《电子产品世界》3月份出版的《测试测量专刊》获奖读者名单

叶关山(西安)张成钢(深圳)王寿年(上海)王林泉(上海)田金凤(上海)杨磊(成都)沈浩波(上海)陈少华(北京)徐筱棣(北京)庄军(哈尔滨)李攀峰(上海)王鸿杰(杭州)回志业(深圳)穆佳楠(黑龙江)司农(北京)王单(四川)于志伟(滨州)周小澄(深圳)张欣德(内蒙古)王立明(北京)黄寿星(深圳)王燕(广州)杨竹林(深圳)胡行毅(北京)雷萍萍(黄石)张增昌(深圳)李海峰(吉林)任顺尧(成都)祝军生(桂林)王永军(阜新)郭世荣(梧州)李乾龙(天津)卫辉(广州)陈卯蒸(乌鲁木齐)唐黎明(深圳)唐一龙(桂林)任国栋(安徽)余恺(上海)高峰(成都)周勇(深圳)何斌(浙江)王武军(北京)陈晓宁…     

Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO2对其发射率性能影响

本文通过共沉淀法,以草酸为沉淀剂,Ca~(2+)、Y~(3+)共掺杂CeO_2来降低其高温下红外发射率,并且Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最小值为0.271。再用两种不同沉淀剂KOH及NH_4HCO_3分别合成Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,所得结果可知,KOH为沉淀剂所合成的Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体发射率最低,最低值为0.223。通过γ射线辐照处理Ce_(0.8)Y_(0.15)Ca_(0.05)O_(2-δ)粉体,可使其最低发射率由0.271降至0.187。     

PZT-BF-MCX系压电陶瓷的烧结和电性能

研究了Pb(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为PCN)、Pb(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为PCW)、 Sr(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为SCN)、Sr(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为SCW)、Ba(Cu_(1/3)Nb_(2/3))O_3(简为BCN)及Ba(Cu_(1/2)W_(1/2))O_3(简为BCW)第四组元(简为MCX)对低温烧结的PZT-BF-MCX(其中PZT为Pb(ZrTi)O_3,BF为BiFeO_3)系压电陶瓷的烧结和电性能的影响。发现PCW的降温效果最好,BCN的综合改性效果最佳。所获得的最佳配方可在950℃下烧成,其主要性能已达到或接近我国医用超声压电陶瓷材料专业标准(ZBC《医用超声压电陶瓷材料》(送审稿),1990年12月广州会议通过)中规定的发射型材料要求。     

下一代网络的发展趋势:融合与开放——访中国数字电视国家工程研究中心首席科学家张文军教授

正2012年4月17~19日,在全美广播电视设备展NABShow2012期间,中国数字电视国家工程研究中心(NERC—DTV)联合美国高级数字电视系统委员会(ATSC)、美国电子与电气工程师学院广播技术协会(IEEE-BTs)、美国全国广播电视协会(NAB)、美国公共广播电视台(PBS)、欧洲数字电视广播标准组织(DVB)、欧洲广播电视联盟(EBU)、加拿大广播公司(CBC)、加拿大通信研究中心(CRC)、日本NHK广播电视协会(NHK)、韩国电子通讯研     

图象通信的最近进展动向

本文先说明图象(image)与电视(video)的涵义和区别,多种业务综合(integratedservices)与多种信息结合(multimedia)的涵义和区别,有线电视(CATV)与交互电视(interactive)的涵义和区别,个人通信网(PCN)与屋内通信网(CPN)的涵义和区别。然后叙述数字图象与电视压缩编码(Video (?)mpression)的原理和发展,以及数字高清晰电视(HDTV)在通信、广播的应用和发展。     

2014国际光电技术与应用系列创新研讨会征文通知

正会议网站:www.cnoenet.com/2014IPTA会议时间:2014年5月13-15日摘要截稿:2014年4月15日(第三轮)主办单位:中国宇航学会、中国高科技产业化研究会联合主办:国际光学工程学会(SPIE)、美国光学学会(OSA)承办单位:中国宇航学会光电技术专业委员会大会主席:金国藩院士(清华大学)庄松林院士(上海理工大学)合作期刊(持续增加中):JEOS:RP(SCI)、Applied Physics A(SCI)、Optical Engineering(SCI)、红外与激光工程(Ei)、光学精密工程(Ei)、强激光与粒子束(Ei)、中国光学,等     

第五届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主 编(Editor-in-Chief)林金庭(Ln Jiming) 副主编(Deputy Editor-in-Chief)过常宁(Guo Changning) 金硫拴(Jin Yuquan) 景佩苏(Jing Peisu) 委 员(Editorial Committee) 毛昆纯(Mao Kunchun)王因生(Wang Ylnsheng) 王福臣(Wang Fuchen)许居衍(Xu Jugan)(特约) 华培忠(Hua Peizhong)冷家波(Leng Jiabo) 邵 凯(Shao Kai)陈克金(Chen Kejin) 陈效建(Chen Xiaojian)罗运生(Luo Yunsheng) 顾世惠(Gu Shihul)程棋祥(Cheng Qixiang) 熊承望(Xiong Chingkun)薛妨时(Xue Fangshi) 编 辑(Editor) 陶明德(Tao Mingde)蔡耀斌(Cat Y…     

第四届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主 编(Editor-in-chief)林金庭(Lin Jiming)副主编(DePuty Editor-in-Chief)过常宁(Guo Changning)szfli{锥(Jin Yuuuan)委 员(Editorial Committee) 毛昆纯(Mao Kunchun)王福臣(Wang Fuchen)刘良俊(Liu.iangjun) 冷家波(Leng Jiabo)罗运生(Luo Yunshe。g)林树治(Lin Shuzhi) 陈效建(Chen Xiaojian)徐稼迟(Xu Jiachi)顾世惠(Gu Shihui) 熊承望(Xiong Chengkun)编 辑(Editor) 陶明德(Tao Mingde)景佩苏(Jing Peisu)A\耀斌(Cat Yaobin)英语编辑(EDglish EdtOO)俞静娟(Yu Jingjggn)美 工(Advertisement Staff)周惠忠(Zhou …     

微电子行业职工安全教育的新尝试(附注)

微电子行业消防安全知识考试竞赛答案1　是非题(1)是(2 )非(3)非(4 )是(5 )非(6 )非(7)是(8)非(9)非(10 )非2　选择题(1)B(2 )B(3)C(4 )D(5 )B(6 )A(7)D(8)C(9)B(10 )B3　填空题(1)隐患 ,防范。(2 )普通 ,油类 ,电气 ,金属。(3)冷却 ,隔离 ,窒息。(4 ) 119,110。(5 )吸烟 ,灭火器。(6 )略 (根据本单位实际情况作答 )。4　简述题略 (根据本单位实际情况作答 )微电子行业职工安全教育的新尝试(附注)@陈毅功$华润微电子控股有限公司!广东深圳518001…     

第四届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

<正>主编(Editor-in-Chief) 林金庭(Lin Jinting)副主编(Deputy Editor-ic-Chief) 过常宁(Guo Changning) 金毓铨(Jin Yuquan)委员(Editorial Committee)毛昆纯(Mao Kunchun) 王福臣(Wang Fuchen) 许居衍(Xu Juyan)(特约)冷家波(Leng Jiabo) 罗运生(Luo Xunsheng) 邵凯(Shao Kai)陈效建(Chen Xiaojian) 顾世惠(Gu Shihui) 程祺祥(Cheng Qixiang)熊承堃(Xiong Chengkun) 薛舫时(Xue Fangshi)     

好消息

1.《电子世界》2004年度幸运读者名单一等奖(5名):李东风(广州) 王大兵(安徽) 赵文华(湖北) 王春杰(河北) 辛立(江苏)二等奖(10名):杨阳(武汉) 任效明(河北) 何浩(广州) 匡江山(广州) 杨占军(吉林) 程敏(合肥) 郭春柱(福建) 孙申同(济南) 赵玉安(湖北) 王江(深圳)三     

第四届《固体电子学研究与进展》编辑委员会

主 编(Edtor-in-Chief)林金庭(Li。1i。ting)副主编(DePuty Edtor一n-Chief)过常宁(Guo Clianzninz)金蹦拴(Jinyuquan)委 员(Editorial Committee) 毛昆纯(Mao Kunchun)王福臣(W aug Fuchen)刘良俊(L1u L1angjgn) 许居衍(Xu Juyan)(特约)冷家波(Leng Jiabo)罗运生(Luo Xunsheng) 林树治(Li。Shuzhi)陈效建(Chen Xiaojian)徐稼迟(Xu Jiachi) 顾世惠(Gu Shihui)熊承堑(Xiong Chenznun)编 辑(Editor) 陶明德(Tao Mingd。)景佩苏(Jing Peisu)蔡耀斌(Cat Yaobin)英语＄M(Eng"sh Edtor) 俞静娟(Yu Jinsjuan)美 工(AdV6rtiSSS…     

La掺杂对Ca_(3-x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y复合热电材料的性能优化研究

采用助溶剂法和固相反应法分别合成Ca_(3-x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)(0≤x≤0.16)和Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y陶瓷粉体,通过热压烧结制备Ca_(3–x)La_xCo_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y复合热电材料,研究了La掺杂对复合热电材料的微观结构、物相组成和热电性能的影响。结果表明:La掺杂复合热电材料的XRD谱与标准JCPDS卡保持一致,没有引进新的杂质;La掺杂样品的电导率和Seebeck系数同时增加,功率因子得到显著提高。在973 K时,Ca_(2.92)La_(0.08)Co_(3.9)Cu_(0.1)O_(9+δ)/Bi_2Ca_2Co_(1.9)Cu_(0.1)O_y样品的功率因子达到4.477×10~(–4 )W·m~(–1)·K~(–2)。     

作者索引

BA Fa-hai(巴发海)287,707BAI Jin-tao(白晋涛)923BAI Shao-xian(白少先)1664BAO Cheng-yu(包成玉)622BAO Jian-hua(鲍建华)1421BAO Nai-keng(鲍乃铿)1489BAO Xing-he(鲍星合)1397,1549BAO Yong(薄勇)1477Bayanheshig(巴音贺希格)301BI Yong(毕勇)13,453BI Zhi-yi(毕志毅)655BIAN Bao-min(卞保民)1101BO Lin-hou(柏林厚)1086BU Yang(步扬)475,1178BU Yi-kun(卜轶坤)597,1017CAI Bang-wei(蔡邦维)379CAI Hai-wen(蔡海文)83,232,441,549,1357,1397CAI Jian(蔡建)889CAI Lan(蔡兰)1006,1300CAI Qing-kui(才庆魁)6…     

FOBTV:合作面向广播电视的未来!——专访FOBTV主席Robert H.Plummer先生

正吉时吉刻,钟声响起!2011年11月11日11时11分11秒,美国数字电视标准委员会(ATSC)、加拿大广播公司(CBC)、欧洲数字视频广播组织(DVB)、美国电气和电子工程师协会(IEEE)、美国广播电视协会(NAB)、中国数字电视国家工程研究中心(NERC DTV)、日本放送协会(NHK)、美国公共电视台(PBS)等来自全球广电行业的国际组织和机构,共同签署了一份有关未来广播电视的     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.     

浅析静电纺丝技术制备多种结构的纳米线

文章采用静电纺丝法制备La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3和TiO_2的纳米线,先配置La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3和TiO_2的前驱体溶液,并把它们放在静电纺丝机下纺丝后退火,得到了La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3和TiO_2的单根纳米线。在此基础上,利用同轴针头,在外层加入La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3溶液,芯层加入TiO_2溶液,观察得到纳米线的结构形貌,确定得到了La_(0.325)Pr_(0.3)Ca_(0.375)MnO_3_TiO_2的同轴纳米线。在静电纺丝技术下,笔者成功实现了对纳米线结构的控制。     

作者索引

Bai Tianguo(柏天国)105 Cai Jiaxing(蔡佳星)27 Cai Jie(蔡杰)231 Cao zhuoliang(曹卓良)592 Chai Jinhlia(柴金华)202 Chen Dong(陈东)306 Chen Fen(陈芬)241 Chen Riezlun(陈福春)709 ChenG，;ilin(陈桂林)709 CI、e;1 Guoliang(陈果良)694 Chen Hao(陈昊)539 Chen Hongbin(陈宏滨)73 Chen Jiexiang(陈结祥)89，96 Chen Long(陈龙)616 Chen Meifeng(陈美锋)475 Chen Nan(陈南)575 C企len Qiong(陈琼)216 Chen Shuang(陈爽)757 Chen xiaping(陈厦平)743 Chen xianfeng(陈险峰)387 Chen Xianfeng(陈宪锋)183 Chen Xinglin…     

作者索引

Bai Yihong(白宜红)489 Bi Zhenbo(毕振波)316 CaiChun(蔡纯)881 Cai Jinfang(蔡金芳)57 Cai Shihua(蔡十华)652 Cao Li(曹力)167 Cao zhensong(曹振松)537 Cao Zhuoliang(曹卓良)71，197，836 Caozhigang(曹志刚)164 Chai，J inhua(柴金华)225 Chang叭飞i(常伟)876 Chao Xiaog及ng(巢小刚)413 Chen Bo(陈波)506，692 Chen Cuiliua(陈翠华)225 Chen Cuiwei(陈翠御383 Chen Donghong(陈东红)295 Chen Guanqun(陈冠群)725 Chen Haitao(陈海涛)103 Cllen Jiexiang(陈结祥)369 Chen Jun(陈军)569 Chen Lei(陈磊)268 Chen Li(陈…     

Al/LB绝缘膜/Si结构界面态研究

I—V特性法表明单层LB聚酰亚胺膜(～0.5nm)MIS结构的界面态密度为10~(12)～10~(13)cm~(-2)eV~(-1)。对11和41层LB聚酰亚胺膜,DLTS测试得到的界面态密度分别为10~(12)～10~(13)和10~(11)～10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。所有结果表明,在硅禁带中央附近具有较大的界面态密度。