基于SEM图像的BESⅢ束流管支撑法兰材料辐照拉伸性能研究

根据BESⅢ中束流管支撑法兰材料的工程运用,对G10环氧/层压玻璃布板的辐照拉伸性能进行研究.受辐照环境限制,将试验件尺寸在长度方向缩小为标准件尺寸的27.2%,发现缩小尺寸试验件的拉伸强度约为标准尺寸试验件的49.4%;经104Gy的γ辐照和4.068×1018 m-2的中子辐照后,缩小尺寸试验件的拉伸强度下降2.35%.由此推断,同等辐照条件下,G10板标准尺寸试验件拉伸强度将下降至约317.10MPa,能够满足BESⅢ对束流管支撑法兰材料提出的113MPa的要求.利用扫描电镜对G10板辐照前后的拉伸断口进行微观观察.     

油漆涂层在各种化学介质中的腐蚀性能及其辐照性能的研究

本文叙述了过氯乙烯漆、乙烯基耐酸碱漆、环氧耐腐蚀漆、环氧沥青漆、船底漆、411抗酸沥青漆及醇酸磁漆等七种油漆涂层在各种化学介质中的腐蚀及辐照(反应堆辐照及~(60)Co-γ辐照)性能试验及其结果。试验结果表明:过氯乙烯漆、乙烯基耐酸碱漆的耐腐蚀性能最佳;船底漆的耐水(40℃)性能最好;除环氧沥青漆来进行γ辐照试验外,其余六种油漆辐照总剂量均达3.28×10~6仑,漆膜未见异常的变化;环氧耐腐蚀漆耐中子辐照性能较好(中子积分通量达2.37×10~(18)中子/厘米~2)。     

电子束、中子与γ射线对冬小麦诱变效应的比较研究

冬小麦经电子束、中子和γ射线辐照后,均产生生物效应。电子束对中子和γ射线的相对生物效应(RBE)值均小于1,中子对γ射线的RBE值远远大于1。这说明电子束的M_1生物效应远远小于中子的M_1生物效应而与γ射线的M_1生物效应相近。对于电子束辐照,M_1的半致死剂量范围是185～370Gy,更靠近370Gy,致死剂量是740～925Gy。对于M_2的诱变效率,电子束>中子>γ射线。电子束辐照可以扩大突变谱,提高诱变效率,最佳诱变剂量范围是370～555Gy,中子比γ射线诱变效率高,较适宜的辐照剂量为25Gy。当M_1生物损伤稍大于50%时,用电子束进行辐照,M_2代的诱变频率较高。     

高温与反应堆辐照对玻璃纤维绝缘电缆的影响

试验在反应堆孔道内进行。所达到的最高累积辐照水平为热中子1.6×10~(20)n/cm~2,快中子(能量≥1 MeV)3.8×10~(19)n/cm~2,γ剂量1.1×10~(11)R。电缆在堆内辐照时的温度一般在550℃以上。试验结果表明电缆性能良好。得到的主要结论有:(1)电缆绝缘电阻受温度影响,与堆功率有关,在一定范围内与辐照积分通量关系不大;(2) 中子与γ射线在电缆上引起感应电流,其大小与堆功率成正比,在一定范围内与辐照积分通量无关,γ射线对感应电流有较大影响;(3)电缆辐照后的机械性能良好。     

国产镍铬-镍铝热电偶耐中子辐照性能的试验研究

本文叙述了在反应堆内对国产镍铬-镍铝热电偶进行辐照试验的情况,证明它们耐中子辐照的性能良好.试验所达到的最高中子积分通量为:快中子(能量≥1兆电子伏)3.9×10~(20)中子/厘米~2和热中子1.6×10~(20)中子/厘米~2.     

中子活化法测定硅中注磷剖面分布

本文对不同注磷能量和不同剂量(5×10~(14)～1×10~(16)/cm~2)的硅片进行了中子活化分析,测定硅中磷的剖面分布、注入剂量及其射程,方法测量下限为4×10~(10)g。 1.实验部分 1).试样辐照和退火 注磷硅片经酒精清洗后包于铝箔中。硅片与磷标准置于中子通量为7×10~~(13)n/cm~2·s的反应堆中辐照50小时,冷却14天。经过堆中子辐照后的注磷硅片置于管形炉中,在700°～900°e     

电磁线的辐照试验

在反应堆内对聚酰亚胺和聚酰胺酰亚胺电磁线进行了辐照试验。所达到的中子积分通量为:热中子8.0×10~(18)中子/厘米~2,快中子(能量≥1MeV)1.7×10~(18)中子/厘米~2。研究了它们的绝缘电阻、感应电流、耐交流工频电压性能和辐照后的机械性能。结果表明,这两类电磁线都具有良好的耐核辐照能力。     

γ射线对聚丙烯发泡材料亲油疏水性能的影响

系统研究了γ射线辐照对两种聚丙烯(PP)泡沫材料亲油疏水性能的影响规律.等规聚丙烯(iPP)和高熔体强度聚丙烯(HMSPP)颗粒分别经热压制备成厚度为1 mm的片材,然后通过超临界CO2釜压发泡制备PP泡沫材料,利用γ射线对发泡样品进行辐照处理.结果表明:辐照后,两种泡沫的熔点和结晶温度均下降,泡孔孔壁出现裂纹,泡沫断...     

低分子量壳聚糖季铵盐的制备及抗菌性能研究

通过γ射线辐照壳聚糖降解,得到低分子量壳聚糖,并采用环氧丙基三甲基氯化铵对低分子量壳聚糖进行季铵化改性.制备了低分子量壳聚糖季铵盐,并测试其抗菌性.用傅立叶变换红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FT-IR)和核磁共振碳谱(13C Nuclear magnetic resonance,13C NMR)表征壳聚糖和壳聚糖季铵盐的结构,结果表明,经γ射线辐照过的壳聚糖,其季铵盐的取代度比未辐照的高,对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抗菌效果也得到明显改善,γ射线辐照没有破坏壳聚糖的分子结构.     

富勒烯乙二胺的抗辐射损伤性能

合成了一种水溶性富勒烯衍生物——富勒烯乙二胺,分别采用60 Co源和中子加速器等辐照装置,并结合红外光谱(FTIR)、电子自旋共振技术(ESR)和电喷雾质谱(ESI-MS)等表征手段,比较考察了富勒烯乙二胺与香兰素对受γ射线和中子等高能射线或粒子照射所产生自由基的清除性能。结果表明:对于经γ射线和中子辐照产生的自由基,所制得的富勒烯乙二胺均表现出了较好的抗辐射损伤特性;相同条件下对样品辐照所产生的自由基的清除性能明显优于市购的香兰素。     

典型黄酮类化合物在清除超氧阴离子自由基过程中产生的过氧化氢的测定方法(2)

用动态吸附的方法对几种典型的黄酮类化合物的甲酸钠水溶液 (N2 O:O2 =4:1饱和 )经γ辐照后产生的过氧化氢进行了分离 ,测定了辐照生成的过氧化氢的G值 ,得到了与前人不同的结果 ,并分析了产生分歧的原因。提出并确立了测试的方法 :准确测定黄酮类化合物辐照体系中的过氧化氢G值 ,必须先用柱色谱法将过氧化氢从辐照体系中分离出来再进行测定 ,再扣除黄酮类化合物因自氧化而产生的过氧化氢的量 ,才能得到辐照产生的过氧化氢G值。N2 O:O2 =4:1饱和芦丁、黄芩甙和儿茶素的甲酸钠水溶液经γ辐照后产生的过氧化氢G值分别为 8.3± 0 .2、5 .6± 0 .2和 7.8± 0 .2。     

金及其伴生元素的动力堆中子活化分析

苏联利用动力堆中子活化分析岩石和矿石中的金及其伴生元素含量。被辐照的样品置于电离室备用孔道。该孔道位于活化区外石墨反射层,直径50mm,此处最大热中子流密度为10~9cm~(-2)·s~(-1),温度80—90°C。样品能在这里长时间(几昼夜)被辐照。利用中子活化分析方法测定金基于放射性俘获的~(197)Au (n,γ)~(193)Au (T1/2=65h)反应和记录的41~2KeVγ辐射能。样品破碎到200目,其含金范围为2×(10~(-5)—10~(-3))％。为定量测量利用标准样P3C-1和P3C-2,其含金量分别为5.21×10~(-3)和9.4×10~(-5)％。被辐照的样品放入聚乙烯安瓿中(直径和高分别为40和20mm),样品质量为15—20g。不仅用全谱中子流还要用镉上中子进行辐照(在后一种情况下安瓿被厚度为O.5mm的镉屏围绕。)。辐照时间与金含量多     

ZF-150型中子发生器大厅内X-γ照射量率和γ能谱的初步测定

本文介绍了兰州大学现代物理系的ZF-150型中子发生器大厅内X-γ照射量率和γ能谱测量的结果。用 FJ-377型热释光剂量仪测量了中子发生器运行过程中 X、γ射线照射量率分布;用 FJ-311G γ微伦仪和 NaI(Tl)γ能谱仪测量了中子发生器在产额为3×10~9n/s条件下,运行1小时后,靶头附近的照射量率及γ谱。     

反应堆脉冲中子和γ射线辐照SiGe HBT器件的退火因子及典型直流参数测量分析

本工作测量了反应堆脉冲中子、γ辐照SiGe HBT典型直流电参数和退火因子.在反应堆1×1013 cm2的脉冲中子注量和257 Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGe HBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.初步分析了SiGe HBT瞬态中子、γ辐射损伤机理.     

中子与γ射线辐照对B4C/环氧树脂屏蔽材料性能的影响

中子与γ射线辐照对屏蔽材料性能的影响直接关系到了核设施的运行安全性。本研究以B4C/环氧树脂屏蔽材料作为研究对象,对比了在1 MGy γ射线及叠加1.19×1015cm-2中子辐照两种辐照环境下屏蔽材料力学性能、断口组织形貌、特征化学产物及热稳定性能的变化规律。结果表明：持续约11.6 d的γ射线辐照及叠加持续约3 h的中子辐照后屏蔽材料力学性能持续降低,但均未降低到辐照前的50%以下,屏蔽材料在此条件下产生了辐照降解,但未发生失效。与单独的γ射线辐照相比,叠加中子辐照后屏蔽材料1H-NMR图谱δ=7附近峰的强度没有明显变化,说明未继续发生苯环上C-H键的断裂。屏蔽材料热失重50%质量损失温度T50%由辐照前的526.3℃降低到了γ射线辐照后的453.2℃及γ射线叠加中子辐照后的463.9℃,屏蔽材料辐照后热稳定性降低。     

位移损伤效应对AlGaN/GaN HEMT器件的影响

对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)分别进行3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照实验。3 MeV质子辐照下累积注量达到1×10¹⁵ cm^-2或14 MeV中子辐照下累积注量达到2×10¹³ cm^-2时，AlGaN/GaN HEMTs饱和漏电流下降，阈值电压正向漂移，峰值跨导降低。分别对3 MeV质子辐照和14 MeV中子辐照后的AlGaN/GaN HEMTs进行深能级瞬态谱(DLTS)测试。3 MeV质子辐照后缺陷浓度下降降低了反向栅极漏电流，而14 MeV中子辐照会导致缺陷浓度增加，使得反向栅极漏电流增加。根据质子和中子辐照后的缺陷能级均为(0.850±0.020) eV,推断缺陷类型均为氮间隙缺陷，质子辐照和中子辐照后氮间隙缺陷的位移导致的位移损伤效应是AlGaN/GaN HEMT器件电学性能退化的主要原因。     

芦丁和黄芩甙在清除α-羟乙基过氧自由基过程中生成的过氧化氢的测定方法(1)

用动态吸附的方法对γ辐照芦丁和黄芩甙的空气饱和乙醇体系中产生的过氧化氢进行分离 ,测定了辐照生成的过氧化氢的G值 ,得到了与前人不同的结果 ,并分析了产生分歧的原因。提出并确立了正确的方法 :准确测定黄酮类化合物辐照体系中的过氧化氢值 ,必须先用柱色谱法将过氧化氢从辐照体系中分离出来再进行测定 ,再扣除黄酮类化合物因自氧化而产生的过氧化氢的量。采用 6 .93Gymin- 1的剂量率 ,测得 1× 10 - 3 mol·dm- 3 的芦丁和黄芩甙乙醇溶液中 ,经γ辐照后产生的过氧化氢G值分别为 5 .5± 0 .2和 7.3± 0 .2。与纯乙醇相比 ,辐照后过氧化氢的G值增加。     

硼聚乙烯辐照老化性能研究

正硼聚乙烯是反应堆堆坑小室通道的屏蔽墙材料,长期受到较大剂量的射线辐照。为了满足屏蔽墙后续使用、维修和更换的需求,必须针对该材料开展辐照老化后物理性能的研究,从而为其提供数据支持。本文针对该问题,对中国核动力研究设计院提供的硼聚乙烯材料,首先使用~(60)Co对测试材料开展γ辐照考验,使其累计剂量分别达到1.7×10~5 Gy和3.4×10~5 Gy;然后使用实验堆对其进行中子辐照考验,令其累计中子剂量分别达到5×     

60Coγ射线辐照对东方百合不定芽生长和生理特性影响的初步研究

用60Coγ射线以不同辐照剂量(0、0.5、1.0、2.0、4.0、6.0和8.0Gy)对东方百合索邦(Sorbonne)的离体不定芽进行辐照处理,研究辐照对东方百合不定芽生长及生理影响效应.结果表明:随着辐照剂量的增加,东方百合不定芽的丙二醛(Malondialdehyde,MDA)含量、细胞膜渗透性呈上升趋势;辐照剂量≥2.0Gγ百合不定芽的超氧阴离子(Superoxide anion,O2)含量和过氧化氢酶(Catalase,CAT)活性高于对照,出芽率小于对照;辐照剂量≥4.0Gγ百合芽高的增量小于对照.说明60Coγ射线辐照对东方百合不定芽的生长有抑制作用.通过综合考虑分析,试验推测60Coγ射线处理东方百合索邦(Sorbonne)组培不定芽的适宜辐照剂量在2.0-4.0Gy之间,其半致死剂量为4.0-6.OGy.     

TIMS测定辐照后Gd同位素比的方法研究

建立了热电离质谱法(TIMS)测量天然及辐照后氧化钆同位素丰度比的检测方法。天然氧化钆制备成靶件,放入高通量工程试验堆(HFETR)预定孔道接受中子辐照,辐照时间共计91.3 h,反应堆功率为80 MW,辐照孔道中子注量率约为2×10~(14) n·cm~(-2)·s~(-1)。辐照后靶件经切割、转运、溶解、制样与测量等过程,完成了对可燃中子毒物钆的辐照与测量,并对测量值进行了修正。数据结果表明,热电离质谱法对Gd辐照后检验的分析数据准确可靠,辐照后样品的后处理方法合理,钆的各同位素的丰度变化值前后吻合,且与中子吸收截面大小密切相关。本方法可用于铀钆混合燃料芯块和卸料元件组件中可燃毒物钆的同位素分析。获得的实测数据可反向用于理论计算修正,以期获得更优的反应堆堆芯设计方案。