研制高温半导体力敏传感器的几种途径

本文介绍了SOS(兰宝石上生长硅单晶)传感器,多晶硅阻传感器以及SOI(绝缘衬底上生长硅)压阻传感器三种可以应用在高温的半导体力敏传感器的结构和制造工艺,着重介绍并分析比较了国内外目前生长SOI材科的五种方法以及用它制造压阻式传感器的几个特殊问题。     

半导体高温压力传感器的研究

介绍多晶硅压力传感器，由于采用二氧化硅介质膜作应变电阻之间的隔离，因而提高了传感器的工作温度。实验表明，该类传感器具有灵敏度高，精度高、温度特性好、工作温限高等特点。     

金属氧化物半导体气敏传感器研究进展

金属氧化物半导体气敏传感器由于具有低成本、低功耗、高灵敏度、快速响应、稳定耐用等特点而引起人们广泛关注。本文主要介绍了金属氧化物半导体气敏传感器的基本原理、分类、器件结构、气敏机制,重点介绍了金属氧化物气敏传感器性能提升方法。通过掺杂改性、改变微观尺寸和形貌以及形成各种复合结构等都有利于金属氧化物传感器气敏性能的增强,并对其增强机理进行了一定的解释。     

半导体磁敏电阻和传感器

ＩｎＳｂ磁敏电阻元件用磁敏电阻传感器是一种新型的，重要的磁敏元件和传感器。首先，简要介绍了ＩｎＳｂ磁敏电阻元件和磁敏电阻传感器的工作原理，结构，性能等；分别介绍磁敏电阻传感器，磁性墨水文字图形识别传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，齿轮传感器，磁性编码器，直线位移传感器，无接触电位器等工作原理，结构，主要技术性能和应用。     

半导体气敏材料研究中的催化问题

本文强调了催化理论和气敏技术间的密切关系。根据从催化反应动力学导出的表面复盖度θ,讨论了气敏材料的催化和气敏性质。详细分析了催化反应中扩散控制对气敏材料灵敏度和选择性的影响。对气敏材料控制指标和催化性质作了关联。指出了利用催化理论和实验结果指导气敏材料研究的可能性。     

金属氧化物半导体SnO2气敏传感器

SnO_2具有金红石型的晶体结构,禁带宽度约为 3.6 eV.由于Sn的电子亲合力不太强,晶态SnO_2都具有氧空位,故属于N型金属氧化物半导体.作为施主的氧空位,其能     

陶瓷厚膜力敏传感器

介绍采用厚膜工艺技术制作陶瓷力敏传感器,详细叙述圆膜片式压力传感器和陶瓷双孔梁式力传感器的工作原理、主要性能、结构设计、制作工艺,展望其应用前景.     

半导体双轴力传感器的设计

介绍一种半导体双轴力传感器的结构设计与工作原理,并利用ANSYS软件进行了仿真模拟.通过分析,确定了应变计的粘贴部位和应力分布.传感器试验结果表明:该传感器灵敏度优于0.05 V/N,精度达到0.5%FS,零点漂移小于1%FS/h,热零点漂移小于0.5%FS/℃,满足使用要求.     

金属氧化物半导体气敏材料的研究进展

金属氧化物是重要的半导体材料,具有较好的气敏特性,作为气敏材料被广泛应用。本文较系统地对金属氧化物气敏材料的研究现状作了阐述,重点介绍了复合氧化物气敏材料的研究状况,并对其气敏性质进行了概述。展望了金属氧化物半导体气敏材料今后的研究重点及发展方向。     

金属氧化物半导体气敏传感器的加热电路

本文简述了金属氧化物半导体—N- SnO2 半导体气敏传感器的加热电路,并根据实际应用对加热电路进行了一些改进。     

半导体InSb磁敏电阻小位移传感器

本文介绍了一种新型半导体ＩｎＳｂ磁敏电阻的小位移传感器的工作原理、结构、技术性能和应用电路等．     

混合集成力敏传感器的研制

本文对半导体应变式传感器的非线性、温度零漂、灵敏度温度系数、蠕变等参数进行了研究,建立了电子线路综合补偿方法,并采用半导体平面工艺研制成功了小型硅应变片,与混合集成电路技术结合,使敏感元件与补偿、放大电路组合成为一体。     

半导体氧化物气敏材料的电导振荡特性研究

本文对半导体氧化物气体敏感材料的电导振荡特性加以研究分析,通过试验与理论分析得出气敏电导振荡的必要条件,并对电导振荡型气体敏感元件的原理、工艺技术和结构等进行分析说明．同时,对半导体氧化物气体敏感材料的常温气体敏感特性进行归纳总结,指出其优缺点和需要解决的问题．     

半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述

本文结合半导体金属氧化物的电学特性，从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发，对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关，因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义。     

金属氧化物半导体电阻 型气敏传感器作用机理

根据实验所得规律,知金属氧化物表面发生的气—固、气—气反应及其相关的电子过程是气敏作用机理的基础.添加剂、表面处理、温度控制等都能够影响这些反应过程,可用来改善传感器的灵敏度和选择性.     

ZnO系半导体陶瓷气敏传感器的进展

本文综述了ZnO系气敏半导体材料的发展慨况,讨论了元件的结构与气敏效应的关系,评述了解释ZnO系气敏材料性质的敏感机理,探讨了目前存在的问题及今后的发展方向。     

QM-Y系半导体气敏传感器的失效分析

通过对气体传感器的可靠性试验,得到了元件失效的主要类型,对失效元件从微观和宏观进行了分析,找到了一些引起元件失效的主要原因,对元件的实际应用和批量生产有着极其重要的价值。