一种具有精确增益控制的CMOS可编程增益放大器

采用0.13μm RF CMOS工艺,设计了一款具有精确增益步长控制的宽带可编程增益放大器.在传统电阻网络衰减器的基础上,提出了一种新的增益控制方法.该方法采用两个互相重叠的反馈环路,通过改变环路中跨导的比值以实现精细的增益步长控制.测试结果表明,当电源电压为1.2V时,功耗为24 mW,-3 dB带宽为600MHz....     

一种高精度宽带可编程增益放大器设计

基于SMIC 180 nm混合信号CMOS工艺,1．8 V电源电压供电,设计了一种应用于射频前端芯片的高精度宽带全差分可编程增益放大器（PGA ）．该PGA采用四级级联结构,且带有直流失调校准电路和可驱动50Ω电阻负载的超级源随器．流片测试结果表明,该PGA性能良好,由六位数字控制字实现0～50 dB增益范围变化,1 dB步进,步长误差小于0．2 dB ,1 dB带宽大于75 M Hz ,3 dB带宽大于110 M Hz ,放大电路部分消耗9 mA电流,输出buffer电路部分消耗8 mA电流,芯片有效面积为518μm ×406μm ．     

一种低功耗高分辨率可编程增益放大器的设计

该文设计了一种用于零中频接收机的低功耗高分辨率可编程增益放大器。该放大器采用源级电阻负反馈结构,利用跨导增强技术提高了放大器的线性度,并加入补偿电容扩展了带宽,实现了低功耗设计。该可编程增益放大器采用0.25μmCMOS工艺,仿真结果表明,在0.5pF负载电容的情况下,放大器增益动态的范围是0～62dB,2.5V供电电压下最大功耗为2.2mW,增益分辨率达到0.25dB,带宽10MHz,0dB增益时输入三阶交调点为17.9dBm。     

低噪声运放电路设计中的噪声考虑

低噪声运算放大器电路的设计需要仔细的考虑各种可能的噪声源：来自信号源的噪声,运放中所产生的噪声和来自反馈网络电阻器的噪声。电路的总噪声是所有噪声分量的平方和的平方根组合（ｒｏｏｔ－ｓｕｍ－ｓｑｕａｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）。源阻抗的电阻部分产生正比于电阻平方根的热噪声,其函数关系示于图１。由于源阻抗通常是固定的,所以要对运放和反馈电阻器加以选择,使它们对总噪声的贡献最小．图１示出增益为１配置的运放（没有反馈电阻器网络所以没有额外的噪声贡献）不同源阻抗的总电路噪声。在总电路噪声计算中用两个不同的…     

提高可编程增益放大器准确度的一种简单方法

数字的可编程性已经成为复杂的混合信号系统里的一个非常必要的特征。可编程增益放大器已广泛应用于各种各祥的应用中,它主要用于优化整个系统的动态范围。由于它是用数字信号控制并且有很大的增益范围,所以需要用开关来选择使动态范围最大的那个增益。这篇论文讲述了一个简单的方法来提高增益的准确度。这个方法采用开关的并联合电阻的组合作为一个单元,它能使可编程增益放大器的增益和开关的可变电阻无关。设计了一个可编程增益放大器验证了这个方法的可行性。它用0．18um CMOS技术生产,增益范围是-28～35dB,步长是1dB。有6位数字信号控制,仿真结果表明了精度可达到0.05dB。     

一种前馈型全摆幅恒跨导准恒增益CMOS运放设计

设计了一种适合在低电源电压下工作的前馈型输入级放大结构，在全摆幅的动态工作范围内，输入级跨导保持不变，采用负载电流补偿以保证增益近似恒定，输出采用前馈型AB类输结构，实现全摆幅输出。     

增益可变运放AD603的原理及应用

AD603是一种低噪声、电压控制增益的新型运放,其传输带宽高达90MHz,增益最高可达51dB,最低达－11dB。详细描述AD603内部结构,功能特点和工作原理,并给出具体应用。     

一种全集成的麦克风可编程增益放大器设计

针对麦克风应用,设计一种全集成、高精度的可编程放大器电路。该电路采用电容增益以及高通滤波器的设计方法,无须片外去耦合电容,实现可编程增益放大器的单片集成。可编程增益放大器电路采用SMIC 0.13μm 1P8M CMOS工艺实现。完成后仿真结果表明,在电源电压1 V,增益18 dB,输入信号频率2 kHz,峰峰值50 mV时,可编程增益放大器动态范围达到73 dB,总谐波失真64 dB,整体功耗206μW,满足麦克风全集成、高精度的应用需求。     

一种高CMRR高增益运算放大器的设计

设计了一种基于TSMC 0.5 μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器。针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性。该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求较高的场合。仿真结果表明,电路的共模抑制比高达137 dB,低频增益为117 dB,单位增益带宽为6.36 MHz,功耗仅为227 μW。     

一种高增益多级运算放大器的设计

为了保证运算放大器在深亚微米量级也能提供足够的增益,三级运算放大器的研究成为近年的热点内容。基于SMIC 0.18 μm工艺设计了一种三级运算放大器,前两级采用折叠共源共栅结构,在提供足够直流增益的同时增加了输入输出摆幅,并且采用DFCFC补偿方案使整体性能得到优化。在3.3 V电源电压下,负载为5 pF电容时,直流开环增益为155 dB,单位增益带宽达到了32 MHz,相位裕度为56.09°。仿真结果表明,设计的三级运算放大器具有较理想的频率响应和瞬态响应,并且所需的补偿电容值较小,芯片面积得到优化,较容易在CMOS工艺下实现。     

一种带增益提高技术的高增益CMOS运算放大器的设计

给出了一种用在高速高精度流水线型模数转换器中的具有高增益和高单位增益频率的全差动CMOS运算放大器的设计,电路结构主要采用折叠式共源共栅结构,并采用增益提高技术提高放大器的增益。共模反馈电路由开关电容共模反馈电路实现。模拟结果显示,其开环直流增益可达到106 dB,在负载电容为2 pF时单位增益频率达到了167 MHz,满足了对模数转换器的高速度和高精度的要求。     

一个对温度不敏感的高增益运算放大器设计

功率放大器是大功率器件,其自身会消耗大部分的功耗,并导致功率放大器芯片的温度在一个很大的范围内变化,因此功率放大器的控制电路需要对环境温度的变化不敏感。针对这一要求,设计出一个对温度不敏感的全差分CMOS运算放大器,该运算放大器采用TSMC 0.18μm工艺,选用折叠式共源共栅、宽摆幅偏置电路结构。在负载电容为10 pF条件下,最大直流增益达到115 dBm,相位裕度为70°;在整个温度范围内（-40~＋125℃）运算放大器的增益变化仅为1 dBm,相位裕度仅变化5°,满足设计要求。     

一种高增益CMOS两级运算放大器的设计

介绍了一种采用0.6μm CMOS工艺设计的高增益两级运放结构。结构主要采用基本的两级运放结构,并采用增益提高技术提高放大器的增益。用SmartSpice软件对电路进行了仿真,仿真结果表明,此电路能够将输入信号放大20000倍以上,单位增益带宽为13MHz,±2.5V电源供电,功耗小于1.4mW。     

一种高速高增益CMOS运算放大器的设计

设计了一种应用于采样保持电路中高速高增益运算放大器。该运放采用全差分增益提高型共源共栅结构。在输入信号通路上加入适当的补偿电容,消除了零极点对对运放建立时间的影响,同时对主运放的次极点进行了优化,改进了相位裕度。采用0.35μmCMOS工艺仿真,结果表明,运放的开环直流增益达到106dB,单位带宽为831MHz（负载电容8pF）,相位裕度为60.5°,压摆率为586V/μs,满足12位50MS/s流水线ADC中采样保持电路性能要求。     

一种高增益全差分运算放大器的分析与设计

采用增益提高技术,设计了一种高增益全差分运算放大器,其主运放和两个辅助运放均为全差分折叠式共源共栅结构,并带有连续时间共模反馈电路。详细地分析了由增益增强结构为此运放带来的零极点对。该运算放大器采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计,开环直流增益可达138 dB,单位增益带宽为252 MHz。     

一种高性能运算放大器的设计

应用0.35μm工艺,在10mw功耗下设计了一个放大倍数为124db、单位增益带宽为233MHz(负载为2pF)的全差分运算放大器,可以同时满足一定的高速、高精度指标.其中,高的直流电压增益通过两级的cascode结构提高运放的输出电阻得到,同时,采用两个全差分运算放大器替代传统的四个单端运算放大器作为增益自举结构,而增益自举运放的共模反馈利用单MOS管来实现.仿真表明,这种新型结构的全差分运算放大器在面积、功耗以及建立时间上都优于传统的运算放大器.     

高性能折叠式共源共栅运算放大器的设计

折叠式共源共栅结构能够提供足够高的增益,并且能够增大带宽、提高共模抑制比和电源电压抑制比.基于Chartered 0.35 μm工艺,设计了一种折叠式共源共栅结构的差分输入运算放大器,给出了整个电路结构.Spectre仿真结果表明,该电路在3.3V电源电压下直流开环增益为121.5dB、单位增益带宽为12 MHz、相位裕度为61.4°、共模抑制比为130.1dB、电源电压抑制比为105 dB,达到了预期的设计目标.     

高性能CMOS运算放大器的设计

基于0.5μm标准CMOS工艺,利用折叠式共源共栅电路和简单放大器级联结构,设计了一种增益高、建立时间短、稳定性好和电源抑制比高的低压CMOS运算放大器.用Cadence Spectre对电路进行优化设计,整个电路在3.3V工作电压下进行仿真,其直流开环增益100.1dB,相位裕度59°,单位增益带宽10.1MHz,建立时间1.06μs.版图面积为410μm×360μm.测试结果验证了该运算放大器电路适用于电源管理芯片.