X射线不同方向入射界面产生剂量增强的模拟研究

为了研究X射线入射方向对界面剂量增强的影响,通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,采用MCNP蒙卡计算程序计算50keV能量X射线以不同的方向入射界面时在规定的区域内产生的能量沉积,进而得到剂量增强系数.     

CMOS电路X射线辐射剂量增强效应

研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数，对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。     

X射线在重金属-硅界面的剂量增强系数的计算

当X射线射入不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用MCNP Monte-Carlo程序计算了钨－硅、钽－硅界面的剂量增强系数。     

几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究

本文给出了大规模集成电路CMOS4069、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置（BSRF）和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果。通过实验在线测得CMOS4069阈值电压漂移随总剂量的变化，测得28f256、29c256位错误数随总剂量的变化，给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系。这些结果对器件抗X射线辐射加固技术研究有重要价值。     

剂量增强效应的半经验理论计算

采用一种半经验电子输运模型，改进了部分参数计算方法，编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序，计算了＾６０Ｃｏγ射线辐照Ａｕ／Ａｌ界面时Ａｌ中的剂量分布，与实验结果进行了比较，并分析了各种组分的次级电子对剂量增强因子贡献。     

Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究

在器件的金属化层及封装等结构中，高原子序数材料在低能X射线的辐照下，会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应，从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件，在X射线和γ射线辐照下，其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较，得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线，对剂量增强效应进行了有益的探讨。     

双极晶体管X射线辐射剂量增强效应

本文介绍典型双极晶体管在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，实际测量了双极晶体管Ｘ射线辐射剂量增强系数，研究了双极器件剂量增强效应机理。     

N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应

介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量～165 Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.     

X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固

本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出了组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数，从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。     

基于EGSnrc MP模拟计算X射线在重金属和硅界面的剂量增强因子

当X射线入射到不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。本文介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特卡罗程序EGSnrcMP模拟计算了钨和硅、钽和硅界面的剂量增强因子。计算结果表明,在X射线能量为30~200 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。     

稳态总剂量效应(TID)试验剂量率选择的研究

通过调研分析,发现ESA/SCC 22900和MIL-STD-883G方法1019.7在剂量率的选择等方面存在较大差异。针对美国宇航局NASA发布的TID试验报告中总剂量及其对应的剂量率值进行统计分析,了解到不同工艺器件进行TID试验时采取多步骤辐射,辐射过程中所选择的剂量率几乎均小于1rad(Si)/s,且剂量率随总剂量不断改变。当总剂量低于30krad(Si)时,曲线分布没有规律,随机性较大;当总剂量大于30krad(Si)时,剂量率随总剂量的增加而增加,但不满足线性关系。针对不同剂量率辐射后器件失效机理的分析研究,得出器件在低剂量率辐射下失效的主要原因是界面态,而在高剂量率辐射失效的主要原因是辐射感生氧化物陷阱电荷。     

TLD应用于核模拟辐射剂量测量的几个有关问题

对热释光剂量在核模型辐射剂量测量中所遇到的高剂量率,大剂量,高能量,低能量等特殊情况,谈了对这些问题的考虑及采取的措施。     

福清核电2014-2018年职业照射剂量分析

分析了福清核电2014—2018年职业照射剂量监测数据,评价福清核电职业照射剂量状况,根据分析结果提出有针对性的辐射防护控制建议和措施,为福清核电提升辐射防护最优化水平提供参考。     

^60Coγ射线在界面附近金中的剂量分布

设计了一种多层平行板金电离室，应用测量法测量了＾６０Ｃｏγ射线在金与低原子序数材料交界时界面及金中的剂量分布。     

秦山核电公司个人剂量监测概述

总结了秦山核电公司自1991年运行至今的个人剂量监测状况。着重介绍个人剂量监测数据在改进辐射防护最优化方案、控制辐射工作人员所受照射方面的成功经验,并对个人剂量监测总体状况作出初步评价。     

西安脉冲堆辐射剂量监测

为了确保反应堆运行人员和公众的安全，西安脉冲堆设置了比较完善的辐射剂量监测系统。该系统包括固定式在线连续监测和便携式仪表及取样监测两部分，本文主要了固定式在线连续监测的监测,测点布置以及各监测仪的性能特点，并简要介绍了便携式仪表及取样监测中各仪表的性能与适用范围。     

电离辐射影响评价中的生物剂量率限值

比较分析了近年来国际上主要研究机构/组织在生物剂量评估工作中剂量率限值的研究成果。欧洲ERICA项目和PROTECT项目使用FREDERICA效应数据库中的辐射效应数据估计单个生物物种的关键毒理数据EDR10,使用不同物种的EDR10与剂量率数据,建立物种敏感分布(SSD)曲线,采取物种敏感分布法推算出生物的筛选剂量率。在此基础上,结合我国放射生态学研究现状,提出了我国生物剂量率限值研究的相关建议。     

电子束扫描宽度改进与扫描宽度上的剂量分布

对一台GJ-2型电子加速器的扫描装置作了技术改造,产品上的扫描宽度增加58％。对扫描宽度、辐照功率和吸收剂量等做了测试并对辐照工艺进行了研究。结果表明,生产效率提高了69％。