AIN陶瓷表面化学镀镍工艺

采用化学镀镍的方法对AIN陶瓷进行金属化.研究了陶瓷表面粗化工艺、化学镀溶液成分等对镀层的影响,得到了最佳工艺:采用500 g·L<'-1>的NaOH溶液对AIN陶瓷进行30 min腐蚀粗化,可得到理想的粗化表面;采用的十二烷基硫酸钠作为镀液表面活性剂,浓度为100 mg·L<'-1>,可减少镀层中的氢含量,使得镀层更加致密.将金属化后的AIN陶瓷与SiCp/Al复合材料焊接,剪切强度可达到110 MPa.     

激光诱导硅表面化学镀镍

利用激光诱导化学镀技术,首次在硅片上沉积出金属镍。研究了沉积速率与各实验参量的关系,并对积沉斑的形状进行了分析和讨论。     

电子元件表面化学镀镍的可焊性参数

许多电子器件、基片、管壳与散热片都有化学镀镍的部分,除要求易于焊接外,还可能要求具有其他功能,如要求有良好的抗蚀性等。在电子元件上采用可焊镍镀层,目的是让镍层起到如下作用:(1)非可焊基材上的可焊面层;(2)给能溶于熔融焊料的基材提供可焊面层,让镍成为防止基材渗入熔融锡铅焊料的阻挡层;(3)提供可焊面层,又同时用作扩散阻挡层,从而尽可能抑制生成不需要的基材合金与表面精饰金属所组成的金属间化合物。化学镀镍层用于含有如下基材的电子元件上:42合金(42％镍)、铝、陶瓷、冷轧钢、铜、ASTM—     

陶瓷表面化学镀Ni—Sn—P合金

主要介绍了以陶瓷为基体的化学镀Ｎｉ－Ｓｎ－Ｐ合金工艺，并对陶瓷表面的预处理工艺和化学镀工艺作了详细的阐述。通过扫描电镜，Ｘ射线衍射仪、电容测量仪等仪器对其性能进行了测试，说明该项技术为取代传统的渗银工艺开辟了一条切实可行的新途径。     

AlN陶瓷活性法金属化

对AlN陶瓷活性金属化Ag-Cu-Ti钎料配方及工艺进行了研究,发现该钎料浸润AlN陶瓷是活性组元Ti与AlN发生化学反应的结果.要获得良好的金属化质量,钎料中Ti含量应高于2.0%(质量比),金属化层与AlN反应界面厚度应控制在10～15 μm范围内.     

陶瓷-金属封接的化学镀镍工艺

讨论了陶瓷-金属封接中化学镀镍与电镀镍工艺及相互之间的区别。     

氧化铝陶瓷基板化学镀铜金属化及镀层结构

通过化学镀铜在氧化铝陶瓷基板表面实现了金属化,采用SEM研究了镀铜层表面微观形貌以及热处理的影响,检测分析了金属化镀层附着力。结果表明:通过控制镀液中铜离子浓度以及铜沉积速率,在基板表面可形成均匀致密的铜金属化层;热处理后进一步提高镀层致密化和导电性,其方阻由3.6 mΩ/□降为2.3 mΩ/□。划痕法测试表明镀铜层与氧化铝陶瓷基板结合紧密无起翘,可以满足敷铜基板的要求。     

LTCC纯银基板的化学镀镍钯金工艺

通过在银导体上逐次化学镀镍钯金来实现在LTCC纯银基板上的键合、钎焊等功能,避免了传统LTCC基板常用的多次贵金属套印,有效降低了生产成本.通过对样品进行试验验证,膜层键合强度和可焊性等都满足使用要求,可广泛应用于表面贴装和裸片邦定的微波产品工艺.     

AlN陶瓷厚膜金属化研究进展

简要论述了AlN陶瓷由于自身结构特点而导致的其厚膜金属化的困难、提出了解决的主要方法。阐述了AlN陶瓷厚膜金属化的三种主要结合剂(玻璃结合系;反应结合系;混合结合系)的结合机理,综述了三种主要结合剂以及AlN陶瓷厚膜金属化用金属体系的研究现状及最新进展。     

PCB化学镀镍漏镀现象分析

文章阐述了不同尺寸铜盘连接状况、掩蔽作用等对漏洞的影响,发现孤立的小铜盘（0．1mm）比大尺寸的铜盘（〉0．1mm）更易发生漏镀,即漏镀易发生在小尺寸铜盘上,主要的原因与置换钯的速率不同相关。至于因掩蔽引发的漏镀现象,主要与平衡电化学势作用相关。在活化过程中,电子转移主要决定了漏镀发生与否。     

电子陶瓷化学镀及应用

电子陶瓷拥有优良的电学，热学和机械性能，是电子工业中使用广泛的高技术材料，采用化学镀方法在电子陶瓷表面可获得多种功能性镀层，满足电子工业的需要，综述了电子陶瓷化学镀工艺以及化学镀层的功能性。     

PZT陶瓷酸蚀工艺对化学镀镍附着力的影响

化学镀镍是一种先进的PZT陶瓷覆镀电极层的技术,其镍层附着力大小是影响电极层质量的关键因素.通过PZT陶瓷镀镍前的酸蚀工艺试验,查明了酸蚀液类型、酸蚀液浓度、超声功率大小、酸蚀时间等影响结合力的因素,并选择出最佳工艺条件.     

针对连续式化学镀的清洗技术

连续式化学液镀的清洗具有连续工作、用水量大的特点,特别对于镀液中含有有毒离子时,废液处理费用昂贵。针对连续式化学镀的这一特点,介绍了一种"三级溢流、六级清洗"的清洗方式,能够在保证清洗效果的同时大大降低废液的产生量。     

应用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺，形成了较为优化的施镀流程，实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层．其中针对单晶硅表面的特点，采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法，优化了氯化钯对表面的激活时间，使得镀层质量得到提高．提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法，施镀后获得的铜镀层的电阻率为2.1μΩ·cm，铜/镍复合镀层的方块电阻为0.19Ω/□．在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜，使得该元件的品质因数超过25．     

用于MEMS的单晶硅上无电镀铜、镀镍工艺

开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.     

高精度陶瓷基板化学镀多层膜技术研究

描述了针对高精度陶瓷基板采用化学镀的技术,对陶瓷基板线条进行金属化,达到多种膜层结构,以满足产品所需要的特殊厚度、电性能和金丝压焊的要求。研究了化学镀厚铜、离子钯活化、化学镀镍和化学镀厚金溶液的各项参数变化,以及参数变化对陶瓷基板线条厚度和精度的影响。并对实验结果进行分析,讨论各种现象出现的原因。     

AlN陶瓷封装的研究现状

介绍了氮化铝（ＡｌＮ）陶瓷在微电子器件高可靠封装中的应用现状及前景。     

CMOS影像感应器构装——湿式无电镀镍沉积技术之最佳化

无电镀镍金（Electroless Nickel ＆ Immersion Gold;简称ENIG）沉积可以选择性地沉积于铝垫,由于此技术不必使用高成本之光阻微影制程,也不需真空溅镀制程,它可以降低制造成本。然而在实际制造大量生产时,常常面临到化学镀液很难控制之问题。经由精密控制其化学镀液中之一些重要参数,例如温度、pH值、还原剂、镍及稳定剂浓度等,可以明显提高制程性能,以满足量产需求。