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本文采用微米级铜粉为导电填料,抗坏血酸为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮为分散剂,环氧树脂为基料,聚酰胺树脂为固化剂,制备获得空气中低温固化铜电子浆料。利用X射线衍射仪、金相显微镜、四探针电阻测试仪、粘度测试仪等对电子浆料各性能进行了表征。实验结果表明,当铜粉与有机载体的比例为85∶15时,在烘箱中75℃烘干得到的导电铜膜性能最佳,电阻率为3.627×10-3Ω·cm,空隙较少,样品表面较为平整,导电性较稳定。 相似文献
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为提高铜浆料的导电性,利用微胶囊技术在铜粉表面包覆液体石蜡,增强铜粉的抗氧化性,并添加少量导电性能优异的碳纳米管作为导电增强相,制备碳纳米管-铜复合浆料.利用四探针测试仪、扫描电镜等测试方法研究了液体石蜡含量对包覆铜粉性能的影响以及微胶囊铜粉作为主导电相,碳纳米管作为导电增强相对浆料导电性能的影响.结果表明:液体石蜡包覆含量为4 wt%的微胶囊铜粉具有良好的导电性和抗氧化性,其电导率为44.32%IACS;微胶囊铜粉作为碳纳米管-铜浆料的主导电相,制备浆料膜层电阻率为22.59 mΩ·cm,相比于未包覆的铜粉为主导电相制备的浆料膜层电阻率降低了12.44%;碳纳米管作为导电增强相所制备的浆料相比于纯铜浆料,电阻率降低31.74%. 相似文献
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《化工新型材料》2018,(11)
以丙烯酸树脂作为微胶囊壁材溶液包覆铜粉,石墨烯作为导电增强相,制备了石墨烯-微胶囊铜复合电子浆料。利用金属电导率测试仪、X射线衍射仪、四探针测试仪和扫描电子显微镜分别研究了微胶囊铜粉的电导率及其抗氧化性能,分析了石墨烯对石墨烯-微胶囊铜复合电子浆料导电性能的影响。结果表明:微胶囊铜粉与未包覆铜粉相比,电导率明显提高,且当增重率为4%(wt,质量分数)时,电导率达到最大值41.30%IACS,且不存在CuO或Cu_2O;石墨烯的加入对铜复合电子浆料的导电性能有增强作用,但不同类型石墨烯的增强效果不同,导电性能主要与石墨烯的片径、厚度、纯度相关,其中片径约5μm,厚度为1~5nm的石墨烯纳米片作为导电增强相制备的铜复合电子浆料导电性能最优。 相似文献
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为提高铜浆料的导电性能,利用微胶囊技术对铜粉表面做改性处理,添加碳纳米管为导电增强相,制备碳纳米管-微胶囊铜复合浆料。利用四探针测试仪、扫描电子显微镜(SEM) 等研究了微胶囊铜粉的抗氧化性能及碳纳米管的参数、添加量对铜浆料导电性能的影响,分析其导电机理并建立导电相连接模型。研究结果表明:微胶囊化的铜粉具有较好的抗氧化性和导电性。当碳纳米管与铜粉的质量比为4∶[KG-2mm]96时,采用管径1~2 nm,长度5~30 nm的碳纳米管制备的复合浆料的电阻率达到最小值6.05 mΩ·cm,与纯铜浆料相比降低了89.39%。以碳纳米管-铜复合浆料与铜浆料分别制得导电膜,两者相比,前者更平坦、更致密,导电相间的接触更紧密,大量的碳纳米管覆盖在铜粉颗粒表面或填充铜粉颗粒间隙,同时碳纳米管之间相互“吸引”,形成致密的网状结构,在铜粉颗粒之间建立起大量的导电“桥梁”,从而改善了复合浆料的导电性能。 相似文献
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铜电子浆料作为银电子浆料最为理想的替代材料,其越来越受到人们青睐,但铜的性质活泼,极易被氧化.为解决铜电子浆料在高温烧结时铜粉易被氧化的问题,以无水乙醇、正硅酸乙酯、硼酸三丁酯为原料制作SiO_2-B_2O_3溶胶,用SiO_2-B_2O_3溶胶对经过盐酸酸洗过的铜粉进行包覆,将包覆后的铜粉制成浆料并印刷到陶瓷模板上,600℃烧结制备得到铜导电膜层.通过四探针测试仪测试铜导电膜层的电导率,利用扫描电子显微镜(SEM)观察不同量溶胶包覆的铜粉的表面形貌,采用X射线衍射仪(XRD)及热重分析仪(TGA)考察溶胶包覆铜粉700℃烧结后的氧化情况.结果表明,在m(SiO_2-B_2O_3)∶m(Cu)=10%时,硼硅酸溶胶恰好均匀包覆铜粉而无多余溶胶堆积铜粉之间,此时铜导电膜层导电性能最好,其相对电导率为57%;铜粉700℃高温烧结后几乎没有被氧化,铜粉表面仅有极少量的氧化亚铜生成.实验结果证明,在合适的硼硅酸溶胶包覆率下,铜粉在700℃以下具有良好的抗氧化性,铜导电膜层也具有良好的导电性能. 相似文献
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介绍了银包铜粉的制备工艺及研究现状.银包铜粉的制备方法包括置换法、化学还原法、置换与化学沉积复合法及熔融雾化法.分析了常见的置换法和化学还原法制备银包铜粉时的镀液组成、沉积机制,给出了较为成熟的制备工艺.银包铜粉与贵金属粉相比有着极高的价格优势,在电子浆料中有着广阔的应用前景. 相似文献
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为改善铜浆导电性,以表面改性的金属铜粉为主要导电相,通过添加少量导电性优异的石墨纳米片作为导电增强相制备复合电子浆料,并采用四探针测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等分析测试方法研究了石墨纳米片的参数、添加量对铜电子浆料导电性能的影响.结果表明:选用厚度为3~5 nm,片径为5μm的石墨纳米片作为导电增强相,制得石墨纳米片—铜电子浆料,在460℃烧结后导电膜层的电阻率较小;石墨纳米片与铜粉质量比为2∶98时,测得浆料电阻率为17.14 mΩ·cm,相比纯铜浆料电阻率34.43 mΩ·cm降低了50.22%.分析电子浆料导电机理并建立导电相连接几何模型,在导电膜层中,部分折断的石墨纳米片会填充到铜颗粒之间的空隙中,较长石墨纳米片则会形成"搭桥"现象,增加导电相之间的连接,形成较紧密的微观组织和良好的导电网络,从而改善复合浆料的导电性. 相似文献
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在用碘量法测铜精矿中铜含量时,无论试样中含碳量高低,对试样处理上都应在处理试样时适量加入H2SO4和HCl O4冒烟蒸干,以提高分析结果的准确性。 相似文献
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研究了喷枪扫描速率对常压冷等离子喷涂Cu薄膜过程的影响。采用N_2和NH_3的混合气体作为等离子体气源产生常压冷等离子体,将Cu(NO_3)_2溶液雾化后通入等离子体射流的下游,雾化驱动气体是流量为4L/min的N_2,保护气体是流量为12L/min的Ar,利用射流型常压冷等离子体喷涂Cu薄膜。通过X射线光电子能谱仪分析制备的铜薄膜中铜元素化学状态的变化,用扫描电子显微镜观察制备的铜薄膜的微观形貌,讨论了制备薄膜过程中喷枪扫描速率的作用和影响。以N_2和NH_3的混合气体作为等离子体气源喷涂Cu薄膜时,在实验范围内,随着喷枪扫描速率的增大,制备的薄膜样品中铜元素的化学状态从Cu~(2+)变为Cu~+,再变为Cu,且薄膜的晶粒尺寸逐渐减小。在喷涂过程中,Cu(NO_3)_2在等离子体中会发生分解反应,并产生中间产物,NH_3在等离子体中产生的活性粒子会与中间产物反应沉积得到Cu薄膜。 相似文献
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片状镀银铜粉的制备及性能表征 总被引:9,自引:0,他引:9
采用化学还原反应制备镀银铜粉,并讨论了银氨溶液浓度和甲醛浓度对制备镀银铜粉的影响。所得镀银铜粉用XRD衍射和隧道扫描电镜进行表征,研究表明镀银铜粉具有良好的常温抗氧化性能。 相似文献
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影响碳纤维表面镀铜速率的因素 总被引:4,自引:0,他引:4
在碳纤维表面先化学镀铜再电镀铜可获得具有一定厚度且均匀的铜镀层.研究了甲醛、配位剂、稳定剂等用量、pH值、温度、电流密度、电解时间等对碳纤维增重率的影响,确定了镀铜的最佳配方,并用扫描电镜验证了镀铜效果.结果表明,最佳化学镀铜配方为16 g/L CuSO-4·5H-2O,25 g/L EDTA·2Na,15 g/L酒石酸钾钠,15 g/L NaOH, 5 mg/L 2,2′-联吡啶,15 mg/L K-4Fe(CN)-6,6 mL甲醛(分析纯).本法既较好地解决了碳纤维束的黑心问题,又可获得较厚的镀层,且镀层与碳纤维的结合更牢. 相似文献