CMOS集成电容绝对压力传感器

CMOS集成电容绝对压力传感器是基于集成电路主流工艺集成的新型传感器,克服了传统传感器的缺点并利于批量生产,介绍了传感器的原理,结构及处理电路,并对微系统集成的概念及生产工艺进行了讨论,对传感器的应用前景及领域进行了展望与预测。     

CMOS集成电容湿度传感器

CMOS集成湿度传感器是利用MEMS技术基于CMOS工艺的新型传感器，将传感器结构与接口电路集成在同一块片子上，具有体积小，价廉、可靠性高等优点，利于批量生产和系统集成。主要介绍了湿度传感器的工作原理和一些常用感湿介质，如多孔硅、聚酰亚胺、空气的感湿特性，比较了几种流行的湿度传感器结构以及接口信号处理电路像开关电容电路、多谐振荡电路之间的优缺点。最后给出了微系统集成的概念，并对CMOS集成湿度传感器的应用前景进行了展望。     

一种用于参比型电容压力传感器的调宽线路

本文介绍了一种适用于参比型电容压力传感器的脉冲调宽线路。在压力作用下,敏感电容随压力的变化而变化,而参比电容保持不变。电路输出电压与压力成线性关系,线路简单、功能齐全、调整灵活,不但可以对输出进行非线性校正,而且还具有一定的温度补偿作用。     

新型接触式电容压力传感器

与其他类型压敏器件相比,接触式电容压力传感器(TMCPS)有着明显的优点,例如较好的线性,高灵敏度和大过栽保护能力等.为了达到更好的性能,设计了一种新型的接触式电容压力传感器(DTMCPS),这种新型的结构是在传统的TMCPS的底部电极上刻蚀了一个浅槽.与现有的接触式电容压力传感器相比,这种结构可以实现更好的线性和更大的线性范围.使用有限元分析软件对膜片的变形进行了分析并阐述了传感器的结构和工艺过程.分析结果表明这种新型结构的传感器可以在保持传统结构优点的同时实现更高的灵敏度,更好的线性和更大的线性范围.     

CMOS集成压力传感器

日本电气中央研究所研制出一种高灵敏度、抗温度干扰性强的硅集成压力传感器,并同时在基片上集成改进的CMOS(互补型金属氧化物半导体)型外围电路,成功地改善了压力传感器的温度特性,提高了灵敏     

压敏电阻集成压力传感器

对于自动化和工业上的应用等,研制了一种带有敏感、温度补偿和放大电路的硅压阻集成压力传感器(IPS)。此集成压力传感器粘贴在2mm厚的硅支撑上,采用了静电封接技术以减少由支撑及壳体产生的不期望的热应力。在IPS芯片周围的陶瓷片上制造了以激光修正的印刷厚膜电阻用于调节温度补偿及转移函数分度。陶瓷片然后安装在改进了的TO-3外壳内,构成一个三端头器件。本文说明了敏感元件电桥及全组合IPS的实验结果与工作幅宽温度补偿模拟很好的一致性。本文还描述了IPS的零位及非线度的温度依赖性。     

一种光学压力传感器

本文介绍了利用应力双折射工作原理研制的一种压力传感器。这种由光学元件构成的传感器灵敏度高、结构简单、抗电磁场干扰能力强、具有石英压电式压力传感器高固有频率的特点,又克服了其不适于静态测量的弱点。     

一种新型压力传感器

德国Senso Nor公司销售一种高精密压力传感器,从而扩大了其SP80/SP81压阻式压力传感器系列。这种新型高精密压力传感器的突出的特点是:长时间稳定性可达到0.02％/Pa,滞后及重复精度可达0.005％VE。 由于这种压力传感器可靠性极高,特别适用于航天及军事方面,同样,由于其具有灵敏度     

MEMS高温接触式电容压力传感器

本文介绍了一种用SOI硅片和硅-硅键合MEMS技术制作的高温接触式电容压力传感器，并给出了详细的工艺制作流程。在对测试装置、测试电路进行了详细地介绍和深入分析后，用此测试电路对制作的传感器器件进行了高温测试。测试结果表明，传感器在小于250kPa的室温条件下工作，传感器的灵敏度为0．54mV／kPa;而在400℃条件下工作，传感器的灵敏度为0．41mV／kPa，传感器的零点飘移为0．1mV／℃。可见这种微传感器可在低于450℃的条件下正常工作，且具有很大的线性工作范围、良好的稳定性和较高的灵敏度。     

集成压力传感器的精度计算(一)

本文为用户提供了一种在特定条件下计算传感器精度的方法。     

高精度电容压力传感器的有限元仿真

本文给出了采用有限元仿真来解决高精度电容传感器结构设计的具体作法,提出了减少电容传感器滞后误差的措施。文章最后还给出了研制样品的实测数据。     

一种光纤高温压力传感器

提出了一种基于氢氧火焰加工技术制作的光纤高温压力传感器。采用氢氧火焰加工光纤毛细管与玻璃套管,用耐高温玻璃胶加工玻璃套管与玻璃片,制作的法珀干涉型压力传感器,短时间工作温度能达到300℃,压力灵敏度达到23.158μm/MPa,能够满足高温环境下压力测量的需求。     

电容式压力传感器的开关电容接口

引言目前,扩散硅压阻式桥路和离子注入式硅膜片集成压力传感器的线性都很好,但它们的温度特性差,功耗也较大。相比之下,电容式压力传感器的温度特性要好得多,功耗也小。它的灵敏度是压阻桥路压力传感器的10～20倍,正在研制中的开关—电容(SC)接口非常适用于     

高精度硅电容压力传感器的研究

本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构，从而较好地消除由温度特性不匹配造成的漂移。利用Ｄｉｏｄｅ－ｑｕａｄ接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器材固有的非线性，使传感器的精度大大提高。     

电容压力传感器的FLANN建模方法

旨在开发一种计算简单的电容压力传感器的模型，以便经济、可靠地应用。分析表明采用新型函数链接型神经网络建立的电容压力传感器模型能够精确读出应用压力，它是一种能实现输入到输出的高度非线性映射并且运算高效的非线性网络，在建立传感器模型的类似性能上比多层感知器具有更高的运算优势。     

集成数字压力传感器的应用

介绍一种利用半导体单晶压阻效应制成的新型集成压力传感器.将其应用于含水率等检测中,使检测精确度得以提高.     

一种新型的压力微传感器

介绍一种新型的压力传感器,即静电激励电容拾振的硅谐振压力微传感器。该传感器在可靠性,测量精度,体积,重量等方面都有传统的传感器所不能比拟的优点,实验结果表明,其测量精度可以达到0．021％F．S。     

一种集成三轴加速度、压力、温度的硅微传感器

针对恶劣环境和严格空间体积限制条件下的多参数测量问题,利用绝缘体上硅（SOI）材料,采用微型机械电子系统（MEMS）技术,研制了一种可以同时测量三轴加速度、绝对压力、温度参数的单片集成硅微传感器,其中加速度、绝对压力传感器基于掺杂硅压阻效应,温度传感器基于掺杂硅电阻温度效应.结合芯片中各传感器的工作原理,用有限元方法对设计的结构进行了仿真,确定集成传感器的电阻分布和结构参数.根据确定的集成传感器结构,制定了相应的制备工艺步骤.最后给出了集成传感器芯片的性能测试结果.     

一种新型的电容传感器──基于边缘效应原理的传感器

本文介绍了一种新型的电容传感器。它不同于以往的平行板式电容传感器,而是利用边缘场效应的原理,设计出的具有宽的静动态测量范围(mm级)和高精度的测量仪器。它适用于自动化加工过程中的实时测量,具有快速、稳定和小尺寸的特点。文中对这种测量方法的原理,数学推导及实验进行了详细地描述。实验结果表明:这种边缘场电容传感器具有广泛的应用范围。     

压阻式集成压力传感器

一、引言在许多新的领域里,微机控制的仪器仪表和系统被广泛应用。这些系统一般由一个或多个传感器构成,传感器的低电平输出信号先要通过信号调节电路放大,再传送到远距离的微机去处理或控制。硅传感器技术的发展,已能将传感器和信号调节电路合并在一起,成为一个集成传感器。硅压阻式集成压力传感器由Bicking设计成功。这种传感器把敏感元件、温度补偿、信号放大和调整功能都集成在同一芯片