叉指电极中ZnO纳米棒网络状结构紫外探测器的研制

Using a low temperature hydrothermal synthesis method,ZnO nanorod networks have been directly grown across trenched Au microelectrodes arrays,which were modified with a layer of ZnO seeds.The characteristics of the current-voltage（I-V） and the photoresponse were obtained both in the dark and under ultraviolet illumination.The bridged nanorod network demonstrated a highly sensitive response to UV illumination in atmosphere at room temperature.It can be useful for nanoscale optoelectronic applications,serving as chemical sensors,biological sensors,and switching devices.     

微型纳米激光器

美国加利福尼亚大学的研究人员在相当人的头发丝千分之一大小的纳米导线上制造出了纳米激光器。这种激光器不仅能发射紫外光，经过高速后还能发射从蓝色到深紫色的光。     

ZnO纳米带的电子显微学研究

自从1991年Iijima发现纳米炭管以来，一系列的一维纳米材料(包括纳米线、纳米带、纳米棒等)被相继用不同的方法制备出来。由于它们独特的结构特性和因此而具有的不同于传统二维、三维材料的新颖物理性质，这些一维纳米材料有着很大的基础研究价值和潜在的应用价值，从而受到人们的广     

多光子激发下ZnO微针的紫外激光特性研究

以氧化锌（ZnO）粉和碳（C）粉的混合物作为原材料,利用碳热还原的方法合成了六角纤锌矿结构的ZnO微针。用800 nm的近红外激光激发单根微针,在紫外出现两个辐射带,其中一个带的中心波长在392 nm附近,随激发功率的增大略有红移,源自激子-激子散射引起的辐射;另一个带的中心波长大于400 nm,源自电子-空穴等离子体...     

室温紫外纳米线纳米激光器

演示了半导体纳米线阵列中的室温紫外激射。利用简单的蒸汽传输冷凝技术制造了生长在蓝宝石基底上的自组织＜0001＞定向氧化锌纳米线。这种宽带隙半导体纳米线形成了直径20－50nm、长度达10μm的自然激光腔。在光激励下,观察到385nm的面发射激光行为,辐射线宽小于0．3nm。纳米线的化学灵活性和一维性使其成为理想的小型化激光光源。这种短波长纳米激光器可能有很多应用,包括光计算、信息存储和微量分析等。     

ZnO纳米棒的电沉积生长方法研究

用含有硝酸锌(Zn(NO3)2)和六次甲基四胺(HMTA,C6H12N4)的电解液,在低温环境下采用阴极电沉积法在ITO玻璃上成功合成了氧化锌(ZnO)纳米棒阵列。系统研究了电压、前驱物(Zn2+)浓度、温度和种子层等参数对ZnO纳米棒形貌结构的影响,实现了ZnO纳米棒的可控制备。结果表明,在有种子层的情况下,当电压为-0.9V、Zn2+浓度为0.01M、温度为75℃条件下生长的ZnO纳米棒c-轴择优取向好、尺寸均匀(80~100nm),且在380~750nm的可见光波长范围内的透射率达到80%。     

紫外光照下ZnO基薄膜的光电和气敏特性研究

用sol-gel法制备ZnO及掺杂Al3+的ZnO半导体薄膜,利用XRD和AFM对薄膜结构和形貌进行表征。测量了不同掺Al量的薄膜在紫外光照射下电阻的变化,发现随着掺Al量的增大,薄膜在紫外光(波长为365nm)照射后其电阻先减小后增大。在室温下,对薄膜在不同浓度的CO气体下的敏感特性进行了研究,随着气体浓度的增加,薄膜电阻值逐渐减小;随着掺Al量的增大,气敏灵敏性先逐渐增大后减小,发现当铝含量为r(Al:ZnO)=0.5%时,对CO气体的灵敏度最大,并对紫外光照射下气敏半导体薄膜的气敏机理进行了简单分析。     

ZnO纳米棒中结的透射电镜研究

本文采用化学气相沉积法制得大量ZnO纳米棒,利用会聚束电子衍射(CBED)研究了纳米棒的生长方向,验证了纳米棒在生长过程中产生碰撞.通过TEM研究发现,纳米棒沿c轴生长,碰撞形成的晶界并不是一个随机取向的大角晶界,为了降低能量,晶界具有孪晶关系.晶界的存在导致晶体产生缺陷生长,使纳米棒的结的附近区域长粗.     

Ultraviolet ZnO Photodetectors with High Gain

Fabrication and characterization of metal-semiconductor-metal ultraviolet(MSM UV) photodetector based on ZnO ultra thin(nano scale) films with Pd Schottky contact are reported.The ZnO thin film was grown on glass substrate by thermal oxidation of pre-deposited zinc films using vacuum deposition technique.With applied voltage in the range from -3V to 3V,the contrast ratio,responsivity,and detectivity for an incident radiation of 0.1 mW at 365 nm wavelength were estimated.The proposed device exhibited a high ...     

A High-Performance Ultraviolet Photoconductive Detector Based on a ZnO Film Grown by RF Sputtering

A high-performance metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector was fabricated based on a ZnO film with Al interdigitated (IDT) electrodes. A c-axis-oriented ZnO film was grown on a SiO₂/Si (100) substrate at room temperature by a reactive radiofrequency (RF) sputtering technique and then annealed at 900°C in pure O₂ ambient for 1 h. The fabricated ZnO ultraviolet (UV) detector demonstrated a high responsivity of 2069 A/W when biased at 5 V, which could be attributed to the influence of the annealing process in pure O₂ ambient. The response time measurement showed a rise time (10–90%) of 45.1 ns and a decay time (1 − 1/e) of 541 μs.     

ZnO薄膜紫外探测器的光电性质

采用直流反应磁控溅射的方法制备ZnO薄膜, 用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见光谱仪(UV-Vis)分别表征ZnO薄膜的晶体结构和表面形貌等特征。并用此材料制备Au/ZnO/Au金属-半导体-金属(MSM)结构光电导型ZnO薄膜紫外光探测器。实验结果表明, ZnO探测器在360 nm出现明显光响应,其光电流为2.5 mA, 在5 V偏置电压下暗电流为250 μA; ZnO紫外探测器在250～380 nm的紫外波段, 探测器有很明显的光响应, 且光电流响应比较平坦; 在380～430 nm区域, 光响应明显下降; 其光响应的上升与下降弛豫时间分别为20 s与80 s。从光谱响应图中可以看出紫外(360 nm)比可见区(450 nm)的光响应高出3个数量级, 薄膜表面存在的缺陷(如氧空位)在ZnO紫外探测器的光电效应中有重要作用。     

ZnO薄膜紫外受激发射研究的最新进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著优点是在紫外波段存在着受激发射.光泵浦紫外受激发射的获得和自形成谐振腔的发现,使ZnO薄膜成为一种备受青睐的新型光电材料,在紫外探测器,LED,LD等领域有着广阔的应用前景.文章详细阐述了ZnO薄膜的紫外受激发射研究的最新进展.     

脉冲激光沉积法制备氧化锌薄膜

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,具有优良的晶格、光学和电学性能,其显著的特点是在紫外波段存在受激发射。利用脉冲激光沉积法(PLD)在氧气氛中烧蚀锌靶制备了纳米晶氧化锌薄膜,衬底为石英玻璃,晶粒尺寸约为28-35 nm。X射线衍射(XRD)结果和光致发光(PL)光谱的测量表明,当衬底温度在100-250℃范围内时,所获得的ZnO薄膜具有c轴的择优取向,所有样品的强紫外发射中心均在378-385 nm范围内,深能级发射中心约518-558 nm,衬底温度为200℃时,得到了单一的紫外光发射(没有深能级发光)。这归因于其较高的结晶质量。     

低强度He-Ne激光联合紫外线照射治疗褥疮的护理观察

为探讨光子辐射在临床褥疮护理中的作用,我们在常规护理的基础上联合应用低强度He-Ne激光与紫外线局部照射治疗20例住院病人34处褥疮.结果显示低强度激光联合紫外线局部照射治疗34处褥疮,其中治愈31处,占91.2%,3处好转,占8.8%;I期或浅Ⅱ期褥疮创面3～4天痂膜干缩,深Ⅱ-Ⅲ期褥疮治疗时间13～16天,创面干燥结痂.联合应用低强度激光和紫外线照射褥疮创面是一种安全、有效的治疗方法,值得推广应用.     

紫外激光器及其在激光加工中的应用

紫外激光的波长短,能量聚集集中,分辨率高,特别是具有"冷加工"的特性,能直接破坏连接物质的化学键,而不产生对外围的加热,因此成为加工脆弱物质的理想工具,并能对多种材料进行打孔、切割、烧蚀,在微加工领域中具有广泛的应用.简要介绍了几种紫外激光器的原理特点及其发展现状,并讨论了它在激光加工中的应用.     

紫外臭氧垂直探测仪波长定标研究(英文)

介绍了一种新的紫外臭氧垂直探测仪波长定标方法。结合连续光谱和单色仪产生特征谱线克服了一些特殊波段内离散线谱的缺失。紫外臭氧垂直探测仪的波长定标系统主要由高稳定氙灯光源、1.5 m车尔尼-特纳型单色仪以及前置、后置光学系统构成。该新方法的基本原理主要是一个相互定标校准的过程。紫外臭氧垂直探测仪自带汞灯在紫外波段给波长定标系统提供参考标准光谱,波长定标系统则反过来给紫外臭氧垂直探测仪提供12个更高线性精度的臭氧吸收特征光谱。该波长定标结果完全满足臭氧反演所需要的波长准确度及光谱带宽精度要求。     

LD端面抽运全固态紫外激光器

报道了分别利用两个非线性晶体对1064nm红外脉冲激光的倍频及和频过程得到紫外激光输出的实验研究。采用最大抽运功率为600mW的LD端面泵浦Nd：YAG／Cr^4 ：YAG被动调Q脉冲激光器,得到1064nm输出最大平均功率为70mW,脉宽为17．4ns。利用长聚焦的方法经KTP晶体腔外倍频和LBO晶体腔外和频,实现了高效全固态355nm紫外脉冲激光输出。355nm紫外脉冲输出的最大平均功率为106μW,峰值功率约为635mW,且紫外光斑的椭圆度达0．88。     

Ultraviolet detectors based on epitaxial ZnO films grown by MOCVD

High-quality zinc oxide (ZnO) films were epitaxially grown on R-plane sapphire substrates by metalorganic chemical vapor deposition at temperatures in the range of 350°C to 600°C. In-situ nitrogen compensation doping was performed using NH₃. Microstructural and optical properties of the films, as well as the N-doping effects, were studied. The metal-semiconductor-metal ultraviolet sensitive photodetectors were fabricated on N-doped epitaxial ZnO films. The detector showed fast photoresponse, with a rise time of 1 μs and a fall time of 1.5 μs. Low-frequency photoresponsivity, on the order of 400 A/W at 5 V bias, was obtained.