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作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频自稳频高输出功率的长腔He-Ne激光器,其相干长度均大于14m,1m放电管长(腔长为1140mm)单频激光器功率输出为18~25mW,在没有采取任何稳频措施的情况下,用这种激光器与碘稳定的He-Ne激光器拍频,经计算机自动采样,并进行阿仑方差(AllanVariance)处理,测得其频率非稳定度为6.175×1O ̄(-9)(≤10s)和3.38×10 ̄(-9)(≤1s).1.8m放电管长(腔长为1900mm)单频激光器功率输出为40~50mW,用测lm激光器同样的方法,亦在没有采用任何外加稳频措施的情况下,测得频率非稳定度为1.1×1O ̄(-8)(r≤1s)和2×10 ̄(-8)(≤10s),所有测试数据由中国计量科学院测定。 相似文献
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本文报导在4×622Mb/s)×160km等三个常规单模光纤无中继传输实验系统,以及4.354Gb/s×200km常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果.带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别>+4dBm/信道(4×622Mb/s)和11dBm(单路2.5Gb/s),频率稳定度分别优于6×10-6和4.1×10-6.带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到-46.8dBm(622Mb/s,NRZ223-1PRBS)和-39.5dBm(4×2.5Gb/s,NRZ223-1PRBS).系统各信道误码率分别优于4×10-12~4×10-15. 相似文献
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利用AlGaAs的水汽氧化技术(湿法氧化)成功地在AlGaAs层上生长出基质氧化膜。测量表明:膜厚为100-200nm,折射率范围为1.6-1.8。该膜具有优良的电绝缘特性,电阻率大于10^10Ω.cm击穿场强大于5×10^6V/cm。硅上用MBE生长的QW-GaAs材料在生长基质氧化膜后,经RTA处理(1050℃15s)后,产生明显的IILD(杂质诱导层无序)作用,GaAs量子阱中PL峰蓝移... 相似文献
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作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式He-Ne激光器,1m激光器的频率非稳定度为6.175×10 ̄(-9)(τ≤10s)和3.38×10 ̄(-9)(τ≤1s);1.8m激光器的频率非稳定度为1.1×10 ̄(-8)(τ≤1s)和2×10 ̄(-8)(τ≤10s),所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献[1],[8],[9]和[10]发表后,对这两种激光器的自稳频原理的再分析。 相似文献
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制作光伏型碲镉汞(MCT)探测器PN结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现,低能离子束成结更适合制作长波光伏型MCT探测器。本文报导了低能离子束成结的10.6μm光伏型碲镉汞探测器的性能,衬底为载流子浓度在0.8~6×10 ̄(16)cm ̄(-3)范围的P型MCT材料,离子束能量范围为100~600eV,通过离子束处理,可在P型MCT表面形成一薄层较低载流子浓度的N型区,而制成NP结,利用该技术成结制作的大面积、四象限10.6μmMCT探测器,在-20mV的偏压,80K的温度下,器件的峰值响应率和峰值分别为324.5V/W和1.13×10 ̄(10)cmHz ̄(1/2)/W,每元光敏面积为6.88×10 ̄(-3)cm ̄2。 相似文献
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文章叙述了一台输出电压0一100V连续可调,输出电流100mA的小型高频锯齿波发生器偏压电源,输出20—100V,电压稳定性优于±3×10-5,峰-峰值相对纹波电压优于3.5×10-5 相似文献
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Electrical and reliability properties of ultrathin La2O 3 gate dielectric have been investigated. The measured capacitance of 33 Å La2O3 gate dielectric is 7.2 μF/cm2 that gives an effective K value of 27 and an equivalent oxide thickness of 4.8 Å. Good dielectric integrity is evidenced from the low leakage current density of 0.06 A/cm2 at -1 V, high effective breakdown field of 13.5 MV/cm, low interface-trap density of 3×1010 eV-1/cm2, and excellent reliability with more than 10 years lifetime even at 2 V bias. In addition to high K, these dielectric properties are very close to conventional thermal SiO2 相似文献
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The diffraction problem is treated for the incidence of an E -polarized plane wave on both interfaces of an obtuse dielectric wedge. Based on the dual integral equation, the total field is obtained by the sum of the physical optics solution and the edge-diffracted correction term. Calculated diffraction coefficients and field patterns are plotted in figures for a wedge angle of 120°, incident angles of 60° and 70°, and relative dielectric constants of 2 and 10. It is shown that the Neumann expansion to the nonuniform currents provides a more accurate correction to the physical optics currents than the multiple expansion as the angle of dielectric wedge increases 相似文献
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采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BSTO)基陶瓷.结果表明,w(CuO)=0.5%~4.0%的BSTO基陶瓷可在1 200 ℃烧结成瓷,且不会引入杂相.介电性能测试表明,在室温低频下,随CuO掺杂量的增加,BSTO陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低;在微波频段下,BSTO基陶瓷的介电常数和介电损耗均随CuO掺杂量的增加而增大.可调性测试表明,在1 kV/mm的直流偏压下,各BSTO基陶瓷掺杂样的可调性均大于10%,其中,试样w(CuO)=1%的可调性达到13.2%. 相似文献
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硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。 相似文献
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为实现微波频段平板类介质材料的介电常数的无损测试,研究了分裂式圆柱形谐振腔测试方法。介绍了分裂式圆柱形谐振腔的电磁场分析理论,采用模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场分布的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电常数之间的准确关系。在理论分析的基础上,制作了空腔谐振频率为10 GHz的分裂式谐振腔,并与前期研制的闭式谐振腔进行对比测试,介电常数实部测量结果相对误差小于1%。与国外同类产品进行对比测试,介电常数实部结果基本一致,损耗角正切测量结果更接近于文献参考值。因此,微波分裂腔法能够实现平板介质板材的无损测量,具有准确度高,使用方便等突出优势,可在微波频段内实现介电常数为1~20,损耗角正切为1×10-3~1×10-5,板材厚度为0.1~2.0 mm的各类平板介质材料介电常数的准确测试。 相似文献
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本文以高电场(>11.8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为7.6、10.3、12.5、14.5nm薄氧化层的击穿统计特性.实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布,可以表征栅介质层的质量和均匀性.此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化.同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质量.陷阱生成的随机性使Nbd随栅介质厚度减小而下降.氧化层厚度约10nm时Nbd达到氧化层分子密度的1%发生击穿(1020cm-3).Nbd的物理意义清楚,不象Qbd随测试应力条件变化,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标. 相似文献
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Yutie Gong Jiayu Zhao Zhenzhen Li Jing Huang Yang Zhang Lijie Dong Chuanxi Xiong Ming Jiang 《Advanced functional materials》2023,33(28):2214544
Dielectric switching materials are prospective candidates for smart electronic/electrical applications, and high dielectric switching ratios are crucial for their practical applications. However, the substantial improvement of the dielectric switching ratio is limited by the available dielectric switching mechanisms, and obtaining high dielectric switching ratios is a major challenge. Here, an unparalleled dielectric switching effect is reported in a water-in-oil emulsion system, caused by dual polarization synergy below the dielectric transition temperature in concert with suppression of the electrode polarization above the dielectric transition temperature. The synergistic dielectric switching effect of interfacial polarization and electrode polarization endows the emulsion with unprecedentedly high dielectric switching ratios. The highest room temperature dielectric switching ratio of this emulsion system up to 2.86 × 106 at 20 Hz, is four orders of magnitude higher than the highest switching ratio reported so far. The unparalleled high dielectric switching ratio, reliable cycle stability, good frequency adaptability, and satisfactory scalability make the inorganic salt solution/octadecane emulsions potentially excellent candidates for high-sensitivity room-temperature smart switching or sensing devices. 相似文献