供大型整流器应用的5^#快速熔断器

本文介绍大电流交流变直流的变换器(整流器)中保护功率半导体器件的5^#快速熔断器。描述了某些典型的大型整流器，论及多数在用的整流器类别。解释了有关熔断对整流器和功率半导体器件实现短路保护的原理．在大型整流器今天的输出额定值基础上，探讨了未来的某些趋势，讨论了与熔断器有关联的相应结果。对大规格的5^#熔断器进行测试的条件与该熔断器自身的负载能力及断路容量的关系给予解释．进而说明了该熔断器与功率半导体器件的协同测试应该如何进行。中文还示出了新开发的5^#熔断器的额定值。最后讨论了5^#熔断器怎样能够导致大型整流器取得更高的负载能力．以及通过采用较少的并联熔断器数量是怎样使系统的效率和成本优化的。     

电压源变换器中抗炸裂保护用的IGBT熔断器

电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。     

电压源变换器中抗炸裂保护用的IGBT熔断器

电气失效的后果可能是很严峻的。它不仅涉及设备，而且在最坏的情况下还直接涉及到人．特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加，有关人功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功能水平日益增大的事实，更多的能量被储存在直接环节中，即使采用了有源保护，一旦电路失效条件发生之时，大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器，实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明，采用特殊的快速熔断器保护，这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中给标准的快速——IGBT熔断器增加电感的措施、还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能被易于维修和减少制造变换器设备的工时而获得平衡的．     

高集成度智能功率模块PIIPM50P12B004

国际整流器公司推出的ｉＮＴＥＲＯ可编程隔离式智能功率模块（ＰＩ-ＩＰＭ）将功率平台整合到单一封装的嵌入式驱动器板上 ,同时该板上还纳入了一个可编程数字信号处理器。这款ＰＩ-ＩＰＭ功率模块可提供灵活的高性能解决方案 ,它适用于高达１５ｋＷ的三相交流感应及直流无刷工业伺服电机。同时可降低电机驱动器功率平台 ,简化相关控制和外围设备设计并降低成本。ＰＩＩＰＭ５０Ｐ１２Ｂ００４的额定值为１２００Ｖ和５０Ａ ,它内含三相逆变器功率平台所需的各种功率半导体器件及一个４０Ｍｉｐｓ的可编程数字信号处理器 ,同时具有电流传感…     

具备大电流能力的100V N沟道MOSFET

该系列N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的雪崩额定值,非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载导致过渡电压应力的设计。特性包括：导通阻抗低至13mΩ,电流能力高达76A,经过100％雪崩测试,通过AEC—Q101标准认证。这些功率MOSFET器件的典型应用包括工业电机控制、电源、不间断电源（UPS）中的电源逆变器,以及汽车中的直接燃气喷射（DGI）。     

具有高驱动能力的CMOS级联式电压倍增器设计与实现

为了提高大负载条件下的驱动能力，提出了一种新的级联式电压倍增器VM(Voltage Multiplier)，适用于RF能量采集应用，在传统差分驱动整流器的基础上，首先将输入RF信号进行电平位移。然后，该信号用于驱动由栅极交叉耦合晶体管构成的下一级，增加了提出架构的负载驱动能力，采用标准的0.18μｍ CMOS技术对提出架构进行了实现，负载电容为固定值20ｐＦ时，分别在不同ISM频率和负载电阻条件下，对传统级联式VM和提出的VM电路进行了测量，测量结果显示，与传统电路的测量结果相比，在5ｋΩ、20ｐＦ的目标负载条件下，当频率值为13.56ＭＨｚ、433ＭＨｚ和915ＭＨｚ时，最大功率转换效率提升了5％(最小)。     

优化安全工作区（SOA）性能的下一代IGCT

为了改进电力电子系统的性能、减小其尺寸以及降低成本，大功率半导体器件将继续朝着高电压和大电流容量的方向发展。IGCT也不例外。本文描述具有电压额定值为4．5kV～6．5kV的一个新的IGCT系列的高安全工作区（SOA）能力。     

新款477系列保险丝

新款477系列保险丝尺寸为5mm×20mm的陶瓷体、延时型保险丝，专为广泛的工业和消费产品应用而设计。这款保险丝适用于初级和次级保护，从而简化了采购和库存管理。它的电流额定值适用范围为0．5～16A，开断能力达到了400VDC时的1500A。477系列拥有小巧的5×20封装，有保险丝管和轴向引线两种配置，并提供更高的设计与安装灵活性。据称，对于8A及以上的电流额定值，477系列比市场上其他产品的AC电压额定值要低20％，而保险丝长度要长60％。     

多电飞机电力系统集成仿真技术的研究

多电飞机（MEA）电气负载的变化除了使发电机容量增大外，还给飞机的电能质量造成一系列的问题。这些问题包括：严重的谐波畸变、电流浪涌、噪声、甚至稳定性问题，集成仿真是解决这些问题的有效手段。本文将就如何用Saber仿真软件对飞机电力系统的集成仿真进行讨论，重点对典型的机载电气负载进行建模与仿真，这些负载包括机电作动器（EMA）、三相12／18脉动整流器和恒功率负载。本文还给出了由这些负载组成的飞机供电系统的谐波仿真结果。     

一种2.4 GHz CMOS高电压整流器

设计了一种工作在2.4 GHz的CMOS高电压整流器。采用四级NMOS二极管连接的电荷泵结构,从器件选型、尺寸、负载阻抗等方面,对整流器进行优化设计,提高了输出电压与功率转换效率。另外,在实际设计中考虑了封装管脚的寄生效应,消除了封装对匹配的影响。该整流器在CSMC 0.153 μm CMOS工艺下进行流片和测试。结果显示,该整流器在2.4 GHz 频段附近S11<-10 dB,匹配良好,功率转换效率的峰值为21.3%,输出电压为4.6 V。     

477系列保险丝

Littelfuse推出新款477系列保险丝，尺寸仅为5&#215;20mm的陶瓷体、延时型保险丝，专为广泛的工业和消费产品应用而设计。这款保险丝特别受0EM的青睐，因为它尤其适用于初级和次级保护，从而简化了采购和库存管理。它的电流额定值适用范围为0．5A至16A，开断能力达到了40DVDC时的1500A。477系列拥有小巧的5&#215;20封装，有保险丝管和轴向引线两种配置，并提供更高的设计与安装灵活性。对于8A及以上的电流额定值，477系列比市场上其他产品的AC电压额定值要低20％,而保险丝长度要长60％。     

电源功率半导体器件的热设计

功率半导体器件广泛应用于各种电源设备中。实践表明,功率半导体器件过热损毁是造成电源失效的主要原因之一,因此必须进行良好的热设计以提高电源的可靠性。文章根据功率半导体器件的特点,结合传热学的相关理论,讨论了在电源设备中如何进行功率半导体器件的热设计,给出了热阻计算的经验公式,对功率半导体器件的热设计具有指导作用。     

航空自耦变压整流器受变频电源影响分析

为了研究航空变频电源对自耦变压整流器的影响，提出了一种分析方法:输入采用频率可调的交流电源，连接自耦变压整流器。通过变化负载参数。在变频电源供电时。测量自耦变压整流器的移相波形、直流母线电压波形、输入功率、功率因数和效率等重要参数。使用仿真模型初步实现了该分析方法的仿真验证，并基于测试平台搭建自耦变压器样机。实验结果表明，该研究为使用变频电源的自耦变压整流器的设计提供了技术支持。     

功率MOSFET的特性分析及应用

本文介绍了功率MOSFET的结构特点;着重分析了功率MOSFET的开关特性、驱动要求、(dv)/(dt)特性、功率损耗及其保护。同时对国内外应用功率MOSFET研制的高频开关电源的电路及指标进行了介绍。另外,还讨论了功率MOSFET的另一种应用,即用功率MOSFET代替肖特基二极管作低压同步整流器。     

一种应用于多阶射频整流器的MPPT技术

多阶射频整流器在射频能量收集系统中起着交流转直流的作用。当射频输入功率偏离某一数值时,多阶射频整流器的功率转换效率(PCE)迅速下降。基于TSMC 0.18 μm CMOS工艺,提出一种最大功率点跟踪(MPPT)方法,使多阶射频整流器能够根据射频输入功率的大小自动配置阶数,从而在较宽的输入范围内保持较高的PCE。将该MPPT方法应用在3阶射频整流器上。结果表明,当工作频率为953 MHz、负载为50 kΩ、输入功率PIN∈(-26.5 dBm,-7.5 dBm)时,该3阶射频整流器的平均PCE可达65 %,相比传统3阶射频整流器,提升了约25%。     

低成本通用D类放大器

MAX9736A／B提供2～8Ω（或更高）的负载驱动能力。MAX9736A能够为8Ω负载提供2&#215;15W功率,为4（2提供1&#215;30W功率;MAX9736B能够为8Ω负载提供2&#215;6W功率,为4Ω负载提供1&#215;12W功率。MAX9736A／B可通过引脚选择立体声／单声道模式,在立体声模式下采用12V电源电压可驱动4Ω负载,在单声道模式下可驱动2Ω负载。     

功率半导体器件综述

过去卅年间,电力电子器件的发展同功率半导体器件的进展是分不开的,因为几乎在电力电子器件的每个应用中,功率半导体器件都是关键性的。当人们把集成电路的硅片加工方法运用于功率器件的设计和制造之后,功率器件的设计便出现了一个新的分支,这就是用MOS门控结构来制作各种新型的传统器件。本文考查了功率器件的某些基本特性,并研究了它们对不久前采用的硅片加工技术可能造成的影响。     

发射电子管在短时间内加强使用的研究

目前生产的苏联型号的具有钍钨阴极的功率电子管的某些参数在短时间工作时具有较大的余量,因此可以使电子管在阳极电压、阴极电流及阳极损耗等方面超过其额定值使用,使其输出功率提高2—3倍。本文讨论这种可能性,并以实验数据加以证实。     

半桥驱动集成电路IR2304

IR2304是美国IR公司生产的新一代半桥驱动集成芯片,该芯片内部集成了互相独立的控制驱动输出电路,可直接驱动两个功率半导体器件MOSFET或IGBT,动态响应快,驱动能力强,工作频率高,具有多种保护功能。本文介绍了其功能特点、工作原理和典型应用电路。     

三相PWM整流器直接功率控制新调制策略的研究

针对直接功率控制中传统开关表构造的不足导致系统调节能力不稳定的问题,本文提出了一种新调制策略,通过改进开关表的方法来改进整流器的调节能力和输入输出性能。仿真结果表明,新的调制策略使无功电流在靠近整流器电压矢量附近区域内的失控现象得到了明显削弱,能够有效地对有功功率和无功功率进行控制,使整流器更接近单位功率因素运行。