表面活性剂对羟基磷灰石纤维形貌的影响

以Ca(NO₃)₂·4H₂O和(NH₄)₂HPO₄水溶液为前驱体, 采用水热均相沉淀法制备了结晶度较高的羟基磷灰石纤维, 研究了表面活性剂十六烷基三甲基溴化胺(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)和聚乙二醇(PEG)及其含量对产物形貌和相组成的影响。结果表明, 采用这三种表面活性剂制备的产物都是羟基磷灰石, 部分样品含有少量碳酸钙杂质。加入CTAB和SDS均会对纤维的生长起到抑制作用, 得到纤维与球形团聚体并存的产物, 而PEG的加入在一定程度上促进了纤维的生长。     

丙酰胺为沉淀剂水热合成羟基磷灰石纤维

采用四水硝酸钙和磷酸氢二铵的混合物为前驱体, 以丙酰胺(PA)为沉淀剂来控制溶液的过饱和度, 经水热均相法处理成功制备了高结晶度、形貌均一、分散性良好的纤维状羟基磷灰石(HA)粉体。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对所制备的HA进行了表征, 研究了初始pH值和前驱体浓度对HA形貌、组成、结晶度及生长习性的影响。结果表明: 初始pH值较低时有利于纤维状HA粉体的形成, 前驱体浓度较低时则能促进纤维的宽化; 但是初始pH值和前驱体浓度对产物的晶体结构、组成及结晶度影响不大。     

水热法合成羟基磷灰石晶须的工艺研究

纳米羟基磷灰石（HAP）增强聚合物基复合材料是替换硬组织的最理想材料，是植入材料的研究重点之一。为了制备与天然骨结构非常相似的复合材料，必须首先制备出性能优良的的纳米HAP粉体。对水热法制备HAP纳米晶须的工艺进行了研究，研究了反应时间、温度、起始反应物的浓度、钙磷比以及反应体系的pH值对合成HAP纳米晶须形貌的影响。用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）和红外光谱（FT-IR）法，对制备的羟基磷灰石进行了表征和分析。结果表明：生成的HAP晶须的长度及长径比随反应时间的延长而增大。温度〈150℃时，得到HAP晶须；温度〉180℃，则得到细小HAP晶体的聚集产物。当反应物的pH=9时，得到的是缺钙型的HAP；当反应物的pH〈4时，产物中出现新相磷酸氢钙；当pH=2时，得到纯的磷酸氢钙。     

合成条件对羟基磷灰石粉体形貌和煅烧后组成的影响

通过溶液法制备羟基磷灰石粉体,研究了反应体系与分散剂、溶液浓度、反应温度、pH值和陈化时间等工艺因素对羟基磷灰石粉体粒度和形貌的影响.研究表明,高浓度(1mol/L)乙醇-水溶液条件下,也可通过控制工艺因素获得不同形态(如颗粒状、针状)的羟基磷灰石粉体.粉体煅烧可得仅含羟基磷灰石和磷酸钙的生物陶瓷粉.提高pH值、延长陈化时间可以提高煅烧产物中羟基磷灰石的含量.     

掺锶量对羟基磷灰石形貌及其荧光特性的影响

采用水热合成法制备了一系列具有不同微观形貌和荧光性能的掺锶羟基磷灰石粉末。通过X射线衍射、红外光谱、电子能谱、扫描电镜和荧光光谱表征样品的物相、形貌及荧光性能。结果表明: 所制备的样品形貌为1~ 3 μm的由微小晶粒聚集而成的球形颗粒, 但随着掺锶量的变化, 组成球形颗粒的微小晶粒形貌会出现较大的差异。 未掺锶羟基磷灰石晶粒形貌为短棒状, 随着掺锶量的增加, 微小晶粒逐渐变为片状而后转变为长棒状。样品能在紫外光(波长351 nm)激发下发出明亮的蓝色荧光(波长375~500 nm, 最强峰位432 nm), 且荧光强度随掺锶量增加先增强, 而后减弱, 在掺锶量为30mol%时达到最大。     

采用原子力显微镜表征羟基磷灰石的形貌

为研究人工合成羟基磷灰石粉体在烧结过程中的表面形貌和粒度的演变,采用X射线衍射和原子力显微镜等手段,研究羟基磷灰石粉末的压制样品在高温炉中经不同温度下烧结后的颗粒形貌和粒度的变化。结果表明,烧结温度和烧结时间对表面形貌和晶粒粒径演变都有影响,而且晶粒粒径符合粒径长大的物理机制。     

纳米羟基磷灰石粉体的水热合成

采用Ca(NO3)2·4H2O和(NH4)3PO4·3H2O作为反应前驱物,通过水热合成颗粒尺寸在100nm以下的短棒状或针状HA晶体.X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和红外光谱(FTIR)分析讨论水热温度、反应时间、表面活性剂和烧结与物相组成、晶粒尺寸和晶体形貌的关系.实验结果表明升高反应温度和延长反应时间有利于HA的生成;表面活性剂有助于改善粉体的分散性能;烧结能提高晶体的结晶程度,但粉体易团聚,当温度高于800℃时HA发生分解.     

水热合成羟基磷灰石纳米粉体的研究

采用ＣａＣＯ３和ＣａＨＰＯ_４·２Ｈ_２Ｏ的混合物为前驱物,通过水热合成得到晶粒完整、分散性好、端面粒度在１００ｎｍ以下的ＨＡ粉体,并借助ＸＲＤ和ＳＥＭ分析讨论了前驱物配比、水热温度、反应时间与物相组成、粒度变化和晶体形貌的关系．     

掺杂铈的纳米羟基磷灰石的合成

本研究的主要目的是探讨掺杂铈的纳米羟基磷灰石的合成及其结构。本实验在反应原料中以不同的 X_(Ce)=Ce/(Ca Ce)(摩尔比)引入铈离子(范围在0%到10%),采用了水热法合成掺杂铈的纳米羟基磷灰石。用 TEM、EDS、XRD 和 FTIR 对合成产物的微观形貌、化学成分和晶体结构进行分析表征。分析结果表明 Ce~(3 )可进入羟基磷灰石晶格中,置换其中的 Ca~(2 );颗粒尺寸能随着 X_(Ce)的增大而变大,当 X_(Ce)≤5%时全是纳米级的颗粒。总而言之,本实验证明利用水热法可合成成分纯且分布均匀的掺杂铈的纳米羟基磷灰石是可行的。     

氨基酸/羟基磷灰石复合材料应用于酸蚀牛牙釉质体外再矿化

早期牙釉质龋病的再矿化在龋齿的预防和修复中起着至关重要的作用。基于牙釉质基质中所含的主要氨基酸, 在10 mmol/L甘氨酸、10 mmol/L L-丝氨酸和5 mmol/L L-天冬氨酸的存在下制备了氨基酸/羟基磷灰石(AA/HAP)复合材料, 表征了其物理、化学和生物学性质, 并评估了其对酸蚀牛牙釉质的再矿化作用。与不含氨基酸的羟基磷灰石(HAP)相比, 在氨基酸的抑制作用下, AA/HAP复合材料具有更低的结晶度和更高的生物相容性。在人工唾液中用AA/HAP对酸蚀牛牙釉质进行体外再矿化。再矿化后, 分别表征了牛牙釉质样品的表面和横截面形态、成分和力学性能。结果表明, AA/HAP可以诱导表面和深层牙釉质病变的修复。复合材料中释放的氨基酸可以吸附在有机基质残基上并诱导平行排列的HAP晶体的形成, 从而使牙釉质表面显微硬度(SMH)得到显著恢复。最后, 讨论了AA/HAP复合材料对酸蚀牛牙釉质的再矿化机制。     

聚乙烯吡咯烷酮对羟基磷灰石结晶和形貌的影响

采用化学均相沉淀法,在水热条件下以Ca(NO3)2.4H2O和(NH4)2HPO4为原料,合成了具有特殊形貌的羟基磷灰石(HA)微球。在合成过程中加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为模板剂,研究了PVP的加入和浓度对HA晶体形貌和粒径的影响。结果表明,PVP的加入改变了HA晶体的生长方式,颗粒是由针片状HA晶体组成的微球;HA颗粒的形貌和粒径可以通过调节PVP浓度来控制,当PVP浓度从0%(质量分数,下同)增加到12%时,HA颗粒的形貌逐渐由不规则的絮状团聚物转变为规整的微球,组成微球的结构单元也随PVP浓度的变化有所不同。     

纳米羟基磷灰石形貌对复合材料力学强度的影响

采用不同形貌的羟基磷灰石纳米粒子与聚酸酐材料复合,研究了羟基磷灰石形貌对复合材料力学强度的影响,并用扫描电子显微镜观察了复合材料的断面形态.结果发现羟基磷灰石的形貌对材料的压缩强度和压缩弹性模量影响较大:长针状羟基磷灰石增强效果较好,所得复合材料的压缩强度可达256MPa,压缩弹性模量可达9.8GPa;片状羟基磷灰石的复合材料力学强度较差,压缩强度最高只有160Mpa,压缩弹性模量最高只有7.9GPa.     

掺锶羟基磷灰石的制备与性能研究

掺锶羟基磷灰石的骨缺损修复效果优于羟基磷灰石.以四水硝酸钙[Ca(NO3)2·4H2O]、磷酸氢(气)铵[(NH4)2HPO4]、硝酸锶[Sr(NO3)2]为原料,180℃下水热处理8h制得Sr-HA.通过XRD、FTIR、TEM、EDX和TG/DTA对Sr-HA的晶相、化学组成、形貌和热稳定性进行分析,并通过细胞培养...     

煅烧温度对铁酸铋纤维形貌及性能的影响

采用静电纺丝技术制备了铁酸铋(BiFeO_3,BFO)纤维,研究了煅烧温度对样品光吸收、铁电、铁磁及光催化性能的影响,并对样品的微观形貌、物相组成进行了表征。结果表明,当烧温度为550℃时能够获得表面光滑、束径约为220nm的连续纤维状钙钛矿BFO,但存在少量Bi25FeO40杂质相;当温度升至600℃时,杂质相消失,煅纤维束径减小且形貌变为串珠状;进一步提高煅烧温度,BFO纤维发生断裂、垮塌,并在700℃形成不规则短粗棒状产物。在600℃煅烧温度条件下得到的BFO纤维具有良好的连续性、较好的铁电性能以及较高的光催化活性和稳定性,这与其具有较好的结晶性能、较小的带隙以及特殊的一维形貌有关。     

海藻酸钠调控羟基磷灰石纳米棒的低温快速合成

以海藻酸钠为晶体生长调节剂, 在水热条件下制备了形貌均匀、高长径比的羟基磷灰石(Hydroxyapatite, HA)单晶纳米棒。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM)以及同步热分析(TG/DSC)等测试方法对合成产物进行了表征, 探索了反应温度和时间对产物的结晶度、组成以及形貌的影响, 并提出了HA纳米棒的合理生长机理。研究表明, 80℃水热条件, 反应24 h, 对于均匀、低有机吸附量的HA单晶纳米棒合成较有利。对纳米棒的不同生长阶段的微结构分析表明: 晶体生长经历了成核、表面调控、继续生长和取向搭接四个阶段。