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对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用硅分子束外延技术和B2O3掺杂源,成功地实现了硅中的硼δ掺杂,硼δ掺杂面密度NB可达3.4e14cm-2(1/2单层)以上,透射电镜所示宽度为1.5nm.我们首次用原位俄歇电子能谱(AES)对硼在Si(100)表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究,发现在NB<3.4e14cm-2时,硼δ掺杂面密度与时间成正比,衬底温度650℃,掺杂源温度9000℃时,粘附速率为4.4e13cm-2/min;在NB>3.4e14cm-2时,粘附有饱和趋势,测量表明在硼δ掺杂面密度NB高达4.4e14c 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导开关和Si1-xGex/Si红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为:(1)对Si1-xGex光开关,Ge含量x=0.05,波导的内脊高、脊宽和腐蚀深度分别为3,8.5和2.6μm,分支角为5~6°。要实现对1.55μm波长光的开关作用,pn+结上所需加的正向偏压值应为0.97V;(2)对Si1-xGex/Si探测器,Ge含量x=0.5,探测器由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5和17nmSi交替组成厚度为550nm,长度约为1.5~2mm的超晶格,内量子效率达80%以上。 相似文献
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针对应变Si1-xGex的应变致能带分裂及重掺杂对裂值的影响,提出了多子双带结构的等价有效简并度模型和有关算法。模型中考虑了非抛物线能带结构。应用该模型,计算了赝形生长在(100)Si衬底上的Si1-xGex应变层的重掺杂禁带窄变,发现当掺杂超过一定浓度(对于p型和n型合金,该浓度分别约为1.9×1019cm-3和3.5×1019cm-3)后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于这个浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。文中还将计算结果与其它未细致考虑应变致能带分裂因素的理论工作进行了比较。 相似文献
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陈兆铮 《固体电子学研究与进展》1999,(4)
据《CompoundSemiconductor》1999年第1期报道,Illinois大学、NotreDame大学、Bell通信研究公司分别报道InP基高性能的E-HEMT。器件在半绝缘InP衬底上用MOVPE生长E-HEMT材料,其结构是:缓冲层为In0.52Al0.48As,沟道为20nm未掺杂的In0.53Ga0.47As,5nm未掺杂的In0.52Al0.48AsIn0.52Al0.48As隔离层,Siδ平面掺杂和12nm未掺杂In0.52Al0.48As肖特基层。器件用隐埋Pt栅制作,… 相似文献
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采用低温生长缓冲层,高温生长GeSi外延层的方法在n型Si衬底上外延生长(i)Ge0.85Si0.15-(p)Si层,以此材料作为吸收区制备成GeSi/Si异质结pin台面光电二极管。其波长范围为0.7-1.55μm,峰值波长位于1.06μm,暗电流密度低达0.033μA/mm^2(-2V),在1.06μm和1.3μm处的响应度分别为1.8A/W(-2V)和0.066A/W(-V)。 相似文献
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本文介绍了在电阻率为(77~300)kΩ·cm的n型(111)Si衬底上用LPE法生长高质量Si1-XGex单晶薄层(其厚度一般为1~3μm)的生长条件,并对引入的缺陷进行了TEM研究,结果表明其缺陷密度和用MBE及超高真空CVD法生长的同样厚度和组分的Si1-xGex薄层的缺陷密度相等甚至更低.霍尔迁移率μH与温度有μH∝Tm的关系,(在T=80~300K时,m=-0.95).当x>0.85时,μH的测量值和由Krishnamurthy计算的理论值相符,x<0.85,测量值仅为理论值的70%.由Bi杂质 相似文献
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GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究 总被引:1,自引:1,他引:0
用气态源分子束外延法对Si及GeSi/Si合金进行了N、P型掺杂研究,结果表明,杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程,所获得的N型及P型载流子浓度范围分别为1.5×1016~4.0×1019cm-3及1.0×1017~2.0×1019cm-3,基于对N型Si外延材料中迁移率与杂质浓度、温度的关系,我们用Klaassen模型对实验结果进行拟合,分析了不同散射机制,特别是少数载流子电离散射对迁移率的影响.此外,样品的二次离子谱及扩展电阻分析表明,N、P型杂质浓度纵向 相似文献
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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究.已得到77K温度下迁移率为16.2e4cm2/(V·s)的GaAs材料.样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1e13cm-3<n<1e15cm-3)内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会抑制Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度Na/Nd之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率. 相似文献
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用GSMBE技术在国内首次研究了应变Si1-x Gex/Si异质结材料的生长,并用X射线双晶线双晶衍射技术对样品进行了测试分析,对于Si0.91Ge0.09和Si0.86Ge0.14单层,其半宽度FWHM分别为100〃和202〃,对于Si0.89Ge0.11/Si多量子阱,其卫星峰多达15个以上,三种样品中的GeSi外延层干涉条纹清晰可见,结果表明,用GSMBE技术生长的Si-xGex/Si异质结 相似文献
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用GexSi1-x/Si亚稳材料在高温下制作了光波导,它的传输损耗为0.8dB/cm,比低温工艺的0.5dB/cm稍大。并发现GexSi1-x/Si材料的大量失配位错的一些有趣的现象。 相似文献
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在前人优秀工作的基础上,叙述了一个适用于低温和多种基区Ge组分分布的SiGe-HBT电流增益的解析模型,详细推出了它的模型公式。该模型考虑了基区处于非平衡态下的载流子准弹道输运效应对集电极电流Jc和电流增益β的影响,并考虑了SiGe材料迁移率及本征载流子浓度随温度的变化。解析模型的计算结果与数值模拟结果符合较好,证明了解析模型是可信的和有一定精度的。模型计算结果表明:均匀Ge分布、较低的发射区掺杂浓度和较宽的基区有利于SiGeHBT在低温下具有较大的电流增益。 相似文献
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p型Si1—xGex应变层中重掺杂禁带窄带的计算 总被引:1,自引:0,他引:1
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在〈100〉Si衬底上的p型Si1-xGex应变层的重掺杂禁带窄带,发现当杂质浓度超过约2 ̄3×10^19cm^-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性 相似文献
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用GexSi1-x/Si亚稳材料在高温下制作了光波导,它的传输损耗为0.8dB/cm,比低温工艺的0.5dB/cm稍大。并发现GexSi1-x/Si材料的大量失配位错和一些有趣的现象。 相似文献