新的非晶制备法——固态反应非晶化

最近,非晶态材料研究又获新的进展,发现二元金属多层沉积膜经低温退火处理后即可形成非晶态。这一进展在非晶材料理论研究和应用上的意义都是重大的,它标志着非晶态合金可通过用薄膜固态反应法这一新途径来制备,而且因其包含新的非晶化机制,它对合金的非晶形成能力和非晶成分范围也     

非晶态镀膜技术进展

对非晶态合金的特性,非晶材料研究的历史与现状,制备非晶材料的各种技术和非晶应用作了简要介绍。侧重说明应用电镀和化学镀方法制备非晶态合金技术、各种非晶合金的类型及其工艺,展望了非晶镀层的应用及其发展趋势。     

铁基软磁非晶合金和块状金属玻璃的研究进展

为了研发新型软磁材料,铁基非晶合金带材、铁基块状金属玻璃和铁基纳米晶材料等非晶态合金材料被给予了深度关注和广泛研究。近些年,人们在铁基非晶态合金材料中获得了高饱和磁感应强度、低矫顽力、高磁导率和低铁芯损耗,使之展现出优越的软磁性能,并且已经有商业化成果问世。介绍了铁基软磁非晶合金和块状金属玻璃的发展概况、归纳了一些最新的研究成果,并展望了其发展趋势。     

非晶、纳米晶合金的国内外发展概况及应用展望

自1960年美国Duwez教授发明了用快淬工艺制备非晶态合金以来,由于其独特的组织结构、高效的制备工艺、优异的材料性能和广阔的应用前景,一直受到材料科学工作者和产业界的特别关注。在过去的四十年中,伴随着非晶态材料基础研究、制备工艺和应用产品开发的不断进步,各类非晶态材料已经逐步走向实用化。特别是作为软磁材料的非晶合金带材已经实现了产业化,并获得了广泛应用。其中在传统电力工业中,非晶软磁合金带材正在取代硅钢,使配电变压器的空载损耗降低70％以上,从节能和环境保护角度被誉为绿色材料。在现代电子工业中,最近发展起来的纳米晶合金进一步兼备了非晶合金和各类传统软磁材料的优点,成为促进电子产品向高效节能、小型轻量化方向发展的关键材料。本文简要综述了该领域的发展历程和应用前景。     

真空快淬材料研究的新近进展

真空快淬材料也叫急冷材料或快速凝固材料,真空快淬技术是制备非晶态金属和纳米晶合金的重要手段.近年来,真空快淬材料发展迅速,其性能指标已经达到实用化、产业化要求,本文主要介绍了真空快淬技术在贮氢合金、Nd-Fe-B永磁材料、非晶态钛基钎焊料、Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金等金属功能材料制备中的应用研究进展.研究实践证明应用真空快淬技术,不仅可以研究新型非晶态和纳米晶合金,进一步发展新型合金相,而且还可以定性、定量控制晶态材料的晶粒,如非晶、纳米晶、微晶的形成及其含量比例.     

Fe-Si-B-P-C薄带和块体非晶态合金磁性能的比较研究

对Fe76 P5 (B0.5Si0.3C0.2)19非晶薄带和块体非晶态合金试样的磁性进行了对比研究.通过磁力显微镜对试样的磁畴结构进行了观察,结果显示非晶薄带和块体非晶态合金具有完全不同的磁畴结构.非晶薄带自由面的磁畴结构为带状,磁畴宽度较大,约为5μm;而块体非晶态合金的纵剖面磁畴结构密集,呈枝状分布,磁畴宽度较小.而磁畴结构上的差异解释了非晶薄带和块体非晶态合金在矫顽力及居里温度上的差别.     

非晶态合金薄带爆炸焊接界面传热分析

通过对焊接界面进行传热分析,计算出急冷后融化层温度低于非晶合金材料的晶化温度,论证了采用爆炸焊接方法制备块体非晶合金可以使材料保持原有的非晶态.     

电沉积铁基非晶态磁性涂层的研究进展

铁基非晶态磁性涂层是一种新型的材料,拥有优异的软磁性能、耐蚀性与耐磨性,已成为金属功能材料领域的热点。本文总结了铁基非晶磁性涂层具备的特殊性能,讨论了电沉积工艺参数对于铁基非晶态涂层成分、结构与磁学性能的影响,并对铁基非晶态磁性涂层存在的问题、改进途径与未来的发展趋势进行了探讨。     

钴基非晶软磁合金粉末的纳米晶化及其磁性能研究

采用球磨法制备了钴基非晶软磁合金粉末.X射线衍射(XRD)分析结果表明在形成了非晶态合金之前有CoZr2金属间化合物相析出,透射电子显微镜(TEM)分析发现在20h时获得了非晶态的Co80Zr20合金.采用示差热分析(DTA)研究了Co80Zr20非晶粉末的热稳定性和非晶形成能力,结果表明该体系具有很大的非晶形成能力和较强的热稳定性.对Co80Zr20非晶软磁合金粉末在833K～893K退火1h,在振动样品磁强计(VSM)上测量了其磁滞回线,结果表明Co80Zr20合金具有优良的综合软磁性能.     

国内信息

江西大有科技有限公司于1998年研制成功计算机电源非晶磁放大器铁芯,现已形成年产1000万只能力,成为我国最大的非晶磁放大器铁芯生产基地,产品质量达到世界先进水平,扭转了该产品完全依靠进口的局面。 非晶态合金软磁材料,是90年代世界六大新型材料之一,具有使用性能优异和节省材料等特点。大     

大块非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5的电子结构特征及电击穿行为

测定了大块非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5晶化前后的费米能级和各元素的电子结合能,研究了非品合金的电子结构特征和电击穿行为．测试并讨论了非晶材料场发射能力和耐电压强度的关系．结果表明,对于Zr基合金,非品态比品态合金具有更大的功函数．比较了Zr55Cu30Al10Ni5合金非晶态与晶态的耐电压强度数值,发现非晶态合金的耐电压强度数值比较分散,品化合金的耐电压强度相对比较集中．耐电压强度平均值表明,Zr基合金非晶态具有更好的耐电压能力．     

大块非晶合金的研究进展

概述了大块非晶态材料的发展历史及该领域的最新研究进展,并从成分结构条件、热力学条件、动力学条件等方面阐述了大块非晶合金的形成机制.介绍了大块非晶合金的制备方法,并比较了其产业化的可行性.同时综述了大块非晶合金优异的性能和应用前景.     

NiTi非晶薄膜的径向分布函数及结构分析

径向分布函数（RDF）是描述非晶态材料结构的重要工具,一般是通过对衍射强度的解析计算得到的。RAD程序是根据非晶材料X射线衍射数据计算其径向分布函数的集成程序。介绍了该程序的结构和应用方法,并采用RAD程序计算了采用磁控溅射法制备不同成分NiTi合金的径向分布函数,利用径向分布函数计算了非晶微结构参数。结果表明非晶薄膜中钛含量不同影响了非晶微结构参数。     

溅射非晶钴硅薄膜的晶化过程及其分析

利用射频磁控溅射方法制备了具有CoSi2成分的非晶薄膜,对非晶薄膜的晶化过程进行了原位X射线分析。结果显示,溅射态薄膜为非晶态,而自由能一成分曲线说明非晶态合金有较低自由能。在非晶晶化过程中初生相为CoSi相,其形成由有效形成热（EHF）因素和结构因素决定。随加热温度升高,非晶薄膜晶化最终得到晶体CoSi2薄膜。     

Mg基非晶态储氢合金的研究进展

非晶态合金是一类非平衡态材料,具有丰富的能量状态,并表现出多种亚稳特征,在很多方面展示出与晶态合金相比全新的性能。近年来,研究人员报道了一系列的新型Mg基非晶态储氢合金,与传统晶态Mg基储氢合金相比,非晶Mg基合金的原子结构均匀且化学成分范围广,因此具有更大的储氢性能调控空间。由于其长程无序的原子结构,部分Mg基非晶态合金还展示了更高的储氢量、更快的储氢动力学。对Mg基非晶态储氢合金的研究进展进行评述,首先讨论了非晶态合金在储氢方面的优势和不足,进而概括了Mg基非晶态储氢合金的常用制备方法,对其研究和应用进行评述,并介绍调控其储氢性能的新策略,最后总结并展望有关Mg基非晶态储氢合金的研究、应用和挑战。     

Fe80P13C7块体非晶态合金与非晶薄带抗腐蚀性能的对比研究

通过J-Quenching技术在低冷速(低于1000K/s)下制备出块体尺寸达2mm的Fe80P13C7非晶态合金。通过阳极极化曲线测试以及对样品在1mol/L的HCl溶液中浸泡后的腐蚀形貌的观察,对Fe80P13C7块体非晶态合金、非晶薄带以及晶态合金的电化学腐蚀行为进行了对比研究,结果表明,块体非晶的腐蚀性能优于非晶薄带和晶态合金。这可能是由于块体非晶态合金在制备过程中冷速较低,原子发生结构弛豫的时间更长,结合能增大,使得合金中原子与溶液中离子的反应速率减慢,从而提高了块体非晶态合金的腐蚀性能。     

非晶态合金在仪器仪表及电子工业中的应用

一、前言仪器仪表及电子工业的发展在很大程度上是以材料科学的发展为基础的。近10年来,新发展起来的非晶态的金属及合金正在显示它的青春活力,其原因不仅是由于人们对非晶质的金属在科学上的浓厚兴趣,同时也由于它很快取得工业上应用的价值。非晶态合金由于其高强度及耐蚀特性,人们曾将注意力首先集中在它的力学特性的应用开发,但因用熔体急冷方法所得到的非晶材料仅限于较窄的薄带,故在作为结构材料的应用方面并未取得很多进展。当它的优异的磁性被发现以后,作为功能材料的应用便很快得到发展。     

非晶态合金吸氢行为的研究

若干前过渡族—后过渡族金属(ET—LT)型非晶态合金具有较强的吸氢能力,并表现出与过渡族一类金属型非晶态合金完全不同的磁性。因此,ET—LT 非晶合金既可成为有希望的贮氢材料而具有重要的实用价值,又对磁性的基础研究具有重要的理论意义。本工作通过二次离子质谱(SIMS)和 M(?)ssbauer 谱等方法的配合,详细地研究了吸氢对Fe_(90)-xM_xZr_(10)(M=V,Mn)非晶态合金磁性的影响、氢与各种金属元素的相互作用和氢的存在状态。     

非晶态焊接材料的特性及其应用

非晶态焊接材料是一种极有应用前景的新型焊接材料.综述了非晶态焊接材料和晶态材料相比的特点、非晶态焊接材料的制备技术、典型非晶态焊接材料及其应用,并对非晶态焊接材料研究发展趋势提出了几点看法.     

沉积条件对GD′a-SiN_x:H,a-Si:H及a-Si:H/a-SiN_x:H多层膜某些性质的影响

一、引言近年来,非晶态半导体薄膜无论从理论或实验都进行了广泛研究,并且得到许多方面的应用。由于非晶态硅比单晶硅有更好的光吸收特性,因而可做成廉价的太阳电池,特别是可做成大面积的薄膜太阳电池组件,大大的降低了太阳电池造价。目前非晶