二种单频自稳频高输出功率的长腔He－Ne激光器

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频自稳频高输出功率的长腔Ｈｅ－Ｎｅ激光器，其相干长度均大于１４ｍ，１ｍ放电管长（腔长为１１４０ｍｍ）单频激光器功率输出为１８～２５ｍＷ，在没有采取任何稳频措施的情况下，用这种激光器与碘稳定的Ｈｅ－Ｎｅ激光器拍频，经计算机自动采样，并进行阿仑方差（ＡｌｌａｎＶａｒｉａｎｃｅ）处理，测得其频率非稳定度为６．１７５×１Ｏ￣（－９）（≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（≤１ｓ）．１．８ｍ放电管长（腔长为１９００ｍｍ）单频激光器功率输出为４０～５０ｍＷ，用测ｌｍ激光器同样的方法，亦在没有采用任何外加稳频措施的情况下，测得频率非稳定度为１．１×１Ｏ￣（－８）（ｒ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（≤１０ｓ），所有测试数据由中国计量科学院测定。     

YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

一种新型的性能优良的PTCR材料

研制出一种新型ＰＴＣＲ热敏电阻复合材料，其微观结构致密，颗粒分布均匀；常温比体积电阻率为１０Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应高达８个数量级以上，耐压强度大于３００Ｖ／ｍｍ，且有大的电阻温度系数，良好的热重复性     

2.5～4.4Gb／s光纤无中继传输实验系统

本文报导在４×６２２Ｍｂ／ｓ）×１６０ｋｍ等三个常规单模光纤无中继传输实验系统，以及４．３５４Ｇｂ／ｓ×２００ｋｍ常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果．带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别＞＋４ｄＢｍ／信道（４×６２２Ｍｂ／ｓ）和１１ｄＢｍ（单路２．５Ｇｂ／ｓ），频率稳定度分别优于６×１０－６和４．１×１０－６．带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到－４６．８ｄＢｍ（６２２Ｍｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）和－３９．５ｄＢｍ（４×２．５Ｇｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）．系统各信道误码率分别优于４×１０－１２～４×１０－１５．     

AlGaAs基质氧化膜的生长及性质

利用ＡｌＧａＡｓ的水汽氧化技术（湿法氧化）成功地在ＡｌＧａＡｓ层上生长出基质氧化膜。测量表明：膜厚为１００－２００ｎｍ，折射率范围为１．６－１．８。该膜具有优良的电绝缘特性，电阻率大于１０＾１０Ω．ｃｍ击穿场强大于５×１０＾６Ｖ／ｃｍ。硅上用ＭＢＥ生长的ＱＷ－ＧａＡｓ材料在生长基质氧化膜后，经ＲＴＡ处理（１０５０℃１５ｓ）后，产生明显的ＩＩＬＤ（杂质诱导层无序）作用，ＧａＡｓ量子阱中ＰＬ峰蓝移...     

二种单频外腔式He－Ne激光器的自稳频原理再分析

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式Ｈｅ－Ｎｅ激光器，１ｍ激光器的频率非稳定度为６．１７５×１０￣（－９）（τ≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（τ≤１ｓ）；１．８ｍ激光器的频率非稳定度为１．１×１０￣（－８）（τ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（τ≤１０ｓ），所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献［１］，［８］，［９］和［１０］发表后，对这两种激光器的自稳频原理的再分析。     

高精度半导体激光二极管温度控制系统

本文使用通用器件，基于比例－ 积分－ 微分（ Ｐ Ｉ Ｄ） 控制技术精心设计了高精度温度控制系统，系统中的 Ｐ Ｉ Ｄ 调节器和相关的辅助电路以及恒温阱，保证了系统的高精度、高稳定性以及实用性。这些辅助电路包括精密电压源、工作温度点设定电路、积分饱和释放电路和温度调节状态显示电路等。系统设计精度为±１ ｍ Ｋ。实验显示，在长时间（ 大于８ ｈ） 内，系统温漂小于±１０ｍ Ｋ。最后分析了实验误差的来源和改进方法     

低能离子束成结制作10．6μm碲镉汞光伏探测器

制作光伏型碲镉汞（ＭＣＴ）探测器ＰＮ结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现，低能离子束成结更适合制作长波光伏型ＭＣＴ探测器。本文报导了低能离子束成结的１０．６μｍ光伏型碲镉汞探测器的性能，衬底为载流子浓度在０．８～６×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）范围的Ｐ型ＭＣＴ材料，离子束能量范围为１００～６００ｅＶ，通过离子束处理，可在Ｐ型ＭＣＴ表面形成一薄层较低载流子浓度的Ｎ型区，而制成ＮＰ结，利用该技术成结制作的大面积、四象限１０．６μｍＭＣＴ探测器，在－２０ｍＶ的偏压，８０Ｋ的温度下，器件的峰值响应率和峰值分别为３２４．５Ｖ／Ｗ和１．１３×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）／Ｗ，每元光敏面积为６．８８×１０￣（－３）ｃｍ￣２。     

高稳定低纹波偏压电源

文章叙述了一台输出电压０一１００Ｖ连续可调，输出电流１００ｍＡ的小型高频锯齿波发生器偏压电源，输出２０—１００Ｖ，电压稳定性优于±３×１０－５，峰－峰值相对纹波电压优于３．５×１０－５     

单晶AgGaSe_2红外倍频器

采用竖式布里奇曼法生长了若干优质的ф２０×８０ｍｍＡｓＧａＳｅ２单晶体。经过Ａｇ２Ｓｅ共存下退火的样品，其通光波段透过率几乎都达到反射极限。计算了Ⅰ型和Ⅱ型红外倍频器的角度调谐特性曲线，利用上述晶体制备了１０．６μｍ辐射的Ⅰ型相位匹配倍频器。在一台ＴＥＡＣＯ２激光器的１０．６μｍ信频实验中测得相位匹配角为５６．１°，接收角参数△θ·Ｌ为１．０４°·ｃｍ。     

Electrical characteristics of high quality La2O3 gate dielectric with equivalent oxide thickness of 5 Å

Electrical and reliability properties of ultrathin La₂O ₃ gate dielectric have been investigated. The measured capacitance of 33 Å La₂O₃ gate dielectric is 7.2 μF/cm² that gives an effective K value of 27 and an equivalent oxide thickness of 4.8 Å. Good dielectric integrity is evidenced from the low leakage current density of 0.06 A/cm² at -1 V, high effective breakdown field of 13.5 MV/cm, low interface-trap density of 3×10¹⁰ eV^-1/cm², and excellent reliability with more than 10 years lifetime even at 2 V bias. In addition to high K, these dielectric properties are very close to conventional thermal SiO₂      

Diffraction coefficients and field patterns of obtuse angledielectric wedge illuminated by E-polarized plane wave

The diffraction problem is treated for the incidence of an E -polarized plane wave on both interfaces of an obtuse dielectric wedge. Based on the dual integral equation, the total field is obtained by the sum of the physical optics solution and the edge-diffracted correction term. Calculated diffraction coefficients and field patterns are plotted in figures for a wedge angle of 120°, incident angles of 60° and 70°, and relative dielectric constants of 2 and 10. It is shown that the Neumann expansion to the nonuniform currents provides a more accurate correction to the physical optics currents than the multiple expansion as the angle of dielectric wedge increases     

CuO掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3陶瓷的结构与性能

采用传统陶瓷制备工艺,以容差因子为依据进行CuO掺杂,制备了可在较低温度烧结成瓷的Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BSTO)基陶瓷.结果表明,w(CuO)=0.5%～4.0%的BSTO基陶瓷可在1 200 ℃烧结成瓷,且不会引入杂相.介电性能测试表明,在室温低频下,随CuO掺杂量的增加,BSTO陶瓷的介电常数增加,而介电损耗降低;在微波频段下,BSTO基陶瓷的介电常数和介电损耗均随CuO掺杂量的增加而增大.可调性测试表明,在1 kV/mm的直流偏压下,各BSTO基陶瓷掺杂样的可调性均大于10%,其中,试样w(CuO)=1%的可调性达到13.2%.     

中温烧结CLNT微波介质陶瓷

研究了Bi2O3对CLNT陶瓷的烧结性能、物相和介电性能的影响。添加4%~10%(质量分数)Bi2O3,在液相Bi2O3和Bi2O3-TiO2两重作用下,烧结温度降至1050℃。XRD分析表明:斜方钙钛矿相出现分裂,产生第二相。随Bi2O3含量增加,Q·f值下降,τf向负温度系数方向移动,当04%,εr因气孔增加而减小。4%Bi2O3试样在1050℃烧结4h,εr为37.8,Q·f为11030GHz,τf为12×10–6℃–1。     

掺杂Bi2O3对Ba4Sm28/3Ti18O54微波介质陶瓷性能的影响

以Ba4Sm28/3Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Bi2O3进行协调改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yBiy)28/3Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Bi2O3能很好地把Ba4Sm28/3Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降低至1260℃,当y=0.15时,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:εr约为81,tanδ约为5×10–4,τf为–21×10–6℃–1。     

ALD氧化铝薄膜介电性能及其在硅电容器的应用

硅基高密度电容器是利用半导体3D深硅槽技术和应用高介电常数(高K)材料制作的电容。相比钽电容和多层陶瓷电容(MLCC),硅基电容具有十年以上的寿命、工作温度范围大、容值温度系数小以及损耗低等优点。文章研究原子层沉积(ALD)制备的Al2O3薄膜的介电特性,通过优化ALD原子沉积温度和退火工艺,发现在沉积温度420℃和O3气氛退火5 min下,ALD生长的Al2O3薄膜击穿强度可大于0.7 V/nm,相对介电常数达8.7。制成的硅基电容器电容密度达到50 nF/mm2,漏电流小于5 nA/mm2。     

平板介质的微波分裂腔法介电常数测试技术

为实现微波频段平板类介质材料的介电常数的无损测试,研究了分裂式圆柱形谐振腔测试方法。介绍了分裂式圆柱形谐振腔的电磁场分析理论,采用模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场分布的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电常数之间的准确关系。在理论分析的基础上,制作了空腔谐振频率为10 GHz的分裂式谐振腔,并与前期研制的闭式谐振腔进行对比测试,介电常数实部测量结果相对误差小于1%。与国外同类产品进行对比测试,介电常数实部结果基本一致,损耗角正切测量结果更接近于文献参考值。因此,微波分裂腔法能够实现平板介质板材的无损测量,具有准确度高,使用方便等突出优势,可在微波频段内实现介电常数为1～20,损耗角正切为1×10^-3～1×10^-5,板材厚度为0.1～2.0 mm的各类平板介质材料介电常数的准确测试。     

薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析

本文以高电场(＞11.8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为7.6、10.3、12.5、14.5nm薄氧化层的击穿统计特性.实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Q_bd的同时,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔV_bd.因为ΔV_bd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布,可以表征栅介质层的质量和均匀性.此外由Q_bd和ΔV_bd能够较合理地计算临界陷阱密度N_bd.实验结果表明本征击穿时N_bd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化.同样厚度时N_bd反映不同工艺生成的介质质量.陷阱生成的随机性使N_bd随栅介质厚度减小而下降.氧化层厚度约10nm时N_bd达到氧化层分子密度的1%发生击穿(10²⁰cm^-3).N_bd的物理意义清楚,不象Q_bd随测试应力条件变化,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标.     

Unparalleled Dielectric-Switching Effects Caused by Dual Polarization Synergy

Dielectric switching materials are prospective candidates for smart electronic/electrical applications, and high dielectric switching ratios are crucial for their practical applications. However, the substantial improvement of the dielectric switching ratio is limited by the available dielectric switching mechanisms, and obtaining high dielectric switching ratios is a major challenge. Here, an unparalleled dielectric switching effect is reported in a water-in-oil emulsion system, caused by dual polarization synergy below the dielectric transition temperature in concert with suppression of the electrode polarization above the dielectric transition temperature. The synergistic dielectric switching effect of interfacial polarization and electrode polarization endows the emulsion with unprecedentedly high dielectric switching ratios. The highest room temperature dielectric switching ratio of this emulsion system up to 2.86 × 10⁶ at 20 Hz, is four orders of magnitude higher than the highest switching ratio reported so far. The unparalleled high dielectric switching ratio, reliable cycle stability, good frequency adaptability, and satisfactory scalability make the inorganic salt solution/octadecane emulsions potentially excellent candidates for high-sensitivity room-temperature smart switching or sensing devices.