Si/SiC混合开关最优门极延时及其在逆变器中的应用

由大电流硅绝缘栅双极型晶体管（Silicon Insulated-Gate Bipolar Transistor,Si IGBT）和小电流碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Silicon Carbon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,SiC MOSFET）并联构成的Si/SiC混合开关具有低成本、高效率的特点. Si/SiC混合开关门极关断延时的控制是提高混合开关效率的关键因素.本文首先研究了在不同工作电流下Si/SiC混合开关关断损耗随门极关断延时的变化,结果表明,Si/SiC混合开关有一个最优的关断延时,此时混合开关的关断损耗最低,并且最优门极关断延时随混合开关工作电流的增大而减小.将所得到的Si/SiC混合开关最优门极关断延时应用在单相全桥逆变器中,实验结果表明,逆变器的转换效率比同等条件下固定关断延时的最高转换效率提高了0.67%.     

新型三相谐振极软开关逆变器

为提高三相逆变器的转换效率,提出了一种新型三相谐振极软开关逆变器拓扑结构,通过在每相桥臂上增加结构简单的辅助电路,实现了主开关的零电压软开通和零电流软关断.逆变器主开关采用金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）或者绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）时,都能实现无损耗切换,解决了MOSFET内部结电容造成的容性开通损耗问题和IGBT拖尾电流造成的关断损耗问题.分析了电路的工作过程,实验结果表明开关器件完成了软切换.因此,该拓扑结构对于提高逆变器的性能具有重要意义.     

新型单相低能耗半桥逆变器

为实现单相半桥逆变器的高效率运行，设计了一种新型单相低能耗半桥逆变器.在逆变器工作过程中，主开关和辅助开关均能完成零电压软切换，逆变器主开关采用高频金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,MOSFET）时，都能实现零损耗切换，消除了MOSFET内部结电容导致的容性开通损耗.文中具体分析了电路工作过程.在额定功率为1kW样机上的实验结果表明开关器件都实现了软切换.因此该半桥软开关逆变器拓扑结构对于提高逆变器的性能具有重要意义.     

用于不问断电源的硬开关和软开关逆变器

为了不减少滤波成本，人们不断提高不间断电源中逆变器的脉冲调制频率。在这类逆变器中，有一部分固定损耗是由开关过程引起的。应用软开关技术可以显著减少这些损耗。本文将描述用于不间断电源中具有硬开关和软开关的逆变器。首先，给出逆变器的效率曲线。然后，在实际测量的基础上，分析逆变器的总损耗，开关损耗被分成开关损耗和导通损耗两部分。最后，互比两者的结果。     

多电平逆变器建模与性能特征分析

针对不同种类的多电平逆变器在功率损耗和散热方面的性能特征研究不够的问题,对中点钳位逆变器、对称串联多电平逆变器和混合非对称串联多电平逆变器进行了深入的分析,通过对多电平逆变器的工作原理进行研究,建立多电平逆变器工作过程中主要参数的模型关系,对多电平逆变器的总谐波失真、一阶失真系数、功率损耗和散热量等特性进行了详细的分析,最后通过仿真试验,给出了3种典型的多电平逆变器的主要性能特征。     

ARCP软开关逆变器控制方式比较

随着逆变器开关频率和效率的提高,软开关逆变器会比传统硬开关拓扑显得更具优势。辅助谐振极（ARCP）就是一种典型的ZVT型软开关逆变器拓扑,其辅助开关的控制方式会影响逆变器的可靠性和效率。本文比较了变时间和定时间两种控制方式的特点,给出了ARCP逆变器不同控制下的软开关区域和损耗分析,并在一台2 kW实验样机上进行了验证。     

飞利浦新推功率MOSFET

飞利浦日前推出150V系列和200V系列新型功率MOSFET，用于LCD TV和LCD监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的超高压(UHP)气体放电灯逆变器。新型功率MOSFET、采用飞利浦TrenchMOS技术，提供超高转换速度和超低逆变器导通电阻值，将转换损耗和直流电损耗降至极低，达到逆变器高效运行所需。     

赛米控推出用于三电平UPS逆变器的IGBT功率模块

近日,赛米控为现有SEMITOP IGBT产品线推出一种新的拓扑结构,用于三电平逆变器。该结构将IGBT技术与较低的开关和传导损耗相结合,与两电平逆变器相比,损耗减少60％。与半桥模块相比,该SEMITOP模块是专为低换流电感率而设计。DC／AC转换效率得到了提高,可用于功率等级为5-80kVA的UPS。     

辅助电路与主开关并联的单相全桥节能逆变器

为了改善逆变器的性能,提出了一种辅助电路与主开关并联的单相全桥节能逆变器.逆变器采用受限单极式正弦脉宽调制（Sinusoidal Pulse Width Modulation,SPWM）方法,在每个开关周期,只需要控制1个主开关和1个辅助开关的切换,辅助开关可以采用固定占空比控制,而且不需要设定谐振电流阈值来控制辅助开关.在每个开关周期的换流过程中,需要切换的主开关所并联的谐振电容的电压能变化到零,主开关能实现零电压软开通.辅助电路中无器件直接串联在直流母线上,可有效降低辅助电路通态损耗.分析了电路工作原理,实验结果表明主开关和辅助开关都实现了软切换.因此该拓扑能有效降低开关损耗和提高逆变器效率.     

探讨车用内置式永磁电机损耗最小简易控制

车用内置式永磁电机损耗最小简易控制对提高车用内置式永磁电机的应用效率有着重要作用.分析研究车用内置式永磁电机损耗最小简易控制,通过阐述车用内置永磁电机结构,分析使用过程中的主要损耗,提出车用内置式永磁电机损耗最小简易控制的有效策略,希望对提高车用内置永磁电机的工作效率有一定作用,从而促进电力系统的发展.