低居里点突变型PTC材料的研究

以（Ｂａ（０．６）Ｓｒ（０．４））ＴｉＯ_３为基质，掺杂Ｙ三价施主元素及ＡＳＴ，选用最佳烧制工艺，制成了具有较低室温电阻率及较优电阻温度系数的低居里点（～０℃）突变型ＰＴＣ材料。研究了材料的阻温特性与各种工艺条件以及室温电阻率与掺杂量的关系。     

(Sr,Pb)TiO_3系V形PTCR陶瓷材料的研制

研究了原材料、液相添加剂ＢＮ对Ｙ３＋掺杂的（Ｓｒ０．４Ｐｂ０．６）ＴｉＯ３Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷半导化和显微结构的影响。结果表明,添加剂ＢＮ能促进晶粒生长、改善显微结构、显著降低室温电阻率ρ２５和烧结温度。用常规的制备方法制得居里温度ＴＣ≈２１０℃、ρ２５≤５．０×１０３Ω·ｃｍ、电阻温度系数α４０≈１３％℃－１、电阻率ρ突变比ρｍａｘ／ρｍｉｎ＞５．０×１０３的Ｖ形ＰＴＣＲ陶瓷材料。     

液相添加剂AST对PTCR BaTiO_3陶瓷电气物理特性的影响

研究添加液相添加剂ＡＳＴ（质量分数ｗ为０．４％～１．０％或摩尔分数ｘ为１．６％～４．０％）的ＰＴＣＲ（Ｂａ０．９１Ｓｒ０．０６Ｃａ０．０３）Ｔｉ１．０１Ｏ３陶瓷材料。测量了烧结条件为１３２０～１３８０℃／０．５ｈ陶瓷材料试样的室温电阻、Ｒ－Ｔ曲线、Ｉ－Ｖ曲线、电阻温度系数α及开关温度Ｔｂ。在实验结果基础上，讨论了ＡＳＴ添加量对ＰＴＣＲ陶瓷主要电特性的影响。得出：ＡＳＴ添加量增加，ＰＴＣ效应变弱     

Co、Ti／Si_（1－x）Ge_x薄膜快速退火固相反应结构和组分研究

本文首次研究金属Ｃｏ与分子束外延Ｓｉ１－ｘＧｅｘ单晶薄膜快速热退火（ＲＴＡ）固相反应，并对比了ＣＯ、Ｔｉ与ＳｉＧｅ固相反应时不同的反应规律实验采用ＲＢＳ、ＡＥＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测．实验发现，Ｃｏ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０，２在６５０℃热退火后形成组分为Ｃｏ（Ｓｉ０，９Ｇｅ０．１）的立方晶系结构，薄膜具有强烈择优取向；９００℃处理温度，有ＣｏＳｉ２形成，同时Ｇｅ明显地向表面分凝．ＴｉＮ／Ｔｉ／Ｓｉ０．８Ｇｅ０．２固相反应时，８５０℃处理可以形成Ｔｉ（Ｓｉ１－ｙＧｅｙ     

PTCR型（Sr,Pb）TiO3陶瓷材料的半导化研究

研究了半导化元素Ｙ和第二相添加剂ＳｉＯ２对ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷材料电学性能的影响。结果表明，Ｙ和ＳｉＯ２的含量对材料的半导化性能影响显著，它们的较佳的含量（摩尔分数）分别在０．１％～０．６％和０．２％～０．５％之间，最低电阻率可达１０Ω·ｃｍ。借助复平面阻抗分析发现，无论是ＳｉＯ２添加剂还是半导化元素Ｙ都主要是通过影响材料的晶界行为而控制材料的宏观电学性能的。     

化学法制备的PTCR型（Sr,Pb）TiO3半导体陶瓷

采用化学共沉淀法制备（Ｓｒ１－ｘＰｂｘ）ＴｉＯ３粉末，在６０～２２０°Ｃ间获得了五种居里温度的ＰＴＣＲ型（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３陶瓷。实验结果表明，材料室温电阻率低于２０Ωｃｍ，升阻比高于１０５．５。文中还给出了（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３铁电体的四方→立方相转变温度（居里温度）、晶胞参数等一系列随Ｐｂ／Ｓｒ比变化的材料性质。     

钛酸锶铅基复合热敏电阻材料的设计

为了在钛酸锶铅〔（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ３〕基ＰＴＣ材料中获得较强的ＮＴＣ效应，从分析可能产生较强ＮＴＣ效应的原因入手，利用重现性较好的液相化学工艺考察材料的化学不均匀性、固溶性、半导化以及晶界成分等单一因素对ＮＴＣ效应所起的作用。结果表明，材料的化学不均匀性对ＮＴＣ效应有一定的影响，而材料的晶界成分对ＮＴＣ效应起决定性的作用。通过粉体的表面改性方法可以获得高性能的ＮＴＣ－ＰＴＣ复合热敏电阻材料，材料的最小电阻率低（１０２Ω·ｃｍ），ＮＴＣ温度系数高达－３．５×１０－２°Ｃ－１。     

Zn－Se－Te 三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe_0．52Te_0．48 薄膜在（100）InP衬底上的LPE法生长

本文运用Ｒ．Ａ．Ｓ（ＲｅｇｕｌａｒＡｓｓｏｃｉａｔｅｄＳｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，导出了简明的适用于ＡⅡ－ＢⅥ－ＣⅥ三元系富Ⅵ族区的液固平衡方程．并由此计算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ区的液固平衡曲线，计算结果与已有的实验数据符合．最后，对ＺｎＳｅ０．５２Ｔｅ０．４８在（１００）ＩｎＰ衬底上的液相外延生长进行了实验研究．     

应用广泛的魔术器件──陶瓷PTC

应用广泛的魔术器件──陶瓷ＰＴＣ陶瓷ＰＴＣ热敏电阻是一种以ＢａＴｉｏ。为基体的固溶半导体陶瓷。ＰＴＣ是英语ＰＯＳｉ．ｔｌｖｅｌｅｍＰｅｒａｔｕｒｅＬｏｅｆｆｌｃｅｎｔＴｈｅｒｍｌｓｔｅｒ的略语，其材料的电阻率随温度上升而增大，即材料的ＰＴＣ效应。当温...     

PTCR纳米晶粉体的一步法制备及表征

采用一步溶胶－凝胶法制得了含钡、锶、钙、钛、锂、锰、硅和钇等八种元素的无定形干凝胶粉，经７００℃，１ｈ煅烧得ＰＴＣＲ纳米晶粉体，经ＸＲＤ分析测得粉体平均晶粒尺寸范围为１７～３０ｎｍ，且平均粒径随稀土掺杂量（摩尔分数为０．０８％～２．００％）增加呈现先减小后增大的趋势。常温下粉体以立方相存在。粉体经造粒、压片、烧结成瓷具有ＰＴＣＲ特性     

掺杂硅酸铋晶体的生长及吸收光谱的研究

用提拉法生长了质量较高的Ａｌ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０和Ｃｒ∶Ｂｉ１２ＳｉＯ２０（简称Ａｌ∶ＢＳＯ和Ｃｒ∶ＢＳＯ）晶体，测定了掺杂ＢＳＯ晶体的吸收光谱。首次发现：Ａｌ∶ＢＳＯ（摩尔比）为０．１％的晶体的透过率（８０％）远高于纯ＢＳＯ晶体的透过率（７０％）；Ｃｒ∶ＢＳＯ晶体中除Ｃｒ３＋外，还存在少量Ｃｒ４＋     

液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响

液相添加剂ＡＳＴ（Ａｌ２Ｏ３＋ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２）对ＢａＴｉＯ３陶瓷材料电性能的影响很大，随着Ａｌ２Ｏ３含量的增加，材料的电性能降低；ＳｉＯ２、ＴｉＯ２的物理特性对材料电性能影响较大；过量ＴｉＯ２对材料ＰＴＣ效应有重要影响，适当过量ＴｉＯ２含量，可得到性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷。     

Zn—Se—Te三元系富Te区的液固平衡以及ZnSe0.52Te0.48薄膜在（100）In…

本文运用Ｒ．Ａ．Ｓ（Ｒｅｇｕｌａｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ）模型的基本原理，导出了简明的适用于Ａ＾ＩＩ－Ｂ＾Ｖｉ－Ｃ＾ＶＩ三元系富ＶＩ族区的液固平衡方程，并由此计算了Ｚｎ－Ｓｅ－Ｔｅ三元系富Ｔｅ区的液固平衡曲线，计算结果与已有的实验数据符合，最后，对ＺｎＳｅ０．５２Ｔｅ０．４８在（１００）ＩｎＰ衬底上的液相外延生长进行了实验研究。     

氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究

在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯．质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有Ｃ５９Ｎ、Ｃ５９Ｎ２、Ｃ５９Ｎ４、Ｃ５９Ｎ６以及Ｃ７０Ｎ２等分子团簇，对蒸发制备的薄膜进行３小时２００℃退火测得其室温电导率为１e－６（Ｓ／ｃｍ），激活能为０．６９ｅＶ（常温），０．５６ｅＶ（高温）．     

低损耗高温型R特性高压电容器瓷料的研制

采用Ｂｉ（３＋）、Ｐｂ（２＋）、Ｍｇ（２＋）与主晶相ＳｒＴｉＯ３固溶，并添加适量的Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３进行改性，研制出εｒ≥２２００，１ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．１０×１０（－２），１０ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．３０×１０（－２），－２５～＋８５℃｜△Ｃ／Ｃ｜≤１５％，Ｅｂ（ＤＣ）＞９Ｖ／μｍ，Ｒｉ＞１０（１２）Ω，耐高温（可达＋１２５℃），高频性能好的新型介质材料。该瓷料适合制作工作频率高、表面温升低的低损耗、耐高温的高压瓷介电容器。     

一种新型硅基PT/PZT/PT夹心结构的电性能研究

以无机锆盐为原料,用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ／Ｓｉ衬底上制备出一种新型Ｐｂ－ＴｉＯ３／Ｐｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３／ＰｂＴｉＯ（ＰＴ／ＰＺＴ／ＰＴ）夹心结构。这种结构对于ＰＺＴ的晶化有很好的促进作用,其最终的退火温度为７００℃Ｃ－Ｖ特性,介电步率响应,漏电等电性能测试表明这一新型夹心结构具有良好的铁电和介电性能。     

低电阻率PTC陶瓷及限流保安器的研究

采用Ｓｂ（３＋）、Ｎｂ（５＋）双施主掺杂并添加ＡＳＴＬ玻璃料，研制出限流保安器用的ＢａＴｉＯ３基低电阻率ＰＴＣ陶瓷材料。探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对ＰＴＣ陶瓷性能的影响。应用上述ＰＴＣ陶瓷制作出开关温度Ｔｂ＝１２０℃的限流保安器。     

La_（0．5）Sr_（0．5）CoO_3电极材料的制备与结构研究

采用化学共沉淀法合成了超细均匀的Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３，复合氧化物粉末，并研究了合成粉末的特性和烧结体的结构特征。在１１００～１２００℃保温３ｈ烧成，可获得相对密度＞９６％的Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３电极材料。Ｘ射线分析表明，Ｌａ０．５Ｓｒ０．５ＣｏＯ３烧结体的相组成主要为立方钙钛矿型结构，此外还有一些由氧空位造成的畸变钙钛矿型的四方相结构。     

一种新型的蓝色电致发光荧光粉—SrS：Cu粉

研制了一种新型高效蓝色电致发光ＳｒＳ：Ｃｕ荧光粉,改变共掺杂物,它的ＥＬ性能可以在很大的范围内变化,单掺杂时,ＳｒＳ：Ｃｕ薄膜电致发光器件发青蓝色的光,色座标ＣＩＥ在０．２７～０．３２之间变化。共掺杂Ａｇ时,ＳｒＳ：Ｃｕ薄膜电致发光器件发纯蓝光,色座标ＣＩＥｙ在０．１３～０．２２之间。ＳｒＳ：Ｃｕ,Ａｇ荧光粉的光效为０．１５～０．２４ｌｍ／Ｗ,比现有的蓝色电致发光荧光粉（ＳｒＣａ）Ｇａ２Ｓ４：Ｃｅ     

Sol-Gel法制备全组分高温PTC陶瓷材料

采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制备全组分高温ＰＴＣ陶瓷材料，与常规固相反应法相比，对于相同配方和烧结工艺，可明显降低高温ＰＴＣ陶瓷材料的电阻率，同时具有良好的ＰＴＣ效应