SiC混合功率模块封装工艺

SiC(碳化硅)材料作为第三代半导体材料,具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点,因此,Si C材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此,同时为了实现模块的自主可控化,将Si模块中的Si二极管用自主Si C二极管进行替代,制作Si C混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序:回流、铝线键合、点胶、灌胶。     

柔性基板模块封装技术

针对柔性基板模块封装过程中存在的材料选择、叠层方式以及层间干涉等关键问题,提出了采用热应力分析进行材料筛选,通过3D结构叠层以及夹具隔离支撑措施,实现满足电磁兼容、热传导及振动要求的模块整体封装.这些方法和技术可用在适应性要求高的异形空间.     

金刚石基板多芯片功率组件用SiC功率芯片封装

高温电子封装需要功率开关器件、元源元件及材料均能经受高达30012的工作环境温度。以往情况下，传统硅基电子器件在工作温度高于150℃时其电性能就会出现欠缺。90年代初，出现一种市售绝缘体上硅技术(即HTMOS^TM)，该技术可使器件达到至少5年、225℃的工作寿命以及300℃、少于5年的工作寿命。除了碳化硅(SiC)之外，在技术水平上之后再未出现过能经受超过300℃工作环境温度的其它别的功率器件材料。尽管SiC功率器件仍未达到商品化的程度，但十分明显，SiC技术对需要在高温环境下工作的功率电子封装设计策略将会产生影响。     

功率模块封装结构及其技术

本文从封装角度评估功率电子系统集成的重要性。文中概述了多种功率模块的封装结构形式及其主要研发內容。另外还讨论了模块封装技术的一些新进展以及在功率电子电路系统集成中的地位和作用。     

功率电子模块及其封装技术

功率电子模块正朝着高频、高可靠性、低损耗的方向发展,其种类日新月异。同时,模块的封装结构、模块内部芯片及其与基板的互连方式、封装材料的选择、制备工艺等诸多问题对其封装技术提出了严峻的挑战。文章结合了近年来国内外的主要研究成果,详细阐述了各类功率电子模块（GTR、MOSFET、IGBT、IPM、PEBB、IPEM）的内部结构、性能特点及其研究动态,并对其封装结构及主要封装技术,如基板材料、键合互连工艺、封装材料和散热技术进行了综述。     

埋入电子元件基板的技术动向

概述了埋入无源元件陶瓷基板,集成无源元件(IPD)硅基板,埋入无源部品或者无源部品和有源部品的树脂基板的技术动向。它适应于21世纪安装技术的革新。     

智能功率模块中绝缘铝基板可靠性提升设计研究

近年来,家用电器的变频功能逐渐成为其市场竞争中的主要技术卖点之一。智能功率模块作为白色家电的核心器件,降低热阻和提升耐压作为两项最重要的封装评估项目愈发受到设计者的重视。以铝基板为载板的功率模块作为介绍对象,从其各介层的结构和工艺处理方式等方面入手,解决铝基板在实际生产中遇到的绝缘层开裂引发的可靠性问题。     

一种新型的功率电路基板

军用电子产品中有大量高功率产品，其体积也要求越来越小，这势必带来越来越突出的电路散热问题，采用高导热电路基板是解决功率电路热耗散的一个重要手段。本文介绍了一种采用阳极氧化工艺制作的具有优良特性的铝基板——铝基阳极氧化基板，它区别于铝基敷铜板，具有导热性好、耐压高（≥1000V）、绝缘强度好（≥10^12n）、可加工成任意尺寸和形状等特点。该种基板最大的特点是可以在上面制作铝薄膜单层或多层布线电路，由于布线用导体、基板以及绝缘层是同一本体材料，所以可以有效避免铝基敷铜板高温工作下易出现的导体与基板发生脱落的现象，有利于电路可靠性的提高。     

提高MOS功率晶体管封装可靠性技术研究

功率MOS晶体管的正向导通电阻是器件的重要指标,严重影响器件的使用可靠性。从封装材料、封装工艺等方面论述功率MOS管降低导通电阻、控制空洞、提高器件可靠性的封装技术,并通过一些实例来阐述工艺控制的效果。     

基于挠性基板的高密度IC封装技术

挠性印制电路技术迅速发展,其应用范围迅速扩大,特别是在IC封装中的应用受到人们的广泛关注。挠性印制电路在IC封装中的应用极大地推动了电子产品小型化、轻量化以及高性能化的进程。针对具体应用对象,文章分别介绍了挠性基板CSP封装、COF封装以及挠性载体叠层封装的基本工艺、关键技术、应用现状及发展趋势,充分说明了挠性印制电路和高密度布线对高密度IC封装的适用性。基于挠性基板的IC封装技术将会保持高速的发展,特别是挠性叠层型SIP封装技术具有广阔的应用前景。     

高密度封装进展之一元件全部埋入基板内部的系统集成封装（下）

5 埋入元件的基板正推广到有机系统 在陶瓷系基板中埋入电子元件取得成功的基础上,人们开始在树脂系基板中埋入电子元件的研究开发,以实现三维集成化封装,近年来取得了重大进展。树脂系基板中埋入元件可以大大缩短布线距     

高密度封装进展之一元件全部埋入基板内部的系统集成封装（上）

将无源元件及IC等全部埋入基板内部的三维封装,不仅能提高电子设备的整体性能,有利于轻薄短小化,而且 由于钎焊连接部位减少,可提高可靠性并能有效降低封装的总价格。     

一种基于LTCC基板的数字光收发模块设计

首先介绍低温共烧陶瓷(LTCC)技术和数字光收发模块,阐述LTCC的技术特点、工艺流程以及它相较于传统PCB电路基板的优势,解释了数字光收发模块的通信原理和工作方式;其次,提出了一种基于LTCC电路基板的数字光收发模块的设计方案,详细介绍了该光模块的主要构成和实现方法,包括电路设计和关键器件的比较和选取;最后,通过对该方案所述的数字光收发模块的样件进行关键指标和性能测试,验证了该设计方案的可行性。     

一种基于扇出晶圆级封装技术的控制模块设计

随着摩尔定律放缓,各种先进封装技术成为半导体产业的重要研究内容.同时,这些技术也为系统工程师们如何实现定制电路小型化提供了更多样的选择.在对已有SiP技术研究的基础上,基于国内工艺线,尝试使用扇出晶圆级封装技术实现一款控制模块,为该技术在数模混合系统小型化中的应用提供参考.     

挠性基板的芯片级封装技术

挠性印制电路(FPC)在IC封装中的应用,推进了电子产品小型化、轻量化、高性能化的进程,同时也推动了FPC向高密度方向发展。本文概述了基于挠性印制电路的芯片级封装技术,包括平面封装和三维封装技术,以及芯片级封装技术的发展对挠性载板的影响。     

一种新型功率变换模块及应用

介绍了RF系列AC/DC功率变换模块的结构，主要性能指标及应用中应注意的问题。