高温法淀积PbS多晶膜的化学过程

PbS多晶膜化学淀积过程,直接关系到PbS元件的光电性能,是PbS器件制备的核心工艺。在PbS多晶膜形成的化学过程中,还伴随着其他化学反应发生。因而,除生成PbS多晶膜外,还产生其他一些化合物。如何控制其他化学反应进行的进程和程度是化学淀积PbS多晶膜工艺极为重要的任务之一。一、NaOH、Pb(CH_3COO)_2及(NH_2)_2CS溶解过程NaOH、Pb(CH_3GOO)_2及(NH_2)_2CS是高温法化学淀积PbS多晶膜的三种试剂。这三种化合物在淀积PbS多晶膜前均需溶解于水中。1.NaOH的存放和溶解     

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红外技术红外材料 121 气体处理对PbS电和光电参数温度系数的影响 1971,7,65-66. PbS多晶膜的电和光电性能在很大程度上是取决于它在某些气体中甚至在室温下的处理。本文研     

红外敏感硫化铅薄膜的化学机理探讨

硫化铅(PbS)薄膜光电性能的好坏决定了探测器的性能水平。PbS薄膜是制作PbS红外探测器的核心和基础,也是一直以来PbS探测器改进和提高的研究方向。分析了高温法、柯达法和联氨法共3种化学工艺形成硫化铅膜的反应机理。结果表明,光敏薄膜都涉及到PbSO4的形成。X-RD衍射测试结果证明硫化铅多晶薄膜中存在PbSO4,因此提出含有低浓度PbSO4的PbS固溶体的形成是光敏薄膜具有光敏特性的原因之一。     

淀积条件对化学淀积PbS光电导特性的影响

本文研究了淀积时间和淀积溶液中氢氧化物和铅离子浓度对于化学淀积PbS膜光电导特性的影响。从时间常数、噪声和电阻的测量可以看出,淀积条件决定着俘获中心的数量以及载流子密度。在制备的条件下,俘获中心和PbS晶格中淀积的过量铅原子有关。     

碱和醋酸铅浓度对化学淀积PbS光敏性的影响

描述PbS光敏层的生成条件。根据实验数据确定,PbS光敏层是在醋酸铅、硫尿和碱反应混合液中生成。其中碱和醋酸铅浓度之比为1～2。     

多晶电阻工艺监控与影响因素研究

首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块(PCM)监控的两种方法:四探针法和范德堡法,并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题;针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题,通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大,通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小,多晶淀积晶粒越大,根据多晶导电理论可知多晶晶粒大,晶粒间界变小,晶粒间界杂质俘获变少,多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高,因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数,为保证多晶淀积速率稳定,多晶炉管维护次数尽量少于6次,同时需要对多晶淀积温度进行控制。     

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红外技术器件674 PbS-PbO结晶膜的特性:Ⅰ.制备和物理结构Properties of PbS-PbO crystalline films IPreparation and physical structure,M.S.Said,JAppl.phys.,Mar.1976,Vol.47,No.3,866-72.研究在加热的NaCl衬底上气相共淀积的PbO-PbS物理特性。PbO不和PbS合金化,而是从PbS单晶晶格中分馏出来。电子衍射表明,有少量PbSO_4和SiO_2β亦沉积下来。随PbO增加,PbS晶格常数并不变化,说明PbS的氧溶解度很低,这和PbS-PbO的热动力数据一致。675 PbS-PbO结晶膜特性:Ⅱ.电气和电光特性Properties of PbS-PbO crystalline films Ⅱelectrical and photo-electronic properties,M.SSorid,J.Appl phys.,Mar.1976,Vol.47,No.3,871-8.研究了其电学,光学和光导特性。分馏的PbO微晶对性能有很大影响。PbS单晶中有少量过剩氧。PbO晶粒中     

提高多晶电阻工艺稳定性

文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究,剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况,并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析,证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力,以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾,说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。     

氧对多晶硅膜电特性的影响

研究常压淀积后4200A磷掺杂的多晶硅膜厚作为淀积速率的关系。利用电子微探针分析测定建立了淀积速率和多晶硅膜中氧含量之间的关系。从而说明淀积速率对膜的电特性和晶粒大小的影响。对于淀积速率低于400A/分的膜研究了氧含量大约是膜重量的1％,重量比约为1％的浓度的氧含量在高温过程中抑制晶粒生长,并且由于对膜性能的影响载流子浓度和(?)耳迁移率下降而使方块电阻增加。     

Trench VDMOS制造流程中多晶相关工艺问题研究

Trench VDMOS的制造流程中,要进行多晶的淀积、回蚀、清洗,其效果的好坏会直接影响到器件的电学参数,诸如Vth、Igss等。在淀积工艺中,要重点控制沉积速率、炉管清洁周期,防止产生沟槽内多晶膜层出现缝隙以及沟槽外多晶层出现凸起。在回蚀工序,要重点控制刻蚀反应物,防止造成多晶残留。清洗工序,通过选择不含水分的溶剂,避免大量水痕缺陷的产生。     

高衬底温度下溅射淀积二硅化钛膜

我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行烧结,以使其电阻率降低。而600℃下淀积的二硅化钛膜已经反应充分形成颗粒较大的没有氧沾污的多晶状,而且该膜抗氧化。将该膜在900℃下进行进一步退火,发现其晶体结构、成分、电阻率即晶粒大小没有变化。     

联氨法化学沉淀制备PbS光敏薄膜反应机理的探讨

本文着重分析联氨法化学沉淀制备敏感的PbS光敏薄膜的反应机理。从长期实践中得到了一些规律,结合试验和显微镜对所得PbS薄膜表面状态的观察结果,我们认为溶液中发生了复杂的反应而生成各种络合物。又因络合物的数量和稳定性不同,所以,分解的温度和速度也有着较大的差异。这样,就产生了PbS薄膜形成的阶段:预结籽晶,基体的形成,表面敏感薄膜的形成。各种络合物的分解产物,仍是其原组分。所以,硫脲水解生成H_2S后,再与溶液中的Pb~(++)作用形成PbS的反应,将贯穿反应的始终。试验证明,PbS薄膜的性能主要取决于各阶段的反应速度和PbS薄膜的表面状态。     

低纯试剂汽相淀积硒化锌多晶性能分析

本工作采用低纯试剂汽化-冷凝淀积工艺,首先获得优质硒化锌多晶。本文分析了这种多晶的光学、力学、化学、热学和电学性能及其结构。     

激光等离子体淀积硅薄膜过程动力学研究

采用强TEA CO_2脉冲激光辐照SiH_4/H_2系统,对SiH_4激光等离子体淀积硅膜进行了研究,测量了膜淀积及膜性能随淀积条件的变化关系.同时采用光学发射光谱、光声激光偏转方法对其基本的微观和宏观动力学过程进行了研究,在此基础上初步建立了膜淀积的物理模型,计算了膜淀积速率、膜面积等,结果与实验符合得较好.     

晶化对掺杂GD非晶硅薄膜导电性能的作用

在a-Si:H薄膜中进行置换式硼、磷掺杂能引起薄膜结构的变化。在一定衬底温度下,增大r.f淀积功率能使薄膜发生由非晶向微晶及类多晶结构的转化,晶化了的非晶硅薄膜的室温电阻率又可下降三个数量级,其电导激活能也大幅度下降。从而使薄膜的导电性能得到提高。只有在类多晶结构的硅膜中才能获得更高的电导率。     

多晶硅膜原位掺杂制备浅发射结的研究

本文对ＰＥＣＶＤ法淀积原位掺杂多晶硅膜并制备浅发射结进行了实验研究，调查了Ｂ２Ｈ６／ＳｉＨ４比率以及淀积、退火温度等对掺杂多晶硅膜电阻率以及浅发射结形式的影响，结果表明，在３５０～４００℃的较低温度先淀积原位掺杂非晶膜，再１０００℃退火使其相变为掺杂多晶膜的工艺，不但能方便地获得所要求的发射区掺杂量和浅发射结结深，而且还能同时获得满足制备欧姆接触电极要求的低电阻多晶硅膜。     

气相闪蒸纳米硫化铅的表征及其短波红外探测的应用

用气相闪蒸法制备了纳米PbS薄膜.通过在Ar气氛下闪蒸PbS粉末,实现了纳米级PbS颗粒淀积,PbS纳米颗粒大小可以通过改变Ar气压来控制,所得颗粒直径在5～20 nm之间.透射率谱清晰表明纳米PbS薄膜的吸收带边随纳米颗粒直径减小而兰移.PbS纳米颗粒的x射线衍射结果和透射电镜形貌观测结果相一致.分析了纳米PbS颗粒的尺寸分布,探讨了将此类纳米PbS薄膜应用于短波红外探测的可能性.     

InSbCID焦平面器件中介质膜的制备和应用

本文介绍了等离子增强化学汽相淀积(简称PECVD)二氧化硅的生长原理.用硅烷(SiH_4)和二氧化碳(CO_2)通过射频电场产生辉光放电等离子体,以此增强化学反应降低淀积温度.在60～300℃下,SiH_4流量为0.5～2.0升/分,CO_2流量为0.2～1.5升/分,淀积压力为0.8～3.5托,射频功率为20～50瓦,极板间距为12～20.5毫米的条件下淀积二氧化硅膜.给出了射频功率、淀积压力、气体流量比等对淀积速率的影响以及红外光谱分析结果.其次,简述了PECVD二氧化硅钝化膜的性能及其在全单片锑化铟红外电荷注入器件(FMInSbIRCID)研制中的应用情况.     

外延PbS p-n结构

研究了外延PbS p-n结构的电和光电性能。外延层中结的平面垂直于薄层面。指出,有可能利用如光电二极管类似结构制造小响应时间的红外探测器。提出,p-n结和光敏多晶薄膜的暗特性(伏-安特性和电阻随温度的变化)基本一致。证实了,多晶薄膜经敏化便形成p-n结势垒。     

ECR Plasma CVD法淀积介质膜技术在半导体光电器件中的应用

电子回旋共振等离子体化学气相淀积（ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ）法淀积介质膜技术是制备性能优良的光电子器件光学膜和电介质膜的重要手段之一．本文报道了ＥＣＲＰｌａｓｍａＣＶＤ法淀积介质膜的工艺以及介质膜的特性等