C波段GaAs单片有源环行器

Ｃ波段ＧａＡｓ单片有源环行器岑元飞，林金庭，陈克金，樊晓龙（南京电子器件研究所，２１００１６）ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＡｃｔｉｖｅＣｉｒｃｕｌａｔｏｒ￥ＣｅｎＹｕａｎｆｅｉ；ＬｉｎＪｉｎｔｉｎｇ；ＣｈｅｎＫｅｊｉｎ；ＦａｎＸｉａｏｌ...     

C波段单片有源环行器

报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测ＦＥＴ的Ｓ参数进行微波ＣＡＤ优化设计，内部包含有３个３００μｍ栅宽的ＦＥＴ，芯片面积１．７ｍｍ×１．９ｍｍ。采用ＧａＡｓ的离子注入平面工艺，芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在３．５～４．５ＧＨｚ内，电路插入损耗约７．５ｄＢ，隔离度为２１～２６ｄＢ，驻波比基本小于２。     

C波段单片矢量调制器

<正>随着微波单片集成技术的发展。高精度移相器已成为各种微波整机系统的关键技术之一。矢量调制器能在获得连续可变的相移量的同时。又能满足幅度控制、移位精度控制和解决多位数字移相器级联的要求。由于单片集成矢量调制器具有宽带、连续可调、尺寸小和可成批生产的优点,受到人们特别的重视。 矢世调制器的基本原理是利用调节两个相互正交的矢量来改变合成矢量的相位,从而获得连续变化的相移量。由矢量相加运算法则可知。只要使两个相互正交矢量的幅度取适当值,就可在获得连续变化相移量的同时保持输出幅度不变。本文就是基于这一原理,对单片矢量调制器的电路形式、工艺实现方法进行了原理性的研究。 由于双栅FET的第二栅的特殊作用,使它特别适合用于增益控制的宽带放大器。本文采用两个双栅FET可变增益放大器来控制两个相互正交的矢量幅度,而放大器的增益还可用于减少整个电路的插损。在研制初期,为了使电路简化,采用λ/4微带线来得到两个矢量间的90°相位差。矢量的分离和合成用两个Wilkinson同相功分器实现。双栅FET的S参数是从器件     

C波段GaAs单片接收机前端

Ｃ波段ＧａＡｓ单片接收机前端俞土法，叶禹康，张闻辉，彭龙新，李拂晓（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１１月１０日收到ＡＣ－ＢａｎｄＧａＡｓＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＲｅｃｅｉｖｅｒＦｒｏｎｔＥｎｄ￥ＹｕＴｕｆａ；ＹｅＹｕｋａｎｇ；ＺｈａｎｇＷｅ...     

C波段GaAs单片低噪声放大器

本文介绍了C波段GaAs微波单片集成低噪声放大器的设计,给出了电路拓扑与版图设计.在3.7～4.2GHz下,研制成的两级放大器噪声系数为1～3.5dB,增益为20dB左右;三级放大器噪声系数为1.6～3.5dB,增益大于30dB.     

C波段GaAs单片6位移相器

叙述了一种采用单片集成方式实现的Ｃ波段６位数字移相器的设计技术和研制结果。在ＨＰ－８５１０网络分析仪上的测试结果表明：在５．２￣５．８ＧＨｚ频段，移相器插损为７．５±０．５ｄＢ，输入／输出驻波比好于１．５，均方极相移精度在５．５°以内。     

C波段GaAs单片6位移相器

叙述了一种采用单片集成方式实现的Ｃ波段６位数字移相器的设计技术和研制结果。在ＨＰ－８５１０网络分析仪上的测试结果表明：在５．２～５．８ＧＨｚ频段，移相器插损为７．５±０．５ｄＢ，输入／输出驻波比好于１．５，均方根相移精度在５．５°以内。     

C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计

主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现.通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路.本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5～6 GHz,噪声系数小于1.2 Db,增益大于24 Db,输入输出驻波比小于1.5:1,增益平坦度△Gp≤±0.1 Db,1 Db压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 Ma.电路最终测试结果与设计结果吻合.     

X波段五位、C波段六位砷化镓单片数字移相器

南京电子器件研究所成功地研制出Ｘ波段五位、Ｃ波段六位砷化镓单片数字移相器,该移相器具有体积小、性能优、功耗极低、转换速度快、重复性和一致性好、可靠性高等优点。电路设计中,采用开关移相网络、桥Ｔ电路和谐振式电路形式来实现移相功能。电路采用先进的ＭＭＩＣ工艺制作。研制的移相器主要性能指标如下：Ｘ波段五位砷化镓单片数字移相器频　　率：ｆ０±５５０ＭＨｚ位　　数：五位（１８０°、９０°、４５°、２２．５°、１１．２５°）插入损耗：８．５ｄＢ相位精度：ＲＭＳ＜２．６°输入驻波：＜１．５输出驻波：＜１．５各…     

C波段磁控管注入锁相的实验研究

为了对C波段磁控管进行大功率功率合成,须进行单管锁相研究,本文主要对单管磁控管进行注入锁相实验研究,并讨论了不同注入功率大小对磁控管输出频谱带宽的影响.实验结果表明,通过注入外部信号的方式对C波段磁控管是能够锁相成功的,锁相后输出功率稳定.在实验过程中取得了大量的试验数据,为下一步功率合成实验提供了实验基础.     

L/S/C波段低相噪、单片锁相频率源实现

介绍一种在20 mm×20 mm PCB上实现L/S/C波段频率源的方法,当频率最高达4 820 MHz时,相位噪声达到-100 dBc/Hz@10 kHz。当步进设为2 MHz,环路带宽为100 kHz时,杂波抑制＞40 dBc,跳频时间＜200 μs;环路带宽为40 kHz时,杂波抑制＞60 dBc,跳频时间＜600 μs。可以应用于一些低端的接收机和校正源上,或是对杂散抑制要求不高的射频通信中。     

差分环行器的研究进展

基于时空调制(STM)的单端环行器因其输入信号和调制信号的混合,在接近所需频带处将受到互调产物(IMP)的影响,这些IMP不仅会对相邻通道造成干扰,还会限制调制参数。差分环行器通过匹配两个单端环行器,以180°相位差的调制信号分别调制两个单端环行器,从而消除IMP,有效地改善了环行器的插入损耗、带宽及功率容量等指标,提高了环行器的性能,并降低了对调制信号的要求。该文描述了差分环行器的基本原理,对差分环行器的电路结构、调制方式及测试方法进行了总结。对比分析表明,差分体声波(BAW)环行器在插入损耗、隔离度及功耗等方面表现出优异的性能,有望取代大多数商业系统中的铁氧体环行器。     

Development of the Microstrip Circulator with a Magnetized Ferrite Sphere in Millimeter Wave Band

In this paper, a novel microstrip circulator with a magnetized ferrite sphere is proposed for various millimeter wave communications. A three-dimensional Finite-Difference Time-Domain (FDTD) approach for the analysis of this ferrite sphere based microstrip circulator is first presented. The electromagnetic fields inside the ferrite junction are calculated using special updating equations derived from the equation of motion of the magnetization vector and Maxwell's curl equations in consistency. Frequency dependent insertion loss, isolation and reflection loss of circulator are calculated over a wide band of frequencies with a single FDTD run. Experimental results at Ka band are presented and compared with theoretical simulations. As a result, a good agreement is found between them.     

Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验

通过分析微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）与常用的微波立体电路的不同点，讨论了采用通用的微波电路软件进行ＭＭＩＣ精确设计的有效途径，着重分析了在软件中如何建立三类ＭＭＩＣ用元件（有源器件、无源元件及由ＭＭＩＣ工艺决定的特有图形元件）电路模型的方法，借助这一分析，使用通用的微波电路软件，完成了Ｋｕ波段两级ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰＨＥＭＴ单片低噪声放大器的设计与研制，取得了与ＣＡＤ设计值十分相近的实验结     

体声波环行器的研究进展

体声波(BAW)环行器作为一种新型的声学环行器,与传统铁氧体环行器相比,其不需要铁磁材料和外加偏置磁场,且具有小体积、低成本、与CMOS工艺兼容等优势,在现代无线通信系统中具有广阔的市场前景。该文描述了BAW环行器的基本原理和结构,介绍了国内外研究现状,比较了不同结构和调制电路的性能,分析了印制电路板(PCB)的布局和测试,总结了BAW环行器的特点和发展方向。     

带线环行器的温度稳定性研究

研究了环行器插入相位1θ2的温度稳定性机制,它与同相激励模相位本征值0θ的变化密切相关。研究指出:张量磁导率对角分量μ的变化引起了同相模相位0θ和1θ2的变化,从δμ=0的条件推出了环行器的相位稳定性方程和磁矩MS-磁化场Hi的同步变化率R=ΔMS/ΔHi。在服从同步变化率为常数的条件下,对环行器进行高频电磁场仿真和三维静磁场仿真相结合的混合有限元计算,证明了理论的正确性,在-40℃~+80℃温度范围内,δ1θ2=±3°,与此同时,由于相位稳定性必然导致S参数幅度的稳定性。     

结环行器的设计流程

根据结环行器理论,推导出通用的设计公式,提出设计流程,并据此设计出二公分波段带线环行器,验证了方法的有效性。