白色LED即将迎来"爆发"时刻

白色发光二极管（LED）何时能实现100lm/W，的发光效率，并在功耗方面超过荧光灯呢？长久以来引人关注的问题终于迎来了解决的时刻。因为日亚化学工业马上将从06年6月开始样品供货发光效率为100lm/W的白色LED,据悉12月份将开始量产。     

InGaAlP LED发光特性分析

InGaAlP LED发光效率高，性能稳定，应用相当广泛。在InGaAlP LED的应用中，发光特性是相当重要的参数，而发光强度和半强度角是LED发光特性的两个主要参数。介绍了不同的InGaAlP LED芯片结构．分析了其发光特点及封装后的发光特性，讨论了不同的反射式支架结构对其发光特性产生的不同影响。     

LED测量原理及其应用

在光源的发展史中,白炽灯至今已使用了近60年。作为传统光源,白炽灯具有高光通、高显色,但同时也存在高能耗的问题。荧光灯在白炽灯之后也曾作为照明灯具的主要光源,但在使用和在废弃后处理同样存在污染问题。随着白光LED光源出现,低能耗和高光效的LED被人们捧为"节能光源",取代传统的白炽灯和荧光灯也是势在必行,特别像演艺舞台和电视演播的光源要求,具有     

简单高效地控制高亮度LED

HBLED（高亮度发光二极管）是全球增长最快的一种光源,它的发光效率在35～50Lm／W内,超过了白炽灯和卤素灯。经过改进,还可以用于生产发光效率大干100Lm／W的器件,这超过了日光灯的发光效率,堪与HID灯媲美。     

选择特色LED驱动方案应对LED照明

街道照明的功率往往较高,对驱动电路的能效要求高,要求采用高能效拓扑结构的LED驱动器,且往往要求功率因数校正(PFC)。图中所示为基于NCP1607 PFC控制器和NCF1397半桥谐振驱动器的100到300 W大功率街道照明的电源框图。     

LED白光照明光源的研制

利用自制的YAG荧光粉封装白光发光二极管(W-LED)并组装成W-LED阅读灯。根据光度学原理对W-LED灯、荧光灯及白炽灯的照明参量进行测试。结果表明：W-LED灯具有节能、超长寿命、工作性能稳定和方向性好等显著优点。     

LED节能技术将大规模进入普通照明领域

LED（发光半导体）白光灯具的发光效率已数倍于白炽灯，预计2010年还将超过荧光灯，节能的效果将更加显著。业界表示，LED技术即将进入普通照明领域，形成一个数百亿美元的巨大产业。     

LED路灯产品质量的提升对策探讨

我国的LED产业在最近几年发展得很迅速,得到越来越广泛的应用,而将LED光源应用于道路照明中却是一项新兴产业。文中主要探讨台湾颁布的CNS15233标准的要求对国内目前生产的LED路灯在耐久性、配光特性、光效、环境适应性等方面的影响,并总结了LED路灯在设计时需注意的方面,急切呼吁国内有关道路照明灯具性能要求的标准尽快出台。     

发光效率100lm／W的白色LED!日亚化学06年6月开始供应样品

日亚化学工业日前开发出了发光效率为100lm／W的白色发光二极管（LED），2006年6月开始供应样品（图1）。计划同年12月投入量产。从发光效率来说，性能超过了普及型荧光灯，可与发光效率较高的品种比肩。2005年该公司曾表示2010年前后量产100lm／W产品。这次公布的消息将量产时间提前了3～4年。日亚化学工业即将供应样品的白色LED，在20mA的输入电流下可得到6lm的光通量。     

高压、高亮度 LED 的驱动

由于现在各国都在不断减少白炽灯泡的使用而且各大公司也都意识到转向使用一些替代照明方法可以实现节能,而这其中发光二极管（LED）和紧凑型荧光灯（CFL）便是主要的选择,因此对于低成本、低环境影响照明解决方案的需求比以往任何时候都要强烈。     

100lm/W照明用LED大功率芯片的产业化研究

本研究基于蓝宝石图形衬底（PSS）制备GaN基40mil功率型LED芯片,结合版图的优化,改善了电流扩展效应,系统研究了LED器件的光电性能。制备的LED外延片波长集中在6nm范围内,半峰宽接近20nm,LED功率型芯片使用优化的版图设计,在0.01mA下有良好的点亮效果,没有暗区,器件在350mA下发光效率达104 lm/W,并能够满足3W的应用市场,此外,器件具有良好的可靠性和稳定性,350mA和700mA下老化1,000hr光衰分别为-0.4%和2.8%,并成功解决了产业化的关键技术。     

白光LED能量转换效率的研究

推导出了根据发光效能和光谱功率分布函数,计算了白光LED能量转换效率的公式,研究了1W白光LED能量转换效率与工作电流、环境温度和发光效能之间关系,并对荧光粉涂敷前后白光LED能量转换效率的变化进行了分析.研究结果表明,φ5、1W白光LED能量转换效率分别为22.67%和14.87%,1W白光LED的能量转换效率,随着工作电流、环境温度的增加而下降,能量转换效率与发光效能比值基本恒定,荧光粉涂敷前后白光LED能量转换效率从21.2%下降到15.11%,荧光粉能量转换效率约为93%.     

利用发光光谱估计AlGaInP LED结温的新方法

针对常用的正向电压法接触式测量以及峰 值波长法在结温估计前需要定标、峰值波 长与结温近似成线性关系等问题,提出了一种方便和精确的发光二极管(LED)结温非接触测 量方法。通过对 Varshni式和Bose-Einstein式的比较分析,得到Varshni式中常数项α、β与Bose-Einstein式中aB、θD的关 系式,从而建立起峰值波长与结温的非线性关系,同时对四元系材料AlGaInP LED的禁带宽 度公式进行推导,实现利用发光光谱非接触式估计结温的方法。本文方法无需结温估计前的 定标系统,避免由仪器结 构等带来的误差,提高了精度。实验结果表明,利用本文方法推导的Varshni公式中ΔE_g(T)=Eg(0)-E_g(T)的理 论值和实验值最大误差不超过0.003eV,进而 估计的结 温 与实际的结温能够较好吻合,估计误差为2K,且低于由峰值波长法得到的估计误差6K。     

交流LED与高压LED的特性实验研究

高压LED和交流LED都是通过串联数十颗LED来增大整体导通电压,结构上高压LED是交流LED的一种特殊形式。介绍了高压LED和交流LED的驱动电路模型,其共同点是皆有一个限流电阻与光源串联。通过调整限流电阻的阻值和改变光源所含LED个数与连接形式,分别对高压LED和交流LED的输出特性进行了测量。在两种光源所含LED数量和工作电流均相同的情况下,高压LED的发光效率和光通量要高于交流LED;并联式高压LED的发光效率低于串联式高压LED的发光效率,光通量则相反;验证了交流LED的发光效率与限流电阻无关。     

高亮度白光LED

IDEC公司开发了高亮度白光LED，其发光效率为95lm／W，是现有白光LED亮度的1．35倍，已达到荧光灯的水平。虽然其产品价格是荧光灯的2倍，但寿命约4万小时，比荧光灯寿命长6．5倍，而耗电量仪为荧光灯的2／3。     

GaN基功率LED高低温特性研究

首次对自制的GaN基大功率白光和蓝光发光二极管在-30~100°C的温度下进行了在线的光电特性测试,对两种不同LED的正向电压、相对光强、波长、色温等参数随温度变化的关系进行了数据曲线拟合,对比分析了参数变化的原因,以及这些变化对实际应用的影响。结果表明,温度对大功率LED的光电特性有很大影响,通过对比发现白光LED的部分光参数随温度的变化不仅与GaN芯片有关,同时受到荧光粉的影响。低温环境下,要考虑LED的正向电压升高和峰值波长蓝移对应用的影响;而高温条件下要考虑光功率降低和峰值波长红移对应用的影响。     

基于反馈控制的高能效LED驱动电路设计

为了提高可调光发光二极管（LED）的灵活性和能量效率,提出了一种基于反馈控制的LED驱动器。该驱动电路采用了自适应电压调节技术,使线性电流调节器的功率损耗降到了最低。并设计了相应的基于电阻数字模拟转换器的数字控制机制,可用于馈送dc–dc转换器的模拟反馈输入。实验结果显示,提出的数字控制方法灵活性和稳定性较高,且能够有效控制调节速度。当输入电压为26 V时,LED驱动器能够提供较宽的5~40 V输出电压范围,获得了较大的灵活性。在输出电流为680 mA时,稳定状态下的精确度超过97.7%,频率为1 kHz且最短的接通持续时间为4 μs,系统的峰值效率达94.1%。     

1W级大功率白光LED发光效率研究

研究了1W级大功率白光发光二板管(LED)发光效率随功率变化的关系.实验结果表明,功率在0～0.11W的范围里,发光效率随功率迅速增加;功率达到0.11W时,发光效率为15.6 lm/W;当功率大于0.11W时,发光效率随功率增加开始减小,功率继续增加时,发光效率降低的速度越来越快.在器件额定功率1 W附近,发光效率为13 lm/W.发光效率随功率增加而下降主要是由于芯片温度升高、电流泄漏等导致的载流子有效复合几率下降引起的.     

动手组装大功率LED灯

LED灯就是用发光二极管作为光源的射灯。传统射灯多采用卤素灯,发光效率较低比较耗电,使被照射环境的温度上升,使用寿命短。LED在发光原理、节能、环保的层面上都远远优于传统照明产品。而且LED发光的单向性形成了对射灯配光的完美支持。     

一种实现色温可调白光LED的方法研究

提出了利用暖白光、绿光、蓝光三种颜色的LED混合得到色温动态可调的白光LED的方法,并验证这一方法的可行性。选取色温为3 000K的暖白光LED与绿光、蓝光LED进行混色,可以得到色温大范围准确可调的白光LED,且改善了白光光源的显色性。