等离子体增强化学气相沉积氮化钛薄膜

等离子增强化学气相沉积法(PCVD)是在物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)基础上发展起来的一种沉积方法。它兼有 PVD 和 CVD 方法的优点。介绍了 PCVD的原理和所研制的一台 PCVD 设备。分析了用 CVD 法和 PCVD 法制备的硬质膜的性能。所分析的性能有:显微硬度、抗弯强度、粘结牢度、机加工性能。     

等离子体化学气相沉积

一、前言由于日益增长的社会需求,促使材料表面成膜技术(表面涂层)迅速发展。表面成膜在微电子、能源、光纤通讯、超导材料等尖端技术中,都占有重要的地位,在机械、建材等工业以及日用消费品制造业中都有广泛的应用。从材料种类上来看,薄膜材料有金属、半导体和绝缘体,有单晶、多晶和非晶态,有无机和有机材料。薄膜的成膜方法很多。可以按图1分类。根据不同的材料,可以选用相应的成膜工艺。     

等离子体化学气相沉积TiN

试验证明，利用非热平衡态的直流等离子体，可使ＴｉＮ的化学气相沉积温度由普通ＣＶＤ的１０００℃左右降到５００℃左右，膜的硬度达２０００ｋｇ／ｍｍ２（维氏）以上。研究了气压、气体配比及放电参数对膜沉积速度、硬度及结构的影响。     

磁场辅助等离子体增强化学气相沉积

本文根据螺线管线圈内部磁场的分布规律，以及磁场对等离子体内部电子的作用原理，设计了磁场辅助的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统，并且研究了在PECVD系统中获得均匀磁场的方法。而后，以SiH4和N2为反应气体，在低气压下沉积了SiN薄膜。测量了SiN薄膜的沉积速率，折射率，表面形貌等参数。验证了磁场分布的均匀性，分析了磁场在等离子体增强化学气相沉积系统中的作用。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展。重点评述了反应机理、发展历史、沉积方法、补底材料、检测手段。论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

等离子体化学气相法沉积金刚石薄膜

本文介绍和评述了化学气相沉积法制备人造金刚石薄膜及其进展，重点评述了反应机理，发展历史，沉积方法，补底材料，检测手段，论述了有利于形成立方晶系金刚石材料的沉积条件。     

辉光放电气相沉积氮化钛薄膜

本文叙述了辉光放电气相沉积氮化钛薄膜的工艺。它具有物理气相沉积与化学气相沉积的综合特点。在此工艺中,辉光放电作为化学反应和沉积的介质,通过等离子体的激活作用,可在低气压下直流辉光放电的工件(阴极)表面上获得化合物薄膜。已在工艺实验中,工件表面上沉积了致密的氮化钛涂层。此工艺的沉积温度低、沉积速率较高。     

用等离子体化学气相沉积制备导电碳

引言用等离子体化学气相沉积(CVD)制备导电碳最近变得越来越引人注目。用苯的射频等离子体制备薄的碳膜,其目的是在较低的沉积温度下获得很高的导电率碳膜。在一个加热到1000℃的石英基片上,用苯的等离子体沉积获得了导电率为500s/cm的碳膜。     

等离子体增强化学气相沉积设备的研制

本文介绍非晶硅薄膜太阳能电池生产线的核心设备——等离子体增强化学气相沉积(PECVD, Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)系统,并阐述了其重要地位.非晶硅太阳能电池制造的关键技术是非晶硅薄膜的制备,目前最常见的制备方法是PECVD技术.PECVD技术凭借其低温沉积、可大面积成膜、成膜均匀等特点,在非晶硅薄膜制备方面迅速发展.PECVD系统用于制备非晶硅太阳能电池的关键结构P、I、N硅薄膜层.本文阐述了该设备的结构特点、技术指标、工作原理及工艺过程,对沉积室的结构和配置进行了详细设计计算,非晶硅太阳能电池稳定后的转化效率可达6％.     

微波等离子体化学气相沉积金刚石簿膜

建立了一台微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜的设备。该实验装置由以下几部分组成：微波源及传输系统、反应室、供气系统、真空系统和检测等五部分组成。沉积室是由长７０ｍｍ直径４６ｍｍ的石英管组成的。分别采用ＣＨ４／Ｈ２和ＣＯ／Ｈ２混合气体进行了沉积试验；研究了沉积参数对沉积金刚石膜的影响。在直径３０ｍｍ的单晶硅片和石英片上沉积出了均匀的金刚石膜。采用ＣＨ４／Ｃ２混合气体时，沉积速率在０．５～１．０μｍ／ｈ之间，这与原有的热灯丝方法相近。采用ＣＯ／Ｈ２混合气体时，沉积速率可达到１．７μｍ／ｈ。     

等离子体化学气相沉积法及其最新发展

本文将对等离子体的性质、等离子体对化学气相沉积的作用、ＰＣＶＤ反应器以及 新近发展起来的微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）的特点和应用作一综述。期 望引起国内同行对这一崭新领域的关注，把我国ＰＣＶＤ特别是ＭＰＣＶＤ的研究工 作推向前进。     

定向TiN薄膜的等离子体化学气相沉积

在射频等离子体化学气相沉积条件下,在玻璃、低碳钢、云母、单晶Si(111)等基材上沉积TiN薄膜。试验表明,在这些基材上,在一定条件下,都可得到高度定向的TiN膜,研究了等离子体化学气相沉积中形成高度定向膜的条件及原因。     

微波等离子体化学气相沉积系统谐振腔研究

微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法是目前最有发展前景的高质量金刚石薄膜沉积方法之一,但由于谐振腔中微波与等离子体之间强烈的相互作用,人们很难根据经验对谐振腔进行改进,本文利用HFSS软件对不锈钢式MPCVD的谐振腔进行了模拟,通过分析谐振腔内电场以及等离子体的分布,对谐振腔的主要参数进行了优化处理,并根据模拟结果设计出谐振腔系统,在一定条件下,沉积出了优质的金刚石膜,沉积速率可达到0.33 μm/h.     

等离子体物理气相沉积

利用等离子体辅助物理气相沉积制备化合物薄膜(氧化物、碳化物、氮化物和硫化物等)技术已广泛应用于很多工业领域,包括微电子学、光学、磁学中介质膜的沉积;切削和成形刀具上超硬碳化物和氮化物薄膜的沉积;固体润滑中硫化物薄膜的沉积,以及固体电解质薄膜的沉积等领域。事实上,等离子体物理气相沉积技术在材料制备方面已开辟了一个新的     

等离子化学气相沉积氮化钛在高速钢精密轴承上的应用

报道了等离子化学气相沉积氮化钛工艺在高速钢精密轴承上的应用。试验结果证明，PCVD－TiN具有良好的表面复形能力和良好的绕镀性。该镀层在200～400℃大气中具有良好的耐蚀和抗热震性能。它可用于高速钢精密轴承等加工精度高的工件的表面处理。     

等离子化学气相沉积氮化钛在高速钢精密轴承上的应用

报道了等离子化学气相沉积氮化钛工艺在高速钢精密轴承上的应用。试验结果证明，ＰＣＶＤ－ＴｉＮ具有良好的表面复形能力和良好的绕镀性。该镀层在２００－４００℃大气中具有良好的耐蚀和抗热震性能。它可用于高速钢精密轴承等加工精度高的工件的表面处理。     

等离子体化学气相沉积TiN膜的刀具试验

在刀具上沉积TiN、TIC或其它复合镀层,可大大提高它们的使用寿命。镀超硬膜的化学气相沉积(CVD法),因其工艺成熟,适于大批量生产,但有两个显著的缺点:(1)沉积时温度高(要在1000℃左右),所以只能用于硬质合金刀具上。在高速钢刀具或模具上则不能使用。(2)在硬质合金上应用,也存在温度高引起基体脱碳,形成脆性层(如η相),