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采用化学束外延(CBE)技术,以三乙基镓(TEG)和砷烷(AsH3)为源,在Si(001)衬底上生长GaAs薄膜.利用Hall效应、卢瑟福背散射(RBS)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)检测了外延层的质量.结果表明,GaAs薄膜具有n型导电性,载流子浓度为1.3×1015cm-3,其杂质估计是Si,它来自衬底的自扩散.外延层的质量随着膜厚的增加而得到明显的改善.在GaAs/Si界面及其附近,存在高密度的结构缺陷,包括失配位错、堆垛层错和孪晶.这些缺陷完全缓解了GaAs外延层和Si衬底之间因晶格失配引 相似文献
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GaAs衬底层选择性腐蚀技术 总被引:2,自引:1,他引:1
本文在GaAsGaAlAs选择性腐蚀的基础上进行了腐蚀GaAs衬底层获得GaA/GaAlAs外延层薄膜的二次腐蚀技术。最终选用了C3H4(OH)(COOH)3.H2O-H2O2系选择性腐蚀液和H2SO4-H2O2系腐蚀液,获得了快速,可控制,重复性好的可全部可局部去除衬底的腐蚀方法。 相似文献
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本研究采用电子通道技术(ECP)对单晶和双晶外延生长的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测,并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量;还对YBCO/CeO_2/MgO/SrTiO3的双外延薄膜作研究。 相似文献
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对在GaAs、Al2O3和Si等衬底上MOCVD技术生长的GaN薄膜进行了背散射几何配置下的喇曼散射测试分析和比较,观察到α相GaNl模,Al模El模和E2模,结合射线衍射谱,分析了因不同生长工艺导致GaN/GaAs样品的不同结构相的喇曼谱的差异,发现GaN喇曼谱与GaN外延层的结构相,完整性及工艺条件有关,可利用其作为检测GaN外延层结构特性的一种有用手段。 相似文献
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硅基异质结光电探测器用材料的应用研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
综述当前GeSi/Si、GaAs/GaAlAs、HgCdTe、PtSi和GaN光电探测器用材料的工作原理、特点、研究现状及发展趋势。以新型薄膜外延技术-分子束外延制备的GeSi/Si等人工超晶格材料倍受关注,硅基异质子阱材料成为新一代光电探测材料的发展方向。 相似文献
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《激光与光电子学进展》1994,(2)
在GaAs上沉积氧化物缓冲层和用该层开发强介质薄膜富士施乐公司与美国施乐公司一起,试验在GaAs基片上异质外延生长强介质薄膜,目的是实现半导体激光器与强介质光学元件的集成。在GaAs(100)上低温外延生长出MSO缓ith层,进而用该层外延生长BaT... 相似文献
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在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了AlN薄膜.用AES方法和XPS方法分析了AlN膜和AlN/GaAs界面.在AlN/GaAs界面发现了O—Al键,没有发现O—Ga键或O—As键.本文通过实验证明,AlN/GaAs界面的O元素在AlN淀积过程中从GaAs表面转移到AlN膜中.这与通过PECVD方法淀积AlN薄膜形成的AlN/GaAs界面完全不同.由于AlN/GaAs界面的O元素是与Al结合的,因此有较好的界面特性.这是直流磁控反应溅射方法制备的AlN薄膜适用于GaAs器件钝化的主要原因 相似文献
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2003年,财大气粗的迪斯尼斥资1.3亿元,以海盗为题材,配以超强的阵容,一流的视觉特效和众多买座元素打造出全新视听风格的《加勒比海盗》,以一往无前之势勇闯硝烟弥漫的暑假档期,在超强人 相似文献
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本文讨论了RELAX算法实现信号分离的数学机理以及实现信号分辨的一些特性,探讨了这些特性对其实现信号分辨与否的表现;而且对从DD-RELAX到CD-RELAX、ELAX-AS以及MD-RELAX的发展和联系作了分析讨论。最后对所作理论分析进行了计算机模拟。 相似文献
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“这是我们祖先的诗,怎能不唱给后人?这是我们先辈的诗,怎能不讲述给后人?这是老人们留下的故事,这是—代传—代的故事。”
上面的这段话是《天之界》开篇的第—段解说词,那个苍老遒劲的声音在雪山草地间回荡,昭示一个古老高原民族的悠悠岁月。2012年“精英100”索尼影视制作精英扶植计由索尼中国专业系统集团和《数码影像时代》杂志社联袂打造, 相似文献
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电影简评自2001年的《魔戒现身》,2002年的《双城奇谋》,到2003年终结篇《王者再临》的完美谢幕,全球观众历经三年的魔戒奇幻之旅也画上了句点。《魔戒三部曲》是一部忠实于原著基础上经过匠心独运和精雕细琢的大气磅礴的史诗,它不仅是一部伟大的电影,同时也是一项伟大的工程,而这项庞大工程的缔造者导演彼得·杰克逊在前后六年间凭着其卓越的驾驭力,率领其富于创造力和创新精神的庞大制作 相似文献
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赫芝(Hertz)于1887年发现光电发射效应,为了纪念光电发射效应发现100周年,本文对实用光阴极的发展历史作一简单的回顾,并对其现况作扼要的评述。 相似文献