量合金化层深度方向上的显微硬度,利用MRH3摩擦磨损实验机测试合金化层的耐磨性能。通过阳极极化实验评价了激光合金化组织的腐蚀性能。结果表明,AZ31镁合金激光合金化层的硬度、耐磨性和耐腐蚀性能明显提高,这归因于合金化层中密集分布的Mg2Al3、Mg17Al12等金属间化合物相。     

激光冲击次数对镁合金电化学特性的影响

为了研究激光冲击对镁合金表面抗腐蚀性能的影响,利用钕玻璃脉冲激光对AZ31镁合金表面进行不同次数的激光冲击处理,用透射电子显微镜观察镁合金表层的微观组织,并采用电化学测量技术在氯化钠溶液(质量分数为0.035)中测试其极化曲线和电化学交流阻抗谱的影响。结果表明,激光冲击波导致镁合金表面层产生超高应变速率的塑性变形;晶粒内部存在与孪晶相互交叉、相互缠结的高密度位错而导致晶粒细化;极化曲线和交流阻抗谱表明1次激光冲击后AZ31的自腐蚀电位提高约267mV;腐蚀电流稍有增大,反应电阻增大,抗腐蚀性明显提高;随着冲击次数的增多,腐蚀抗力未明显提高。其相应的交流阻抗谱也得出与极化曲线相同的结论。该研究对于激光冲击处理镁合金提高耐腐蚀性具有一定的参考价值。     

电镀废液回收铜粉的化学镀银工艺及其电磁屏蔽性能

采用高频超声脉冲电解法从电镀铜废液中回收制备枝晶状的铜粉,并在铜粉表面进行化学镀银以制备电磁屏蔽用银包铜粉,采用SEM、EDS、XRD、TEM等对其进行形貌和组分分析,研究了银包铜粉复合涂层的导电性能和电磁屏蔽性能。结果表明,经过表面化学镀银可以有效地避免铜粉的氧化;涂层的电磁屏蔽性能与银包铜粉的添加量紧密相关,当涂层中银包铜粉质量分数为60%时,其电磁屏蔽效率高达52 dB。     

玻璃、陶瓷表面Ni-P化学镀研究

在普通平板玻璃和空心陶瓷基材表面沉积Ni-P合金。对镀液成分及用量、温度、pH值、施镀时间等工艺参数用均匀设计进行组合筛选,获得可沉积光亮Ni-P镀层的中低温酸性玻璃基体Ni-P化学镀工艺:NiSO4.7H2O30gL-1,NaH2PO2.H2O22gL-1,琥珀酸36gL-1,添加剂A2mgL-1,温度48～50℃,pH值5.8～6.0;对玻璃表面化学镀镍进行改进获得了空心陶瓷表面高温酸性Ni-P化学镀工艺:NiSO4.7H2O29gL-1,NaH2PO2.H2O38gL-1,琥珀酸36gL-1,添加剂A2mgL-1;,温度90±1℃,pH值5.5～6.0。玻璃表面镀层表面质量良好、光亮、平整,有较好结合力;有效沉积时间达到15min时,空心陶瓷表面镀层表面质量良好,与陶瓷表面有较好结合力。     

多向压缩路径下AZ31镁合金孪生行为的EBSD研究

本文利用EBSD技术研究了室温下AZ31镁合金多向压缩变形中的孪生行为。实验结果表明TD方向预压缩变形以{10 12}〈1011〉拉伸孪生为主,导致晶体取向产生86°旋转,{0001}极图中TD附近出现极强的峰值,从而使后续ND方向压缩变形时有利于退孪生行为发生,{0001}极图中ND附近重新出现极强的峰值。     

含Ni2+化学镀废液微波处理研究

探讨了微波辐照时间、微波功率大小、活性炭和NaOH添加量等对废液中Ni²⁺处理效果的影响,并对作用机理进行了分析。研究发现,加入活性炭并引入微波作用能够明显提高沉淀反应速率,活性炭在反应中起到催化剂作用;随着微波功率的增加,Ni²⁺沉淀反应速率不断提高,最终出现饱和;Ni²⁺质量浓度为1.25 g/L的废液100 mL,NaOH添加质量1.12 g时,沉淀反应达最佳状态。     

多向压缩路径下AZ31镁合金孪生行为的EBSD研究

本文利用EBSD技术研究了室温下AZ31镁合金多向压缩变形中的孪生行为.实验结果表明TD方向预压缩变形以{1012}〈1011〉拉伸孪生为主,导致晶体取向产生86°旋转,{0001}极图中TD附近出现极强的峰值,从而使后续ND方向压缩变形时有利于退孪生行为发生,{0001}极图中ND附近重新出现极强的峰值.     

激光冲击强化AZ31镁合金表面残余应力分析

为了优选激光冲击工艺参量以获得最大的表面残余压应力,利用激光冲击和塑性变形理论推导出了激光冲击AZ31镁合金表面最大残余压应力公式,并采用ABAQUS有限元软件分析了其激光冲击后的残余应力场。结果表明,获得较大残余压应力场的激光冲击波载荷范围为1.2GPa~1.7GPa,随着载荷的增加,残余应力增加,当载荷在1.4GPa~1.6GPa时,最大残余压应力为125MPa左右;冲击载荷在1.8GPa时,出现轻微的残余应力洞现象;而在大于1.9GPa时,均出现明显的残余应力洞现象;载荷p=1.474GPa时最大残余应力为-128.5MPa。理论推导和有限元分析结果基本一致。     

铝上化学镀镍层耐蚀性研究

采用中性盐雾腐蚀试验方法对铝上化学镀镍层的耐蚀性进行了研究，重点比较和讨论了镀层厚度和镀层含磷量以及镀覆工艺对化学镀Ni—P合金层耐蚀性的影响。     

PZT陶瓷酸蚀工艺对化学镀镍附着力的影响

化学镀镍是一种先进的PZT陶瓷覆镀电极层的技术,其镍层附着力大小是影响电极层质量的关键因素.通过PZT陶瓷镀镍前的酸蚀工艺试验,查明了酸蚀液类型、酸蚀液浓度、超声功率大小、酸蚀时间等影响结合力的因素,并选择出最佳工艺条件.