MOCVD生长MgS薄膜

我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．     

利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜

采用化学束外延（ＣＢＥ）技术，以三乙基镓（ＴＥＧ）和砷烷（ＡｓＨ３）为源，在Ｓｉ（００１）衬底上生长ＧａＡｓ薄膜．利用Ｈａｌｌ效应、卢瑟福背散射（ＲＢＳ）和高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）检测了外延层的质量．结果表明，ＧａＡｓ薄膜具有ｎ型导电性，载流子浓度为１．３×１０１５ｃｍ－３，其杂质估计是Ｓｉ，它来自衬底的自扩散．外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善．在ＧａＡｓ／Ｓｉ界面及其附近，存在高密度的结构缺陷，包括失配位错、堆垛层错和孪晶．这些缺陷完全缓解了ＧａＡｓ外延层和Ｓｉ衬底之间因晶格失配引     

GaAs衬底层选择性腐蚀技术

本文在ＧａＡｓＧａＡｌＡｓ选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀ＧａＡｓ衬底层获得ＧａＡ／ＧａＡｌＡｓ外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了Ｃ３Ｈ４（ＯＨ）（ＣＯＯＨ）３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ２系选择性腐蚀液和Ｈ２ＳＯ４－Ｈ２Ｏ２系腐蚀液，获得了快速，可控制，重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。     

电子通道技术在YBa2Cu3O7外延超导薄膜研究中的应用

本研究采用电子通道技术（ＥＣＰ）对单晶和双晶外延生长的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测，并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量；还对ＹＢＣＯ／ＣｅＯ＿２／ＭｇＯ／ＳｒＴｉＯ３的双外延薄膜作研究。     

Si衬底上热壁外延制备GaAs单晶薄膜材料

报道了采用热壁外延（ＨＷＥ）技术,在Ｓｉ表面生长ＧａＡｓ薄膜。先通过活化剂活化Ｓｉ表面,再采取两步生长法外延ＧａＡｓ单晶薄膜,最后进行断续多层循环退火（ＩＭＣＡ）。经电子探针（ＥＰＭＡ）、Ｒａｍａｎ光谱、Ｈａｌｌ测量和荧光（ＰＬ）光谱测试分析,证实在Ｓｉ表面获得了的４μｍ厚的ＧａＡｓ单晶薄膜。     

MOCVD生长GaV的喇曼散射谱

对在ＧａＡｓ、Ａｌ２Ｏ３和Ｓｉ等衬底上ＭＯＣＶＤ技术生长的ＧａＮ薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较，观察到α相ＧａＮｌ模，Ａｌ模Ｅｌ模和Ｅ２模，结合射线衍射谱，分析了因不同生长工艺导致ＧａＮ／ＧａＡｓ样品的不同结构相的喇曼谱的差异，发现ＧａＮ喇曼谱与ＧａＮ外延层的结构相，完整性及工艺条件有关，可利用其作为检测ＧａＮ外延层结构特性的一种有用手段。     

硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展

综述当前ＧｅＳｉ／Ｓｉ、ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ、ＰｔＳｉ和ＧａＮ光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术－分子束外延制备的ＧｅＳｉ／Ｓｉ等人工超晶格材料倍受关注,硅基异质子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。     

高质量GaAs－AlGaAs材料MBE生长研究及其应用

通过对分子束外延（ＭＢＥ）中影响ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究，得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ单晶材料，实现了７５ｍｍ大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性．研制了高质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱超晶格材料，并应用于量子阱激光器材料的研制，获得了具有极低阈值电流密度、低内损耗、高量子效率的高质量量子阶激光器外延材料．     

在GaAs上沉积氧化物缓冲层和用该层开发强介质薄膜

在ＧａＡｓ上沉积氧化物缓冲层和用该层开发强介质薄膜富士施乐公司与美国施乐公司一起，试验在ＧａＡｓ基片上异质外延生长强介质薄膜，目的是实现半导体激光器与强介质光学元件的集成。在ＧａＡｓ（１００）上低温外延生长出ＭＳＯ缓ｉｔｈ层，进而用该层外延生长ＢａＴ...     

AlN/GaAs界面的AES和XPS研究

在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键,没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明,ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素在ＡｌＮ淀积过程中从ＧａＡｓ表面转移到ＡｌＮ膜中．这与通过ＰＥＣＶＤ方法淀积ＡｌＮ薄膜形成的ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面完全不同．由于ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面的Ｏ元素是与Ａｌ结合的,因此有较好的界面特性．这是直流磁控反应溅射方法制备的ＡｌＮ薄膜适用于ＧａＡｓ器件钝化的主要原因     

舰船红外成像模拟

研究并建立了海面舰船的红外理论模型，较为完善地考虑了周围环境对物体及物体各部分之间的相互作用，包括太阳辐射，海／天背景辐射，海／空气的对流，以及船体各部分的传导和相互辐射；同时考虑了舰船内舱对船壁的辐射和对流作用，采用蒙特卡 方法，引入准随机数解决了复杂几何结构表面非漫反射灰体的辐射计算。     

耶稣受难记

圣经中耶稣受难的故事已经是众人皆知的了,如今则被生动鲜活地搬上了电影屏幕:耶稣(詹姆斯·卡维泽)被犹大出卖给罗马     

正向小注入脉冲下多子陷阱响应和两种载流子俘获率之比

正向小注入下分析了p+-n结的多子陷阱响应。指出了其中的少子注入俘获效应。当p-n结反向偏压足够小,以致其响虚区中尾区的作用不容忽视时,多子陷阱的少子注入俘获效应就在其DLTS中明显地表现出来。这种效应可用于在小注入条件下,测量多子陷阱两种载流子俘获率之比Cp/Cn。     

三区收藏版《加勒比海盗:黑珍珠的咒语》

2003年,财大气粗的迪斯尼斥资1.3亿元,以海盗为题材,配以超强的阵容,一流的视觉特效和众多买座元素打造出全新视听风格的《加勒比海盗》,以一往无前之势勇闯硝烟弥漫的暑假档期,在超强人     

RELAX算法的分辨特性分析

本文讨论了RELAX算法实现信号分离的数学机理以及实现信号分辨的一些特性,探讨了这些特性对其实现信号分辨与否的表现;而且对从DD-RELAX到CD-RELAX、ELAX-AS以及MD-RELAX的发展和联系作了分析讨论。最后对所作理论分析进行了计算机模拟。     

天之界——专访纪录片《天之界》导演鲁峰

“这是我们祖先的诗,怎能不唱给后人？这是我们先辈的诗,怎能不讲述给后人？这是老人们留下的故事,这是—代传—代的故事。” 上面的这段话是《天之界》开篇的第—段解说词,那个苍老遒劲的声音在雪山草地间回荡,昭示一个古老高原民族的悠悠岁月。2012年“精英100”索尼影视制作精英扶植计由索尼中国专业系统集团和《数码影像时代》杂志社联袂打造,     

三区五碟豪华礼盒收藏版《魔戒三部曲之王者再临》

电影简评自2001年的《魔戒现身》,2002年的《双城奇谋》,到2003年终结篇《王者再临》的完美谢幕,全球观众历经三年的魔戒奇幻之旅也画上了句点。《魔戒三部曲》是一部忠实于原著基础上经过匠心独运和精雕细琢的大气磅礴的史诗,它不仅是一部伟大的电影,同时也是一项伟大的工程,而这项庞大工程的缔造者导演彼得·杰克逊在前后六年间凭着其卓越的驾驭力,率领其富于创造力和创新精神的庞大制作     

指环王3:王者归来

奇幻三部曲《指环王》系列终于也到了结局篇．在这一集中．讲述了咕噜如何受魔戒诱惑而变成半人半鬼．佛罗多和山姆在他的带领下继续向末日火山前进．逐步走向陷井之中。另一方面．巫帅甘道夫和另两位小矮人、阿拉贡和他的忠诚伙伴兵分两路向中土刚多城首都挺进。     

电信网络体系的演变

从数据业务曦将要超过电话业务量,移动通信用户数钭要超过固定电话用户数这一趋势出发,引出宽带化是传输节点和业务节点发展的方向,在向下一代网络发展的过程中,网络体系结构在分和分割方面将要发生的演变。     

实用光阴极的进展纪念发现光电发射效应100周年

赫芝(Hertz)于1887年发现光电发射效应,为了纪念光电发射效应发现100周年,本文对实用光阴极的发展历史作一简单的回顾,并对其现况作扼要的评述。