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激光毛化技术的评述及展望 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了国内外激光毛化技术(LTT)的研究、发展状况,阐述了激光毛化的机制及其影响因素;介绍了国内外激光毛化技术的应用状况,重点分析对比了CO2激光毛化与YAG激光毛化技术的优缺点,指出了激光毛化技术未来发展需要解决的关键技术,展望了激光毛化技术未来的发展方向. 相似文献
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在圆锥轧辊轧制带钢时,为了增强轧辊与带钢之间的摩擦力,采用对轧辊表面进行激光毛化的方法,对圆锥轧辊的激光毛化加工过程进行了分析研究,给出加工系统的硬件组成,介绍了加工系统的控制原理。由于在圆锥轧辊表面进行激光毛化属于变径加工,为了保证每个加工圆周处毛化点之间的点距不变,推导出每个加工圆周处圆周直径、总脉冲个数和分频系数等的计算公式,同时给出相应算法,解决了每个加工圆周处最后1个毛化点与第1个毛化点之间间距总是大于点距的问题。结果表明,在圆锥轧辊表面进行激光毛化,不仅增强了轧辊与带钢之间的摩擦力,同时还延长了轧辊的使用寿命。 相似文献
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硬质合金激光铣削加工试验研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用不同的激光铣削工艺对硬质合金进行激光铣削试验研究。分析了工艺参数对铣削量和铣削质量的影响,并利用优化或复合的工艺对硬质合金试样进行多样激光铣削。 相似文献
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为了在模具上加工出特定的毛化形貌和尺寸,采用计算流体力学软件Fluent探究形貌成型机理,建立了激光毛化过程3维瞬态模型。考虑热传导、热对流、材料热物性参量等影响因素,采用焓法处理固液相变移动边界,通过用户自定义函数加载激光热源,计算得出熔池温度场与流场。基于数值模拟,采用单因素轮换法进行了毛化工艺试验,研究了激光功率密度、脉宽两因素对毛化形貌、几何参量的影响。结果表明,激光功率密度在2.04×104W/mm2~3.57×104W/mm2,脉宽在100μs~1000μs之间;以氮气作为辅助气体,可获得球冠状、凹顶球冠状、M状3种形貌。该结果对模具毛化种类具有指导意义。 相似文献
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为了对激光技术在拉延模表面的性能影响进行研究,从激光毛化微凸体形貌特征及拉延成形中摩擦行为特点的角度,研究了在拉延成形过程中,激光毛化表面的摩擦力及由微凸体接触摩擦系数和润滑摩擦系数组成的合成摩擦系数,建立了摩擦系数与表面微观形貌几何参量之间的映射关系模型,讨论了激光毛化形貌参量对表面摩擦系数的影响,并通过采用大量激光毛化摩擦学模拟实验验证该模型的准确性。结果表明,激光毛化改善了拉延模表面摩擦学特性,且该模型为进一步研究激光毛化在拉延成形中应用提供了理论依据。 相似文献
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为了制备陶瓷增强镍基复合涂层,采用激光熔覆技术在45#钢表面原位合成了碳化铬-镍基复合涂层,研究了涂层的显微组织、相结构特征及显微硬度。碳化铬陶瓷的形状主要有四边形(菱形)、六边形和不规则块状;四边形碳化铬为Cr3C2,六边形碳化铬为Cr7C3,不规则块状碳化铬成分不确定,可能为Cr3C2或Cr7C3;涂层的平均显微硬度达到基体的3.5倍;涂层具有较高的硬度和致密的组织。结果表明,涂层主要由Cr-Ni-Fe-C,C,Cr7C3和Cr3C2四相组成,显微组织均匀致密,与基体呈良好的冶金结合。该研究对激光原位碳化铬-镍基复合涂层的理论研究和实际应用是有一定帮助的。 相似文献
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多棱镜扫描分光多头激光毛化圆形毛化点分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了得到圆形的毛化点以改善传统单头激光毛化技术椭圆毛化点对轧制钢板的均匀性和力学性能的影响,提出了一种采用多棱镜扫描分光技术的多头激光毛化设备.在一定离焦量下,使得扫描过程中扫描光束所带来聚焦点非均匀移动可以与轧辊同步运行,理论上可以获得椭圆度(长短轴比)最小为1.0010957的近似圆形毛化点,并进行了生产实践.结果表明,理论分析计算与实际结果较为符合.通过对离焦量、扫描速度等毛化参量的控制,可以获得椭圆度根据特殊要求任意调整的毛化点,这为多头激光毛化技术的应用提供了指导. 相似文献
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Jostein Thorstensen Sean Erik Foss Jo Gjessing 《Progress in Photovoltaics: Research and Applications》2014,22(9):993-1000
For crystalline silicon solar cells, the efficient collection of light at wavelengths in the infrared is a challenge because of long absorption lengths. Especially for thinner wafers, an efficient light‐trapping scheme, such as the patch texture, is required for high short‐circuit current densities. We have measured the light‐trapping properties of patch textures produced by laser assisted texturing (LAST) on polished ⟨100⟩silicon wafers, and compared them with ray‐tracing simulations. Single‐sided random pyramid textures are created for comparison. Excellent agreement between simulations and measurements is achieved by employing diffuse scattering with a narrow angular distribution in the simulations, confirming the successful implementation of the process. We use our optical measurements of the textures for simulations of textures with rear reflectors, where we also investigate the influence on light‐trapping properties when varying geometry and reflectance properties. The results from the optical simulations are imported into the solar cell simulation program PC1D. For a 50 μm‐thick solar cell, we simulate an improvement in Jsc of up to 0.4 mA/cm2 when going from single‐sided random pyramid textures to patch textures, even when the performance of the texture is limited by process inaccuracies. Removing the physical inaccuracies of the laser system, the potential gain in Jsc on a 50 μm‐thick cell with a patch texture covering the complete wafer surface is 0.8 mA/cm2. We therefore conclude that the LAST method for creating patch textures is suitable to achieve an improved Jsc in thin monocrystalline silicon solar cells. Copyright © 2013 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献