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1.
热处理和淬火的未掺杂半绝缘LEC GaAs的均匀性 总被引:2,自引:0,他引:2
对未掺杂原生LECSIGaAs单晶在500~1170℃温度范围进行了单步、两步和三步热处理及淬火,研究了这种热处理对EL2分布的影响,并检测了位错和As沉淀的变化。结果表明,650℃以上温度的热处理可以改善EL2分布均匀性,且在650~950℃温度范围的热处理中,EL2均匀性的改善与热处理后的降温速率无明显联系。此外,两步或三步热处理的样品中EL2分布甚至比单步热处理样品中更优。950℃以下的热处理和淬火对位错和As沉淀无明显影响。但是1170℃热处理井淬火后位错密度增加大约30%,As沉淀消失。对经1170℃淬火的样品再进行80O℃或950℃的热处理,As沉淀重新出现。EL2分布的变化可能与点缺陷、位错和As沉淀的相互作用有关。文中提出了这种相互作用的模型,利用该模型可解释不同条件热处理后EL2分布的变化。 相似文献
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本文对LEC不掺杂SI-GaAs的热处理特性进行了实验研究和分析。结果表明,As、Ga原子从表面挥发及缺陷的内扩散引起表面热蚀和热致导电层的形成。文章讨论了它们对注入层激活行为的影响。指出,采用本文设计的高温快速热处理结合压盖、InAs作过砷压源技术,可以获得满足注硅材料退火要求的SI-GaAs热处理特性。 相似文献
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研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产生变化的原因,并讨论了LEC-SI-GaAs中两个主要深能级陷阱EL2和EL6的可能构型. 相似文献
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热处理改善未掺杂LEC GaAs中EL2分布均匀性机理的研究 总被引:2,自引:1,他引:1
杨瑞霞 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):85-90
根据EL2分布的热处理行为和As沉淀分布特征的实验结果,讨论了As沉淀对EL2分布的影响和热处理改善EL2分布均匀性的机理。 相似文献
6.
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。 相似文献
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本文报导了LEC法半绝缘砷化镓单晶中含碳量对SI-GaAs热稳定性的影响。在800℃以上退火,发现当晶体中C含量大于1.5×10~(16)cm~(-3)时,SI-GaAs的热稳定性变差;而C含量小于5×10~(15)cm~(-3)时,通常表现出良好的热稳定性。 相似文献
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本文报道了从不同组分熔体中生长半绝缘砷化镓(SI-GaAS)单晶的实验。结合其国内外组分与电学特性研究报道,分析了不同组分熔体生长的SI-GaAs单晶特性。 相似文献
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研究了非掺杂半绝缘LEC GaAs霍耳参数温度关系,研究结果表明,杂 缺陷的不均匀分布引起的电势波动对霍耳测量结果有明显影响,存在电势波动的情况下,仅用霍耳测量不能测定真实的自由载流子浓度和费米能级位置。 相似文献
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设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAsMESFETs器件.研究了这二种不同工艺制备的MESFETs器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小.结果表明,采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小,背栅效应的大小与距离近似成反比,采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大. 相似文献
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测量了未掺杂半绝缘(SI)LECGaAs中总的、电中性的EL2及净受主浓度分布和碳分布。结果表明,总EL2浓度径向分布呈W形而不是均匀的,净受主浓度径向分布呈∧形或∩形而不是M形。电中性EL2的W形径向分布由总EL2浓度的W形径向分布决定,而不是由于净受主的不均匀分布。有些样品中净受主浓度远大于碳浓度.意味着这些样品中除碳外还存在高浓度的其它受主。 相似文献
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利用范德堡方法和光吸收方法研究了非掺杂半绝缘(SI)LECGaAs 中电参数与碳(C)浓度及EL2 浓度的关系。通过比较实验结果和理论计算结果发现,这种半绝缘晶体中除C外还存在其它受主在电补偿中起重要作用 相似文献
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讨论了 HgCdTe 薄片当其厚度在20μm 左右时,表面与体内导电性质不同所出现的ρ-T 关系曲线,并与正常情况下的ρ-T 关系曲线比较。解释了某些 HgCdTe 薄片电阻率反常的原因。 相似文献