PtSi IRCCD像机对红外太阳光谱的观测

采用PtSi 256×256元IRCCD器件对FeI 1．56μm太阳光谱进行了成功观测。分析认为PtSi 256×256元IRCCD器件及像机可满足观测的要求。对观测进行了计算机模拟,实际观测结果与模拟符合较好。     

256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究

基于标量衍射理论设计了8位相菲涅尔衍射微透镜阵列.利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵(256×256)PtSi红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品(单元面积为30μm×40μm).测试结果表明,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了2.0倍.     

256×256Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究

基于标量衍射理论设计了8位相菲涅尔衍射微透镜阵列.利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵(256×256)PtSi红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品(单元面积为30μm×40μm).测试结果表明,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了2.0倍.     

256元线阵PtSi SB-IRCCD热成像技术研究

本文简述了256元线阵PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(以下简称SB-IRCCD)的基本工作原理,介绍了IRCCD热成像总体方案及该线阵图像传感器热成像系统的设计。系统设计采用了微机技术,利用Z80—CPU作为摄像机控制处理核心,配合专门的图像帧存贮器来进行图像处理,补偿器件均匀性,抑制固定图像噪声(FPN)及提高信噪比(S/N),降低最小可分辨温差。摄像机系统采用慢存快读的方式,实现显示标准化,与标准电视制式兼容,便于直接与标准视频记录,处理或分析设备接口。最后介绍模拟红外热成像实验情况。     

PtSi IRCCD肖特基势垒探测器噪声分析

文章从PtSi RCCD肖特基势垒探测器的基本工作原理出发,研究了PtSi肖特基势垒探测器阵列所产生的噪声。分析了噪声种类、产生根源及机理。探讨了减小及消除各种噪声影响的方法。     

热超声倒装焊在制作大功率GaN基LED中的应用

设计了适合于倒装的大功率GaN基LED芯片结构,在倒装基板硅片上制作了金凸点,采用热超声倒装焊接(FCB)技术将芯片倒装在基板上.测试结果表明获得的大面积金凸点连接的剪切力最高达53.93 g/bump,焊接后的GaN基绿光LED在350 mA工作电流下正向电压为3.0 V.将热超声倒装焊接技术用于制作大功率GaN基LED器件,能起到良好的机械互连和电气互连.     

倒装焊接技术

本文叙述了倒装焊接技术的基本要求，给出了倒装焊接中主要的加工工程序及其要求，包括了凸点化，芯片呈现等。     

MCM中的倒装芯片互连技术

本文介绍一种实用的倒装芯片的凸点形成技术，倒装焊接芯片与基板的对准方法及倒装焊的考核结果。     

功率型LED芯片的热超声倒装技术

结合功率型GaN基蓝光LED芯片的电极分布,在硅载体上电镀制作了金凸点,然后通过热超声倒装焊接技术将LED芯片焊接到载体硅片上.结果表明,在合适的热超声参数范围内,焊接后的功率型LED光电特性和出光一致性较好,证明了热超声倒装焊接技术是一种可靠有效的功率型光电子器件互连技术.     

采用热压焊工艺实现金凸点芯片的倒装焊接

金凸点芯片的倒装焊接是一种先进的封装技术.叙述了钉头金凸点硅芯片在高密度薄膜陶瓷基板上的热压倒装焊接工艺方法,通过设定焊接参数达到所期望的最大剪切力,分析研究互连焊点的电性能和焊接缺陷,实现了热压倒装焊工艺的优化.同时,还简要介绍了芯片钉头金凸点的制作工艺.     

基于256-QAM星座图重排HARQ技术

介绍了一种基于256-QAM调制的混合ARQ(HARQ)技术,该技术通过星座图重排,降低了多级调制造成的比特之间可靠性的差异,能够显著提高HARQ的性能。首先,提出了标准的符合格雷映射关系的256-QAM星座图后,并通过选取另外3个星座图进行重排,构成基于256-QAM的4星座图影射规则。仿真结果表明该方法最终降低复杂度并提高HARQ性能,这将对未来256-QAM的应用(例如HSDPA、HSUPA)提供较大的参考价值和现实意义。     

倒装再分布技术及应用

随着半导体技术的发展,封装工艺与圆片工艺的联系越来越密切,特别是倒装技术的发展及广泛应用。由CSP到WL-CSP,再到TSV技术,封装技术的发展越来越迅速。倒装技术是发展的关键技术,它包括再分布技术、凸点底层金属（UBM）技术、凸点制备技术、倒扣焊接技术和底部填充技术等。文章介绍了传统芯片通过再分布设计及工艺解决实现倒装工艺,为倒装技术以及新技术的开发和应用提供了良好的途径和广阔的空间。     

倒装芯片键合技术发展现状与展望

我国集成电路发展十二五规划中提到,大力发展先进封装和测试技术,推进高密度堆叠型三维封装产品的进程,支持封装工艺技术升级和产能扩充。阐述了先进封装技术中的倒装芯片键合工艺现状及发展趋势,以及国际主流倒装设备发展及国内应用现状,重点介绍了北京中电科装备有限公司的倒装机产品。国产电子装备厂商应认清回流焊倒装芯片键合设备市场发展,缩短倒装设备产品开发周期和推向市场的时间,奠定国产电子先进封装设备产业化基础;同时抓紧研发细间距铜柱凸点倒装和热压焊接技术,迎接热压倒装芯片工艺及其设备的挑战。     

微电子封装中芯片焊接技术及其设备的发展

概述了微电子封装中引线键合、载带自动键合、倒装芯片焊料焊凸键合、倒装芯片微型焊凸键合等芯片焊接技术及其设备的发展 ,同时报告了世界著名封装设备制造公司芯片焊接设备的现状及发展趋势。     

MCM芯片安装互连及其相关技术

本文重点介绍了MCM芯片安装技术、三种基本的芯片互连技术(WB、TAB和FCB)、三种关键支撑技术(凸点制作、KGD、下填充)和微型凸点焊、ACA互连倒装、导电环氧互连倒装、无凸点微焊接等芯片装连新型技术途径。     

256×256 Si微透镜阵列与红外焦平面阵列单片集成研究

基于标量衍射理论设计了 8位相菲涅尔衍射微透镜阵列 .利用多次曝光和离子束刻蚀技术在大规模面阵( 2 5 6× 2 5 6) Pt Si红外焦平面阵列的背面制作了单片集成微透镜阵列样品 (单元面积为 3 0μm× 4 0μm ) .测试结果表明 ,单片集成微透镜的红外焦平面阵列样品的信噪比提高了 2 .0倍 .     

采用氮气氛保护的再流焊接技术

叙述了先进再流焊接技术的新发展,描述了提高BGA再流焊接效果的工艺要点,优化倒装芯片再流焊接和固化的新方法。最后,讲述了先进的降低氮消耗量的方法即:通过最大限度地提高潜在收益,以促进再流焊接技术的发展,以此来满足装配厂商的需要。     

光通信装置的安装技术（续）

光通信装置的安装技术（续）电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）张利民，柴广跃，张汉三５．３倒装焊接技术这是一种用来将半导体器件焊接在指定位置上的技术，它利用了比电子电路所用的焊接凸台还要微细的焊接凸台和焊接区。与电子电路不问，它大多采用金锡共...     

文献与摘要（47）

新颖的激光封装技术在超细节距互连中的应用Novel Laser-Based Assembly Technology Benefits Ultra-FinePitch Interconnections和标准回流热电极技术相比,激光加工有显著的优势,在倒装芯片和其它微互连技术中具有广泛的应用前景。有公司已经开发出一种用于倒装芯片焊接的激光     

倒装焊接在压力敏感芯片封装工艺中的研究

胶粘引丝无法实现硅压力敏感芯片的小型化封装,无引线封装可以解决该问题。倒装焊接具有高密度、无引线和可靠的优点,通过对传统倒装焊接工艺进行适当的更改,倒装焊接可应用于压力敏感芯片的小型化封装。采用静电封接工艺在普通硅压力敏感芯片上制作保护支撑硅基片,在硅压力敏感芯片的焊盘上制作金凸点,调整倒装焊接的工艺顺序和工艺参数,实现了绝压型硅压力敏感芯片的无引线封装,为压力传感器小型化开辟了一条新路。试验结果表明该封装方式可靠性高,寿命长,具有耐恶劣环境的特点。